陈鑫龙
- 作品数：37 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 关于反射式与透射式光电阴极电子扩散长度的对比分析
- 发射层电子扩散长度作为NEA光电阴极中的一个重要性能参量，与阴极材料生长质量和外延生长方式密切相关，由于入射光位置不同，反射式阴极的长波响应和透射式阴极的短波响应分别得到比较明显的提高。利用拟合不同结构的GaAs光电阴极...
- 金睦淳常本康陈鑫龙杨明珠
- 关键词：光学工程透射式光电阴极
- Al组分梯度渐变的蓝绿光敏感透射式GaAlAs阴极
- 本发明涉及一种Al组分梯度渐变的透射式GaAlAs阴极，对蓝绿光敏感；该阴极自下而上由Corning 7056<Sup>#</Sup>玻璃基底、SiO<Sub>2</Sub>保护层、Si<Sub>3</Sub>N<Sub...
- 陈鑫龙唐光华徐鹏霄戴丽英杨佩佩钟伟俊
- 文献传递
- 一种彩色电子轰击图像传感器件
- 本发明公开了一种彩色电子轰击图像传感器件，包括滤色膜、输入光窗、光电阴极、背照式CMOS图像传感器、多层陶瓷管体和PGA针栅阵列，滤色膜用于实现光信号红、绿、蓝三色分光进而获得三原色光；光电阴极用于实现三原色光的光电转换...
- 徐鹏霄尤国庆王东辰唐光华陈鑫龙
- 文献传递
- 一种硅纳米晶/石墨烯宽光谱光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种硅纳米晶/石墨烯宽光谱光电探测器及其制备方法，其结构从下到上依次包括背面电极、衬底、硅纳米晶层、石墨烯层和正面电极；背面电极为Ti/Au/Ti电极；衬底为n型Si重掺杂；硅纳米晶层使用氢硅倍半环氧乙烷旋涂...
- 王东辰徐鹏霄王艳唐光华陈鑫龙戴丽英杨杰
- 文献传递
- 近紫外波段NEA GaN阴极响应特性的研究被引量：3
- 2013年
- 为了深入理解近紫外波段NEAGaN阴极的光谱响应特性,在超高真空系统中对MOCVD生长的不同发射层厚度和掺杂浓度的三个样品进行激活实验,并在线测试样品光谱响应.利用反射式GaN阴极量子效率公式和最小二乘法对入射光波长为0.25—0.35μm之间的阴极响应量子效率实验数据进行拟合,分别得到后界面复合速率和拟合直线L的斜率,并使用量子效率公式对入射光波长为0.35μm时的反射式GaN阴极光谱响应量子效率进行仿真.结果表明,后界面复合速率和直线L的斜率都能很好地反映GaN阴极的响应性能,当GaN阴极后界面复合速率小于105cm/s,发射层的厚度取0.174—0.212μm时,阴极光谱响应性能最好.
- 郝广辉常本康陈鑫龙王晓晖赵静徐源金睦淳
- 关键词：势垒最小二乘法
- 透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法
- 本发明提供一种透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法。该阴极组件自下而上由高质量的蓝宝石衬底、p型均匀掺杂AlN缓冲层、p型变组分Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N发射层组成。其中，AlN缓...
- 常本康郝广辉金睦辉陈鑫龙张益军杨明珠石峰程宏昌任彬
- 文献传递
- 高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法
- 本发明公开了一种高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法。所述方法包括将AlGaN光电阴极分别经有机溶剂、去离子水超声波清洗，然后经氢氧化钾溶液刻蚀清洗，硫酸混合溶液刻蚀清洗，最后经去离子水冲洗刻蚀，并在超声清洗仪中超声清洗...
- 常本康郝广辉张益军金睦淳冯琤陈鑫龙杨明珠
- 文献传递
- 一种n-InGaAs/p-InP/p-InGaAs场助光阴极及其制备方法
- 本发明公开了一种n‑InGaAs/p‑InP/p‑InGaAs场助光阴极及其制备方法，在p‑InP衬底上顺序生长p‑In<Sub>0.53</Sub>Ga<Sub>0.47</Sub>As吸收层、p‑InP发射层和n‑I...
- 陈鑫龙徐鹏霄邹继军岳江楠陈冠宇崔佳华李禹晴
- GaAlAs缓冲层对具有薄发射层的反射式GaAs光电阴极的影响
- 传统的反射式GaAs光电阴极量子效率公式不能很好地与发射层较薄的情况下的量子效率实验曲线拟合。考虑GaAlAs缓冲层产生光电子,通过建立和求解少数载流子所遵循的一维连续性方程,得到修正后的反射式GaAs光电阴极量子效率公...
- 陈鑫龙张益军常本康金睦淳郝广辉徐源
- 关键词：光电阴极量子效率
- 一种彩色电子轰击图像传感器件
- 本发明公开了一种彩色电子轰击图像传感器件，包括滤色膜、输入光窗、光电阴极、背照式CMOS图像传感器、多层陶瓷管体和PGA针栅阵列，滤色膜用于实现光信号红、绿、蓝三色分光进而获得三原色光；光电阴极用于实现三原色光的光电转换...
- 徐鹏霄尤国庆王东辰唐光华陈鑫龙
