郑凯
- 作品数：20 被引量：17H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金国家教育部博士点基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 半导体激光二极管发光单元及器件
- 本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W，其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层，其中：第一限制层和第二限制层，用于形成PN结进行载流子输...
- 郑凯王俊熊聪马骁宇
- 数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器及制作方法
- 一种数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器，包括：一衬底用于在其上进行激光器材料结构外延生长；一缓冲层制作在衬底上；一N型包层制作在缓冲层上，限制载流子泄漏；一有源区层，该有源区层制作在包层上；一第一P型包层制作在...
- 郑凯马骁宇林涛刘素平张广泽
- 文献传递
- 大功率650nm波段AlGaInP/GaInP应变量子阱半导体激光器的研究
- 红光AlGaInP／GaInP半导体激光器已经被广泛应用在民生与军事中，尤其是大功率650 nm激光器的出现更是大大改观了人们对光信息存储技术的定义。然而，应用于DVDRAM的大功率650 nm激光器技术在国内还是一项空...
- 郑凯
- 关键词：半导体激光器应变量子阱
- Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂被引量：4
- 2008年
- 杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率。以Zn3As2为扩散源,采用闭管扩散方式,在550℃下对650nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验。实验发现,随着扩散时间从20～120min,样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加,峰值波长蓝移53nm;当扩散时间超过60min后,样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰,同时还出现了红移峰,峰值波长红移32nm。分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂;红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga0.51In0.49P缓冲层的影响。还研究了扩散温度(550℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响,并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂中的Al-Ga的互扩散系数。
- 林涛郑凯马骁宇
- 关键词：光学材料半导体激光器量子阱混杂蓝移ALGAINP
- 大功率650nm量子阱半导体激光器及其制作方法
- 一种大功率650nm量子阱半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：(1)激光器一次外延：在衬底上依次外延生长缓冲层、N型包层、有源区、第一P型包层、腐蚀阻挡层、第一P型包层和GaAs保护层；(2)制作脊形波导：在GaAs保...
- 史慧玲郑凯
- 文献传递
- 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构
- 本发明一种降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，包括：一衬底；一N型限制层，该N型限制层制作在衬底上；一N型波导层，该N型波导层制作在N型限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在N型波导层上；一P型波导层，该P型波导层...
- 祁琼熊聪王俊郑凯刘素平马骁宇
- 文献传递
- 带非吸收窗口的大功率657nm半导体激光器被引量：5
- 2009年
- 在激光器腔面处制作非吸收窗口（NAW）可以有效地减少光吸收，防止激光器过早出现光学灾变损伤（COD），是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术二次外延生长了大功率657nm红光半导体激光器结构，通过闭管扩散Zn的方法在腔面附近制作了非吸收窗口。实验发现扩散温度550℃，扩散时间20min时，得到的非吸收窗口最为有效，激光器连续工作的无扭折输出功率大于100mW，超过常规的无窗口结构激光器的最大输出功率的两倍，激光器的斜率效率提高了23％。测量该类器件的温度特性发现，环境温度为20～70℃时，其输出功率均可大于50mW，计算得到激光器的特征温度约为89K，波长增加率约为0.24nm／℃。
- 林涛段玉鹏郑凯崇峰马骁宇
- 关键词：激光器半导体激光器量子阱混杂
- 寄生参数对半导体激光器直接调制特性的影响被引量：4
- 2011年
- 通过理论推导和模拟计算,给出激光器调制带宽和其它参数之间的关系。分析了不同张驰振荡频率、衰减系数和寄生参数下的调制特性。结果表明当寄生参数过大时,激光器的3 dB调制带宽主要受寄生参数限制,因而只能在解决了寄生参数限制的前提下,通过对器件的有源区和结构进行优化才能获取高的3 dB调制带宽。对于制作的聚酰亚胺埋沟掩埋激光器和AlGaInAs脊型波导激光器其最大3 dB调制带宽分别为5 GHz和8.5 GHz,定性地解释了两类半导体激光器调制特性的测试结果。
- 林涛林楠马新尖郑凯马晓宇
- 关键词：半导体激光器调制特性寄生参数
- MOCVD技术简述以及一种生长ZnO、ZnS薄膜用的小型MOCVD设备的研制
- 本文对LPE、VPE、MBE、MOCVD技术的特点、局限性进行了一定比较;简要论述了MOCVD的反应动力学原理以及反应过程;讲述了制作一台完备的MOCVD设备所需各组成部件的要求、特点、结构.同时介绍了一种适用于ZnO、...
- 郑凯马骁宇张迎春安琪
- 关键词：金属有机化学气相淀积反应动力学硫化锌薄膜MOCVD设备
- 文献传递
- 实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制
- 2006年
- 报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器.外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长,有源区为5个周期的InGaAs量子阱层和InGaAsP垒层.器件采用pnpn结限制掩埋结构,有源区脊宽2μm、腔长300μm.室温下腔面镀膜后激光器管芯的阈值电流为18±5mA,8mW输出功率时的工作电流为60±5mA.采用TO封装后,100mA工作电流下激光器的输出功率大于5mW,输出波长为1732±10nm,高温恒流加速老化筛选实验表明,器件具有长期工作的可靠性,满足实用化要求.
- 林涛郑凯王翠鸾王俊王勇刚仲莉冯小明马骁宇
- 关键词：金属有机物化学气相沉积半导体激光器磷化铟
