钟振扬
- 作品数：28 被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：重大基础研究前期研究专项国家软科学研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 图形化硅衬底的制备与表征
- 体量子点一直是半导体材料与器件的研究热点之一,而图形化硅衬底的制备有助于形成有序的半导体量子点.基于纳米级的均匀的聚苯乙烯小球,我们采用LB(Langmuir-Blodgett)法,利用聚苯乙烯小球的自有序的特点,在硅衬...
- 雷卉周通钟振扬
- 三维SiGe量子点晶体的生长与光荧光特性
- 点晶体的概念是类比于原子晶体而得到的.即,将每个量子点看成一个“人工原子”,将由量子限制效应而产生的量子点局域化分立能级类比于原子能级,当量子点系综空间三维排列有序、量子点彼此近邻耦合、量子点尺寸高度均匀这三个条件被同时...
- 马英杰钟振扬杨新菊樊永良蒋最敏
- 关键词：SIGE分子束外延荧光谱
- 线图案衬底上Ge/Si量子岛的性质研究
- ＜正＞由于量子岛在未来的光电子器件中的潜在应用,Ge/Si 量子岛吸引了很多的研究工作.现在, 对于生长在 Si（001）衬底上的自组织 Ge 量子岛的形貌演变人们己经有了比较完善的认识.并且近十年来,一些研究小组已经利...
- 章斌陈培炫曹世海林健晖钟振扬蒋最敏
- 文献传递
- 退火效应对自组织多层锗量子点光致发光的影响
- 比较研究退火效应对多层锗量子点光致发光(PL)的影响,我们利用固源分子束外延设备在550 ℃的生长温度下,在Si(001) 衬底上生长出11层锗量子点样品,并分别在600、650、700和750 ℃对原生长样品在form...
- 吕泉马英杰叶枫枫杨新菊钟振扬蒋最敏
- 关键词：退火效应光致发光拉曼光谱
- 三维GeSi量子点晶体及单双GeSi量子点的可控生长
- 在量子点领域近些年的研究工作中，研究人员们主要关心两个方面的问题。一是由多个近邻耦合量子点所组成的量子点系综的物理性质，并探索基于这些耦合量子点系综的可能器件应用。二是单个量子点的光学、电学特性及其可能的器件应用。除以上...
- 马英杰钟振扬夏劲松蒋最敏
- 关键词：低维纳米结构晶体生长
- 文献传递
- 锗催化生长的氧化硅纳米线及其制备方法
- 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种利用锗作为催化剂生长的氧化硅纳米线及其制备方法。采用本发明生长的氧化硅纳米线呈非晶态，其直径为20～30nm左右，长度达到数十微米。与以往报道的生长氧化硅纳米线不同，由于在生长过程中...
- 蒋最敏聂天晓樊永良钟振扬杨新菊张翔九
- 文献传递
- Si1-xGex虚拟衬底上生长Mn0.05Ge0.95量子点的磁性研究
- 王利明刘桃林冬冬樊永良钟振扬蒋最敏
- 斜切衬底上锗硅纳米线的可控外延生长
- 周通王泽钟振扬
- 关键词：锗硅纳米线
- 锗催化生长的氧化硅纳米线及其制备方法
- 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种利用锗作为催化剂生长的氧化硅纳米线及其制备方法。采用本发明生长的氧化硅纳米线呈非晶态，其直径为20～30nm左右，长度达到数十微米。与以往报道的生长氧化硅纳米线不同，由于在生长过程中...
- 蒋最敏聂天晓樊永良钟振扬杨新菊张翔九
- Ge在Si(001)面纳米圆柱上的表面扩散研究
- 蒋主文莫德林胡小锋周通樊永良钟振扬蒋最敏
