陈同来
- 作品数：17 被引量：24H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划上海市科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用
- 本发明涉及一种新型存储器用硅基全外延多层薄膜、方法及应用。本发明的目的是通过在硅衬底上依次外延生长TiN，MgO或SrTiO<Sub>3</Sub>作为结构调节层，贵金属和导电氧化物为电极导电层，掺杂稀土锰氧化物为电阻转...
- 于伟东李效民陈同来吴峰
- 文献传递
- 基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用
- 本发明涉及一种新型存储器用硅基全外延多层薄膜、方法及应用。本发明的目的是通过在硅衬底上依次外延生长TiN，MgO或SrTiO<Sub>3</Sub>作为结构调节层，贵金属和导电氧化物为电极导电层，掺杂稀土锰氧化物为电阻转...
- 于伟东李效民陈同来吴峰
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- Zn_(1-x)Mg_xO薄膜p型导电和光学性能被引量：10
- 2006年
- 采用超声喷雾热分解(U ltrason ic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶S i(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD)、场发射-扫描电镜(FE-SEM)、霍尔效应(Hall-effect)、光致发光(Photolum inescence,PL)谱等手段研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性能、光学性能和带隙变化。电学测试结果表明,未掺杂ZnO及Zn0.81Mg0.19O薄膜为n型导电;而N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜呈p型导电。Zn0.81Mg0.19O和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O(p型)薄膜在维持ZnO纤锌矿结构的前提下,光学带隙随Mg掺杂量增加而增大。初步结果显示,优化工艺参数下通过Mg掺杂制备光学带隙可调的p型Zn0.81Mg0.19O薄膜,对于试制Zn1-xMgxO基同质p-n结、短波长(紫外、深紫外)器件等方面有重要意义。
- 张霞李效民陈同来于伟东高相东张灿云赵俊亮
- 关键词：导电性能光致发光
- Si(100)衬底上PLD法制备高取向度AlN薄膜被引量：8
- 2005年
- 采用脉冲激光沉积法(PLD),以KrF准分子为脉冲激光源,Si(100)为衬底,同时引 入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N,制备了结晶质量优异的A1N薄膜,X射线衍射(XRD)及反射 式高能电子衍射(RHEED)分析表明A1N薄膜呈(001)取向、二维层状生长.研究发现,薄膜 的生长模式依赖于缓冲层种类,直接在Si衬底上或MgO／Si衬底上的A1N薄膜呈三维岛状生 长;而同时引入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N时,A1N薄膜呈二维层状生长.此外,激光能量密 度大小对A1N薄膜的结晶性有显著的影响,激光能量密度过大,薄膜表面粗糙,有颗粒状沉积 物生成.在氮气气氛中沉积,能使薄膜的取向由(001)改变为(100).
- 张霞陈同来李效民
- 关键词：脉冲激光沉积ALN薄膜缓冲层
- Mg含量对Zn1-xMgxO薄膜结构及透光性的影响
- 采用超声喷雾热解法,在Si(100)和石英玻璃衬底上,生长出没有相偏析、结晶质量好、不同组分比的Zn1-xMgxO薄膜(x=0.06,0.12,0.19,0.24,0.27).采用X射线衍射(XRD)、透过率(Trans...
- 张霞李效民陈同来于伟东
- 关键词：透光性吸收边蓝移
- 文献传递
- Mg含量对Zn1-xMgxO薄膜结构及透光性的影响
- 采用超声喷雾热解法,在Si（100）和石英玻璃衬底上,生长出没有相偏析、结晶质量好、不同组分比的Zn1-xMgxO薄膜（x=0.06,0.12,0.19,0.24,0.27）。采用X射线衍射（XRD）、透过率（Trans...
- 张霞李效民陈同来于伟东
- 关键词：透光性吸收边蓝移
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- ZnO纳米线的催化合成及其光致发光性能
- 2004年
- 采用气相传输法,以金膜为催化剂,氧化锌和石墨混合粉末为锌源,制备氧化锌纳米材料。研究获得氧化锌纳米线的光致发光性能。初步探索了氧化锌纳米线的生长机理。实验结果表明,当衬底温度为600℃时,金颗粒的催化性能得到了较好的发挥,形成长度大于10μm,直径小于80 nm的均匀致密的氧化锌纳米线膜。这种氧化锌纳米线具有紫外发光特性。低于600℃时,锌氧蒸汽发生了自凝结,进而在金颗粒间隙形成氧化锌带(400℃时),或在金颗粒上吸附聚集形成花状氧化锌纳米棒(200℃时)。而在高于600℃时,金颗粒析出的锌迅速挥发或氧化、长大,出现了稀疏的针状氧化锌和颗粒。氧化锌纳米线可能的生长模式为"底端生长"模式。
- 于伟东李效民高相东边继明陈同来
- 关键词：ZNO纳米线衬底温度光致发光
- 硅基集成（Ba，Sr）TiO<,3>功能薄膜及多层薄膜结晶与生长研究
- 本论文首先研究了单晶硅衬底上高质量MgO过渡层薄膜的结晶与生长过程及其控制方法，以期达到用硅衬底+MgO过渡层薄膜取代难以实际应用的MgO单晶衬底材料。再在硅衬底+MgO过渡层薄膜(或+外延电极薄膜)上外延生长出BST功...
- 陈同来
- 关键词：半导体薄膜薄膜生长微观形貌
- 文献传递
- ZnO纳米线的催化合成及其光致发光性能
- 采用气相传输法,以金膜为催化剂,氧化锌和石墨混合粉末为锌源,制备氧化锌纳米材料。研究不同衬底温度下,氧化锌纳米材料的形态,结构和形成过程。研究获得氧化锌纳米线的光致发光性能。初步探索了氧化锌纳米线的生长机理。实验结果表明...
- 于伟东李效民高相东边继明陈同来
- 文献传递
- 脉冲激光法淀积MgO薄膜及其结晶性能的研究被引量：6
- 2005年
- 研究了脉冲激光淀积MgO薄膜的过程中,制备工艺参数对薄膜结晶性的影响.研究发现,MgO薄膜的结晶性主要受控于衬底温度和激光能量密度,而薄膜的生长速率则依赖于脉冲频率、衬底与靶材间的距离以及激光能量密度.通过对比不同靶材,即金属Mg靶和烧结陶瓷MgO靶,对薄膜结晶性的影响,发现通过添加一层TiN籽晶层可以显著改善薄膜的结晶质量.最后在优化的制备工艺参数:衬底温度TS=873K,激光能量密度DE=7J/cm2,靶材与衬底间距离DST=70mm,激光脉冲频率FL=5Hz以及采用烧结陶瓷MgO靶材和添加TiN籽晶层的情况下,获得层状生长模式和表面具有原子级平整度的MgO薄膜.
- 陈同来李效民张霞高相东于伟东
- 关键词：脉冲激光淀积硅衬底RHEED
