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郭岳

作品数：20 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信政治法律更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇政治法律

主题

  • 16篇锗
  • 8篇电路
  • 8篇集成电路
  • 8篇超大规模集成
  • 8篇超大规模集成...
  • 8篇大规模集成电...
  • 7篇衬底
  • 6篇势垒
  • 6篇界面态
  • 5篇半导体
  • 4篇电流开关
  • 4篇退火
  • 4篇迁移率
  • 4篇NMOS器件
  • 4篇衬底材料
  • 3篇淀积
  • 3篇钝化
  • 3篇迁移
  • 3篇化物
  • 3篇氟化

机构

  • 20篇北京大学

作者

  • 20篇郭岳
  • 18篇安霞
  • 18篇黄如
  • 18篇张兴
  • 9篇李志强
  • 5篇云全新
  • 4篇林猛
  • 2篇王润声
  • 2篇黄英龙
  • 2篇杜菲
  • 1篇刘朋强
  • 1篇黎明

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 8篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2006
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法
本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先以半导体锗衬底为基片，对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物以及去除基片表面的自然氧化层；对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合...
安霞黄如林猛郭岳李志强张兴
文献传递
一种半导体锗基衬底材料及其制备方法
本发明提供一种半导体锗基衬底材料及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明在半导体基片上形成一多孔层，在多孔层上设置半导体锗片，形成多孔层上半导体锗基衬底材料。本发明利用多孔层的低介电常数，在多孔层上形成半导...
黄如郭岳安霞杜菲张兴
文献传递
半导体器件及其制造方法
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中所述制造方法包括：提供锗基半导体衬底，所述锗基半导体衬底具有多个有源区以及多个有源区之间的器件隔离区，所述有源区上具有栅极介质层和栅极介质层之上的栅极，所述有源区包括源漏扩展区和...
安霞郭岳云全新黄如张兴
文献传递
一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法
本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先以半导体锗衬底为基片，对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物以及去除基片表面的自然氧化层；对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合...
安霞黄如林猛郭岳李志强张兴
锗基MOS器件关键工艺技术研究
器件尺寸追随摩尔定律不断缩小到纳米尺度时，硅基CMOS器件的性能提升将受到来自物理和工艺的双重限制。锗材料以其更高、更加对称的载流子迁移率成为新沟道材料很有希望的一个发展方向。而锗基器件源漏所面临的挑战是影响锗基器件性能...
郭岳
关键词：表面处理载流子迁移率
一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入M...
李志强郭岳安霞云全新黄英龙黄如张兴
在线争议解决方式ODR研究
在线争议解决方式(Online Dispute Resolution，ODR)在全球经济一体化和电子商务的浪潮中应运而生。经过十余年的发展，它不仅已成为涉网争议的有效解决方式，而且应用范围已经扩展到线下争议领域，成为行政...
郭岳
关键词：仲裁法法律冲突法制建设
一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入M...
李志强郭岳安霞云全新黄英龙黄如张兴
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一种锗基肖特基晶体管的制备方法
本发明公开了一种锗基肖特基晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。该方法包括：首先在锗基衬底上制作MOS晶体管结构；淀积一金属薄膜；然后进行第一次热处理，快速热退火使金属薄膜层与位于其下方的锗...
郭岳安霞黄如张兴
文献传递
一种锗基NMOS器件及其制备方法
本发明提供一种锗基NMOS器件结构及其制备方法。该方法在源、漏区与衬底之间淀积了二氧化锗(GeO<Sub>2</Sub>)和金属氧化物双层介质材料。本发明不但降低了锗基肖特基NMOS源漏处电子的势垒高度，改善了锗基肖特基...
黄如李志强安霞郭岳张兴
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