钟伟明
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金武汉市科技供需对接计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- FBAR传感器信号处理电路的设计
- 介绍ALN薄膜体声波(FBAR)传感器的原理以及信号处理电路的原理,着重设计了传感器的频率检测电路.频率检测电路采用VHDL语言对各个电路子模块编写相应的代码,并利用quartus9.0完成了仿真.仿真结果相对精度达到1...
- 秦杰熊娟钟伟明顾豪爽
- 关键词：FBAR信号处理频率检测VHDL
- 掺Ni的AlN薄膜稀磁半导体的制备及磁性研究被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射的方法制备掺Ni的AlN薄膜Al1-xNixN(x=0.021、0.047、0.064、0.082),薄膜样品沿AlN(100)晶向生长.利用振动样品磁强计研究其磁性能,发现样品在室温下均具有铁磁性,随Ni掺杂量的增加,饱和磁矩先减小后增大,最大矫顽力达104Oe.结合X线光电子能谱分析,推断掺杂Ni原子进入AlN晶格取代了Al的位置,样品的铁磁性可以用Ni与相邻N原子之间的p-d杂化机制来解释.
- 钟伟明秦杰熊娟顾豪爽
- 关键词：稀磁半导体射频磁控溅射室温铁磁性
- AIN基稀磁半导体薄膜的制备及磁性研究
- 熊娟钟伟明郭飞顾豪爽
- 文献传递
- 基于Mo/SiO_2布拉格声反射器的体声波谐振器的制备及其性能分析
- 2012年
- 采用射频反应磁控溅射法在p型(100)单晶硅衬底上交替沉积Mo/SiO2薄膜作为布拉格声学反射层,通过原子力显微镜(AFM)及扫描电子显微镜(SEM)分别表征声反射层薄膜的表面和截面形貌,研究溅射工艺条件对SiO2薄膜微观形貌的影响.采用MEMS工艺流程制备基于c轴择优取向AlN压电薄膜的SMR型谐振器.并对谐振器的S11参数进行测试分析,得到谐振器的中心频率为1.7GHz,表明实验所制备的SMR型谐振器在质量传感方面具有一定的应用前景.
- 谢红熊娟杜鹏飞钟伟明秦杰顾豪爽
- 关键词：ALN薄膜
- c轴倾斜压电薄膜体声波谐振器的研制与分析
- 压电薄膜体声波传感器因其具有灵敏度高、尺寸小、易于集成等优点代表了未来传感器的发展方向。体声波传感器用于液体检测时，以厚度剪切模式振动的压电振子将减少声波能量在液体介质中的损耗，有利于提高传感器的灵敏度及品质因数。本文采...
- 顾豪爽熊娟杜鹏飞谢红钟伟明
