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郭丽丽

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇电路
  • 2篇电感
  • 2篇电容
  • 2篇片上电感
  • 2篇屏蔽层
  • 2篇集成电路
  • 2篇衬底
  • 1篇电路设计
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇共源共栅
  • 1篇放大器

机构

  • 3篇杭州电子科技...

作者

  • 3篇孙玲玲
  • 3篇郭丽丽
  • 3篇文进才
  • 3篇苏国东
  • 1篇戴大杰

传媒

  • 1篇2012全国...

年份

  • 3篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种多个衬底屏蔽层的集成电路片上电感结构
本发明涉及一种多个衬底屏蔽层的集成电路片上电感结构。本发明包括片上电感，在片上电感的正下方设置有多层衬底屏蔽层；所述的衬底屏蔽层由矩形金属条和多根形状相同的金属栅条组成，所述的金属栅条与矩形金属条垂直设置，金属栅条之间等...
孙玲玲文进才苏国东郭丽丽
文献传递
多个衬底屏蔽层的集成电路片上电感结构
本实用新型涉及一种多个衬底屏蔽层的集成电路片上电感结构。本实用新型包括片上电感，在片上电感的正下方设置有多层衬底屏蔽层；所述的衬底屏蔽层由矩形金属条和多根形状相同的金属栅条组成，所述的金属栅条与矩形金属条垂直设置，金属栅...
孙玲玲文进才苏国东郭丽丽
文献传递
24GHz单端功率放大电路设计
该文基于IBM 90nm工艺,采用自偏置共源共栅结构设计了中心频率为24GHz的宽带功率放大器.自偏置技术可以消除氧化层击穿电压的影响和热载流子退化,从而对功率放大器工作效率提高有一定帮助.本设计达到功率增益S21在20...
郭丽丽孙玲玲文进才苏国东戴大杰
关键词：功率放大器共源共栅
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共1页<1>
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