陈军宁
- 作品数：378 被引量：556H指数：11
- 供职机构：安徽大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- 一种应用于静态随机存储器的锁存型流水结构高速地址译码器
- 本实用新型公开了一种应用于静态随机存储器的锁存型流水结构高速地址译码器，能够消除预译码模块造成的译码时间损耗，同时其第二级译码模块采用本实用新型中提出的受时钟控制的新型译码电路结构能够有效的提高第二级译码模块的译码速度，...
- 张景波吴秀龙关立军徐晨杰蔺智挺彭春雨陈军宁
- 文献传递
- Linux2.6内核设备模型分析被引量：11
- 2007年
- Linux2.6内核提供了统一的内核设备模型,能够更好地支持智能电源管理、热拔插和pnp,具有优良的适应性。基于Linux2.6.10内核源代码,介绍了2.6内核中的设备模型,详细分析了构成设备模型的主要数据结构和组件,重点分析了内核对象机制的基本原理以及构建在内核对象机制上的设备模型组件。
- 李正平徐超陈军宁代广珍
- 关键词：LINUX
- n阱LDMOS伏安特性线性区的分析被引量：2
- 2005年
- 对小电压下的LDMOS伏安特性线性区进行了分析。为了避免求解复杂的偏微分方程并且得到解析的结果,这里采用了将场区等效为积累层电阻、扩展电阻、体电阻和漏极分布电阻的串联等效电路。根据LDMOS的结构特点分别给出了各个电阻的具体计算方法。最后给出了精确的LDMOS导通电阻表达式。
- 高珊孟坚陈军宁丁浩
- 关键词：LDMOS伏安特性导通电阻等效电路偏微分方程
- 一种用于提高内存内计算线性度和一致性的电路
- 本发明公开了一种用于提高内存内计算线性度和一致性的电路，包括具有双字线的6T SRAM存储阵列、字线控制模块、模式选择模块、时序控制模块、预充模块、电流镜模块、开关模块和缓冲器模块，6T SRAM存储阵列分别与所述预充模...
- 蔺智挺曹旭龙占红兰陈中伟钮建超吴秀龙赵强彭春雨卢文娟黎轩陈军宁
- 文献传递
- 基于参数共振微扰法的直流电机混沌运动控制被引量：2
- 2012年
- 针对直流电机在某些参数和控制方式下会出现混沌与分岔运动,导致电机系统的损耗增加和运行的无规现象,通过建立精确状态方程模型和离散迭代非线性映射,对永磁同步电机(PMSM)的混沌现象进行了分析,并且采用参数共振微扰法对其进行了控制;选择了一个对直流电机系统影响较大、且易于改变的参数转速,再加入一个微小的正弦扰动信号,实现了系统的混沌控制。理论分析和数值仿真结果表明:建立精确状态方程模型和离散迭代非线性映射这两种方法下分析的电机系统在混沌状态下的分叉情况基本一致,且通过对电机中参数转速以特定的频率进行扰动,可以将系统稳定在某一周期轨道上;同时适当的参数扰动能减弱甚至消除系统中的混沌运动。
- 占萌萌周宇飞陈军宁
- 关键词：直流电机混沌控制
- DC-DC变换器中负载阻抗特性及其对稳定性的影响被引量：11
- 2010年
- 作为开关电源的核心部分,DC-DC变换器在实际应用中可能带有电感性的阻抗负载,这将对系统的稳定性产生影响。基于稳定设计的考虑,考察变换器对阻抗负载中寄生电感分量的容忍度,得到对应电路稳定的电感分量阈值,并对电路负载的阻抗效应进行综合分析。建立包含负载电感分量在内的变换器高维模型,并构造电路的离散迭代映射,通过计算平衡点附近的特征根,来分析当寄生电感分量变化时系统状态的演化过程及对电路稳定性的影响。相关的电路精确仿真、理论分析和电路实验均证明,阻抗负载存在一个对应系统不稳定的电感分量区间,而电路参数将对该区间的范围存在一定的影响。
- 周宇飞姜丹丹黄家成陈军宁
- 关键词：DC-DC变换器稳定性
- 视频杂波的特点及测量方法
- 2006年
- 叙述了视频杂波的特点及对重现图像的影响,分析了在视频杂波测量中,如何限制被测杂波的频带,以及视频杂波功率谱的分布对图像的影响和人眼主观视觉特性,并引入视频杂波加权的概念。介绍了各种杂波的测量方法,重点叙述两种视频随机杂波的测量方法和应用范围。
- 翟葵陈军宁
- 关键词：视频杂波信杂比
- 一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统
- 一种基于BIST控制的可编程SRAM时序控制系统，包括BIST模块、控制单元以及含有可编程时序控制模块的SRAM模块，其特征是：可编程时序控制模块设有可编程读、写时序控制电路、字线WLL负载复制单元以及读、写位线负载复制...
- 柏娜吴秀龙谭守标李正平孟坚陈军宁徐超洪琪周燕
- 文献传递
- 一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路
- 本实用新型公开了一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路，其利用TFET相比于MOSFET具有更小的亚阈值摆幅和更高的开关比等特性，不仅解决了传统MOSFET SRAM单元结构的静态功耗大的问题，在...
- 卢文娟董兰志彭春雨吴秀龙蔺智挺陈军宁
- 文献传递
- 一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路
- 本实用新型公开了一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路，该电路包括：四个PMOS管P1～P4和八个NMOS管N1～N8；其中，NMOS管N1和PMOS管P1组成一个反相器A1，该反相器A1输入端接字线...
- 李正平闫锦龙卢文娟陶有武彭春雨谭守标陈军宁周永亮
- 文献传递
