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邢贺

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：苏州大学更多>>
相关领域：理学机械工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇偏振
  • 6篇二极管
  • 6篇发光
  • 6篇发光二极管
  • 5篇光栅
  • 5篇出光
  • 3篇空气隙
  • 3篇过渡层
  • 2篇消光
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米颗粒阵列
  • 2篇金属光栅
  • 2篇激光
  • 2篇激光干涉
  • 2篇激光干涉光刻
  • 2篇光刻
  • 2篇光栅周期
  • 2篇干涉光刻
  • 2篇GAN基LE...
  • 1篇氮化镓

机构

  • 7篇苏州大学

作者

  • 7篇邢贺
  • 5篇曹冰
  • 5篇王钦华
  • 5篇张桂菊
  • 2篇俞强

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2014
  • 1篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
GaN基LED表面微纳结构的偏振出光
亚波长金属光栅结构是近年来迅速发展起来的纳米功能元件之一。将亚波长光栅结构和GaN基LED发光芯片集成一体,在提高出光效率的同时,使LED具有直接偏振出光功能,对掌握光电子器件核心技术具有重要的意义。这种高效偏振出光的L...
邢贺
关键词：氮化镓发光二极管激光干涉光刻
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一种偏振出光发光二极管
本发明公开了一种偏振出光发光二极管，具体涉及一种复合光栅结构的偏振装置。它的LED芯片包括由衬底、n型GaN层、p型GaN层、量子阱、过渡层、空气隙和表面金属光栅结构组成。本发明在过渡层和表面金属光栅结构之间加入空气隙，...
曹冰邢贺张桂菊王钦华
一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管
本发明公开了一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管。它的发光二极管芯片包括由工作区衬底n型区、p型区、量子阱和纳米颗粒阵列结构组成的。本发明的主要特征是在LED的出光表面上直接制备纳米颗粒阵列，由纳米颗粒构成线光栅的偏振结...
曹冰邢贺张桂菊王钦华俞强何舜宇
文献传递
一种偏振出光发光二极管
本发明公开了一种偏振出光发光二极管，具体涉及一种复合光栅结构的偏振装置。它的LED芯片包括由衬底、n型GaN层、p型GaN层、量子阱、过渡层、空气隙和表面金属光栅结构组成。本发明在过渡层和表面金属光栅结构之间加入空气隙，...
曹冰邢贺张桂菊王钦华
文献传递
一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管
本发明公开了一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管。它的发光二极管芯片包括由工作区衬底n型区、p型区、量子阱和纳米颗粒阵列结构组成的。本发明的主要特征是在LED的出光表面上直接制备纳米颗粒阵列，由纳米颗粒构成线光栅的偏振结...
曹冰邢贺张桂菊王钦华俞强何舜宇
文献传递
GaN基LED表面维纳结构的偏振出光
亚波长金属光栅结构是近年来迅速发展起来的纳米功能元件之一。将亚波长光栅结构和GaN基LED发光芯片集成一体，在提高出光效率的同时，使LED具有直接偏振出光功能，对掌握光电子器件核心技术具有重要的意义。这种高效偏振出光的L...
邢贺
关键词：GAN基LED偏振激光干涉光刻
文献传递
一种偏振出光发光二极管
本实用新型公开了一种偏振出光发光二极管，具体涉及一种复合光栅结构的偏振装置。它的LED芯片包括由衬底、n型GaN层、p型GaN层、量子阱、过渡层、空气隙和表面金属光栅结构组成。本实用新型在过渡层和表面金属光栅结构之间加入...
曹冰邢贺张桂菊王钦华
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