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钟世昌

作品数：56 被引量：94H指数：6
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家部委资助项目更多>>
相关领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇期刊文章
  • 22篇会议论文

领域

  • 56篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 25篇GAN
  • 24篇内匹配
  • 22篇放大器
  • 20篇功率放大
  • 18篇功率放大器
  • 16篇晶体管
  • 15篇氮化镓
  • 15篇电子迁移率
  • 15篇迁移率
  • 14篇高电子迁移率
  • 14篇高电子迁移率...
  • 12篇宽带
  • 12篇S波段
  • 11篇放大器设计
  • 9篇功率
  • 9篇功率放大器设...
  • 8篇功率管
  • 7篇ALGAN/...
  • 7篇L波段
  • 6篇ALGAN/...

机构

  • 55篇南京电子器件...
  • 2篇东南大学
  • 2篇西南电子设备...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国航天

作者

  • 56篇钟世昌
  • 19篇陈堂胜
  • 14篇任春江
  • 13篇陈辰
  • 9篇焦刚
  • 5篇李忠辉
  • 5篇薛舫时
  • 4篇徐永刚
  • 4篇王帅
  • 3篇唐世军
  • 3篇董逊
  • 3篇孔月婵
  • 3篇张斌
  • 3篇高涛
  • 2篇孙春妹
  • 2篇李拂晓
  • 2篇王泉慧
  • 2篇刘海琪
  • 2篇林罡
  • 2篇王雯

传媒

  • 16篇固体电子学研...
  • 3篇电子与封装
  • 2篇Journa...
  • 2篇电子学报
  • 2篇电子器件
  • 1篇无线电工程
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇电子技术（上...
  • 1篇空间电子技术
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇现代制造技术...
  • 1篇航天器环境工...
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇2010年全...
  • 1篇第六届全国毫...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇全国第十二届...
  • 1篇2012全国...
  • 1篇2017年全...

年份

  • 1篇2024
  • 7篇2023
  • 1篇2022
  • 6篇2021
  • 5篇2020
  • 5篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 6篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
共 56 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ku波段20W GaAs功率PHEMT
2006年
报道了采用介质辅助T型栅工艺研制的GaAs功率PHEMT．在该T型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进行控制，实现了较好的工艺可控性和较高的工艺成品率．采用该工艺制作了总栅宽为19．2mm的功率PHEMT．用两枚这种芯片合成并研制的Ku波段内匹配功率管在14．0～14．5GHz频带内，输出功率大于20W，功率增益大于6dB，典型功率附加效率为31％．
钟世昌陈堂胜
关键词：T型栅GAASPHEMT内匹配
高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT
利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异...
任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜
关键词：高电子迁移率晶体管电流崩塌
文献传递
高功率GaN微波功率放大模块及其应用
采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增...
唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块
文献传递
1 mm栅宽X波段10 W AlGaN/GaN微波功率HEMT
本文介绍了在X波段输出功率为10 W的AlGaN/GaN微波功率HEMT.该器件采用MOCVD技术在SiC衬底上生长AlGaN/GaN异质结,器件研制中采用了凹槽栅和场调制板结构.凹槽栅使得器件的跨导由216 mS/mm...
陈堂胜焦刚钟世昌任春江陈辰李拂晓
关键词：宽禁带半导体高电子迁移率晶体管场板结构
文献传递
0.3～2.0 GHz 100 W GaN超宽带功率放大器被引量：7
2018年
基于南京电子器件研究所0.25μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款0.3~2.0GHz 100 W GaN超宽带功率放大器。GaN HEMT器件的射频参数由负载牵引系统测定,包括最大功率匹配阻抗和最大效率匹配阻抗。放大器用同轴巴伦结构实现超宽带匹配,用高介电常数介质板材制作匹配电路,实现放大器的小型化。放大器偏置电压28V,偏置电流0.5A。测试结果显示,在0.3~2GHz带宽内,放大器小信号增益平坦度小于±1.3dB。典型输出功率大于100 W,最小输出功率90 W,饱和功率增益大于9dB,功率平坦度小于±1.2dB,漏极效率大于50%。
徐永刚杨兴钟世昌
L波段GaN高效率宽带放大器设计
基于南京电子器件研究所0.35μm GaN HEMT工艺平台,采用低通滤波电路,设计了一款L波段高效率功率放大器,管壳的外部尺寸为17.4mm×24mm。测试结果表明,在输入连续波信号31dBm和28V漏极工作电压下,带...
杨阳钟世昌
关键词：宽带放大器
文献传递
一种大功率GaN HEMT内匹配宽带功率放大器设计
基于南京电子设备研究所的0.5μm GaN HEMT工艺平台,介绍了2.0-5.0 GHz频段的内匹配宽带功率放大器的设计。通过分析GaN器件的优点以及宽带匹配电路的设计,根据Load-Pull测试数据,采用ADS软件进...
梁宸玮钟世昌杨阳
关键词：内匹配宽带放大器大功率
文献传递
GaN HEMT器件^(60)Co-γ辐照效应研究
2023年
研究了总剂量4 Mrad(Si)^(60)Co-γ辐照对AlGaN/GaN HEMT器件的影响,器件在辐照过程中采用不同的加电方式。辐照过程会增加器件的栅泄漏电流,但辐照终止后电流快速恢复至初始状态。对比辐照前后的直流性能,器件的肖特基势垒高度、阈值电压、漏电流、跨导等未出现退化问题。实验结果表明,基于自主开发的GaN标准工艺平台所制备AlGaN/GaN HEMT器件,具有稳定可靠的^(60)Co-γ抗辐照能力。
邵国键赵玉峰王金周书同陈韬景少红钟世昌
关键词：辐照效应总剂量辐照肖特基势垒阈值电压跨导
1～4GHz 80W GaN超宽带功率放大器被引量：5
2019年
基于南京电子器件研究所0.25μmGaNHEMT工艺平台,设计了一款工作频率为1~4GHz,连续波输出功率大于80W的超宽带功率放大器.放大器采用低通L-C匹配网络实现管芯输入输出阻抗到实阻抗的变换;并利用切比雪夫变换器结构实现超宽带匹配;以单路输入输出端口匹配到100Ω后,两路直接电路合成到50Ω的方法实现了大功率超宽带功放的功率合成.放大器偏置电压32V,静态电流0.4A.测试结果显示,在1~4GHz带宽内,放大器连续波输出功率大于49.05dBm(80.3W),最高输出功率为50.6dBm(114.8W),饱和功率增益大于9dB,功率平坦度小于±0.8dB,最大漏极效率为62.5%.
杨文琪钟世昌李宇超
关键词：超宽带GAN内匹配
L波段宽带功率放大器设计
利用负载牵引技术,设计宽带匹配电路,实现了一款GaN功率器件。采用南京电子器件研究所研制的栅宽16mm GaN功率管芯,通过内匹配电路将输入、输出阻抗匹配至50Ω。最终研制的放大器在漏压28V,连续波工作时,频带内输出功...
李宇超杨旭钟世昌张茗川Yang wenqi
关键词：宽带GAN功率放大器
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