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钟文武

作品数:6 被引量:12H指数:2
供职机构:佳木斯大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:黑龙江省普通高等学校青年学术骨干支持计划黑龙江省教育厅科学技术研究项目黑龙江省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇陶瓷
  • 5篇泡沫陶瓷
  • 4篇聚硅氧烷
  • 4篇硅氧烷
  • 3篇先驱体
  • 3篇聚硅氮烷
  • 3篇硅氮烷
  • 2篇转化法
  • 2篇先驱体转化
  • 2篇先驱体转化法
  • 2篇纳米
  • 2篇SIOC
  • 1篇压强度
  • 1篇造孔剂
  • 1篇陶瓷先驱体
  • 1篇羟甲基
  • 1篇无压烧结
  • 1篇纤维素制备
  • 1篇裂解
  • 1篇裂解温度

机构

  • 6篇佳木斯大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 6篇钟文武
  • 5篇刘洪丽
  • 1篇吴明忠
  • 1篇高晶
  • 1篇李洪波
  • 1篇吕迎
  • 1篇田春英
  • 1篇宋春梅
  • 1篇郑智敏

传媒

  • 2篇铸造技术
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇佳木斯大学学...
  • 1篇热处理技术与...

年份

  • 4篇2008
  • 2篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
采用新型聚硅氮烷连接无压烧结SiC陶瓷被引量:1
2008年
采用新型陶瓷先驱体聚合物-含乙烯基聚硅氮烷(PSZ)连接无压烧结SiC陶瓷。研究了PSZ的裂解过程以及连接温度、浸渍/裂解增强处理、惰性填料对连接强度的影响,并对连接区域微观结构进行了分析。结果表明,在1200~1400℃温度范围内,PSZ的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。随着连接温度的升高,连接强度先升高后降低;浸渍/裂解增强处理可较大幅度提高接头强度;另外加入适量的纳米SiC填料可有效提高连接强度。当连接温度为1300℃,纳米SiC填料(质量分数)为5%时,经三次增强处理的连接件接头剪切强度达33.5MPa。微观结构分析显示,连接层厚度约为3~4μm,连接层与母材之间界面接合良好。
刘洪丽田春英钟文武李洪波
关键词:聚硅氮烷
纳米SiC填料对SiOC泡沫陶瓷性能的影响被引量:1
2008年
以聚硅氧烷为先驱体,采用先驱体转化法及有机泡沫浸渍法相结合制备了SiOC泡沫陶瓷。研究了纳米SiC填料含量对SiOC泡沫陶瓷的抗压强度、孔隙率的影响,并对泡沫陶瓷的微观形貌进行了分析。结果表明:随着纳米SiC填料含量的增加,Si0C泡沫陶瓷抗压强度先升高后降低;在相同的裂解温度下,添加纳米SiC填料可提高泡沫陶瓷的孔隙率。当SiC填料含量达5%时泡沫陶瓷抗压强度达最大值17.8MPa,其孔隙率为88%。微观结构分析显示,SiOC泡沫陶瓷呈三维网状结构,孔径为100~500μm,具有良好的贯通性,且孔筋处结构较为均匀致密。
刘洪丽钟文武高晶吕迎
关键词:泡沫陶瓷纳米SIC聚硅氧烷
裂解温度对聚硅氧烷制备SiOC泡沫陶瓷性能的影响被引量:2
2007年
采用陶瓷先驱体聚硅氧烷为原料,利用先驱体转化法与有机泡沫浸渍法相结合制备SiOC泡沫陶瓷.研究了聚硅氧烷的裂解温度对泡沫陶瓷抗压强度的影响,采用XRD,SEM及EDS对SiOC泡沫陶瓷进行了物相、微观结构及成份分析.结果表明,当裂解温度为1250℃时所获泡沫陶瓷的抗压强度最高,达10.8 MPa.微观结构分析显示,SiOC泡沫陶瓷呈三维网状结构,具有良好的贯通性,气孔率达到80%.
刘洪丽钟文武吴明忠
关键词:泡沫陶瓷聚硅氧烷先驱体转化法
用聚硅氧烷和羟甲基纤维素制备泡沫陶瓷被引量:1
2008年
选用聚硅氧烷为主要原料,用羟甲基纤维素为造孔剂,制备了SiOC泡沫陶瓷。研究了造孔剂含量、成型压力、裂解温度对泡沫陶瓷抗压强度及孔隙率的影响,并对泡沫陶瓷的微观形貌进行了分析。结果表明,随着造孔剂含量的增加,泡沫陶瓷的孔隙率随之增大,而抗压强度则随之降低;在40MPa^120MPa的成型压力范围内,随着成型压力的增加,泡沫陶瓷的孔隙率逐渐降低,而抗压强度不断增加;在1000~1400℃温度范围内,随着裂解温度的升高,泡沫陶瓷的抗压强度先增加后降低,而孔隙率不断降低;当羟甲基纤维素的含量为50%、成型压力为80MPa、裂解温度为1250℃时,所制备的泡沫陶瓷的抗压强度为43MPa,孔隙率为51%。微观结构分析显示,SiOC泡沫陶瓷微孔分布均匀,以三维交错的网状孔道相互贯穿。
刘洪丽钟文武
关键词:泡沫陶瓷聚硅氧烷造孔剂抗压强度
采用陶瓷先驱体及纳米填料制备泡沫陶瓷材料研究
以聚硅氧烷(PSO)、聚硅氮烷(PSZ)陶瓷先驱体为原料,利用有机泡沫浸渍工艺和添加造孔剂工艺制备了SiOC、SiCN泡沫陶瓷。研究了先驱体溶液浓度、裂解温度、保温时间、浸渍/裂解增强处理次数、造孔剂含量、成型压力、添加...
钟文武
关键词:聚硅氧烷聚硅氮烷陶瓷先驱体泡沫陶瓷
文献传递
采用聚硅氮烷制备SiCN泡沫陶瓷被引量:9
2007年
采用含乙烯基聚硅氮烷为原料,利用先驱体转化法与有机泡沫浸渍法相结合制备SiCN泡沫陶瓷。通过聚氨酯泡沫及聚硅氮烷的热分析制定温度曲线,研究了裂解温度、浸渍/裂解增强处理次数等工艺参数对泡沫陶瓷抗压强度的影响,采用XRD、SEM及EDS对SiCN泡沫陶瓷进行了物相、微观结构及成分分析。结果表明,在1000-1400℃温度范围内,随着温度的升高,泡沫陶瓷的抗压强度先升高后降低,增强处理对提高抗压强度有明显效果,当裂解温度为1300℃,经二次增强处理后,试样的抗压强度达11.5MPa。XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构分析显示,SiCN泡沫陶瓷呈三维网状结构,具有良好的贯通性,开孔气孔率达到85%。
刘洪丽钟文武宋春梅郑智敏
关键词:泡沫陶瓷聚硅氮烷先驱体转化法
共1页<1>
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