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陶明德

作品数：79 被引量：584H指数：13
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇期刊文章
  • 15篇专利
  • 5篇会议论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 26篇电子电信
  • 18篇理学
  • 11篇化学工程
  • 10篇一般工业技术
  • 7篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇冶金工程
  • 2篇机械工程

主题

  • 19篇电阻
  • 16篇陶瓷
  • 13篇热敏电阻
  • 13篇纳米
  • 13篇粉体
  • 12篇压敏
  • 9篇压敏陶瓷
  • 9篇氧化物
  • 9篇非晶
  • 8篇溶胶
  • 8篇非晶薄膜
  • 7篇氧化锌
  • 7篇纳米粉
  • 6篇电阻器
  • 6篇纳米粉体
  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇压敏电阻
  • 5篇溶胶-凝胶法

机构

  • 67篇中国科学院
  • 10篇中国科学院新...
  • 8篇新疆大学
  • 5篇中国科学院上...
  • 3篇四川大学
  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇北京大学
  • 1篇北京石油化工...
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇四川联合大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇烟台大学
  • 1篇华中理工大学
  • 1篇山东师范大学
  • 1篇新疆石油学院

作者

  • 79篇陶明德
  • 22篇韩英
  • 21篇宋世庚
  • 18篇谭辉
  • 12篇康雪雅
  • 11篇丛秀云
  • 10篇王学燕
  • 9篇陈朝阳
  • 8篇涂铭旌
  • 8篇王疆瑛
  • 7篇符小荣
  • 5篇武光明
  • 5篇王天雕
  • 5篇常爱民
  • 4篇巴维真
  • 4篇范艳伟
  • 4篇董茂进
  • 4篇王军华
  • 4篇贾锐
  • 4篇张建

传媒

  • 15篇功能材料
  • 13篇电子元件与材...
  • 5篇Journa...
  • 5篇材料研究学报
  • 3篇新疆大学学报...
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇仪表材料
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇传感器技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇感光科学与光...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇化学学报
  • 1篇自动化仪表
  • 1篇应用化学
  • 1篇电子产品世界
  • 1篇新疆石油学院...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第七届全国湿...
  • 1篇全国第三届光...

年份

  • 2篇2011
  • 3篇2009
  • 4篇2004
  • 4篇2003
  • 2篇2002
  • 4篇2001
  • 6篇2000
  • 10篇1999
  • 10篇1998
  • 12篇1997
  • 6篇1996
  • 2篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1991
  • 3篇1990
  • 2篇1989
  • 1篇1988
  • 2篇1986
  • 1篇1985
共 79 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
掺La(OH)<,3>多孔硅的感湿特性研究
报道了多孔硅的制备方法及形成条件，并对掺Ｌａ（ＯＨ）〈，３〉多孔硅的感湿特性进行了实验研究。结果表明掺Ｌａ（ＯＨ）〈，３〉多孔硅的交流阻抗随环境湿度的增大而减小，呈近似线性规律，敏感度变化很小。掺Ｌａ（ＯＨ）〈，３〉多孔...
涂楚敏贾振红陶明德
关键词：多孔硅交流阻抗
252-A1型高精度、高稳定性NTC热敏电阻
王疆英王学燕陶明德韩英
该成果是通过改性共沉淀工艺方法制备氧化物纳米粉体，利用等静压成型，高温烧结，切片，上电极，划片及焊接封装等工艺获得高精度、高稳定性热敏电阻。该热敏电阻是作为溶解氧测定仪的自动温度补偿元件和测温传感器，通过对流过热敏电阻的...
关键词：
关键词：热敏电阻测温传感器
NiMn_2O_4热敏材料纳米粉体烧结过程研究被引量：3
1999年
本文采用溶胶－凝胶法（ｓｏｌ－ｇｅｌ）制备ＮｉＭｎ２Ｏ４纳米粉体。将ＮｉＭｎ２Ｏ４纳米粉体压制成型，进行烧结。对ＮｉＭｎ２Ｏ４纳米粉体烧结过程进行研究。实验结果表明：ＮｉＭｎ２Ｏ４纳米粉体的烧结温度比传统烧结方法低２００℃左右。在１１００℃以下的温度范围，烧结试样的相结构均为尖晶石结构。ＮｉＭｎ２Ｏ４纳米粉体烧结过程分为三个过程：（１）烧结前期（≤８００℃）；（２）烧结初中期（８００℃～１０００℃）；（３）烧结后期（１０００℃～１１００℃）。在纳米粉体烧结过程中，晶粒生长不同于传统烧结过程。
王疆瑛陶明德陈朝阳
关键词：纳米粉体显微结构热敏材料
溶胶-凝胶法制备TiO_2/Pt/glass纳米薄膜及其光电催化性能被引量：19
1997年
本文采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备了ＴｉＯ２／Ｐｔ／ｇｌａｓ纳米光催化薄膜，并进行了结构和光电催化性能的测试。薄膜对染料溶液的光电催化降解结果表明：当输入正向偏压后，ＴｉＯ２／Ｐｔ／ｇｌａｓ薄膜的光催化性能有一定提高，且随着偏压增大而增强。同时，薄膜的中间层Ｐｔ及光源强度对薄膜的光电催化活性也有较大影响。
符小荣张校刚宋世庚王学燕王学燕
关键词：光电化学溶胶-凝胶
ZnO压敏陶瓷的微波烧结被引量：17
1998年
对用纳米粉体制备的ZnO压敏生坯进行了微波烧结，通过XRD、SEM分析和电性能测试，与普通烧结比较，微波烧结可使ZnO压敏材料快速成瓷，显著缩短烧结时间；在相同晶粒尺寸下，微波烧结温度更低，瓷体更致密；并能获得较好电性能．微波烧结为ZnO压敏陶瓷材料制备提供了一条新的、高效节能的途径．
康雪雅常爱民韩英王天雕陶明德涂铭旌
关键词：微波烧结压敏陶瓷显微结构电性能氧化锌陶瓷
BaTiO_3薄膜的Sol-gel法制备及其介电特性研究被引量：4
2000年
以钛酸四丁酯和乙酸钡为主要原料 ,以乙二醇独甲醚为溶剂 ,采用溶胶凝胶法成功地配制出了BaTiO3 溶胶 ,溶胶清晰稳定 ,保存时间长。并用XRD分析了沉积在Si(1 0 0 )低阻硅片上的薄膜的结构 ,发现薄膜在 60 0℃时结晶状态已良好。文中同时对薄膜的介电性质进行研究 ,并讨论了退火温度对薄膜介电性质的影响。
沈良宋世庚贾锐陶明德
关键词：溶胶-凝胶法介电性质
溶胶凝胶法制备的Mn系氧化物热敏薄膜的尺寸效应被引量：1
1995年
本文阐述了用溶胶凝胶法制备ＣｏＭｎＣｕＯ等热敏薄膜的方法，研究了它们的电学性质。结果表明，薄膜的Ｒ－Ｔ特性基本符合Ｒ＝Ｒ＿ｏｅｘｐ（Ｂ／Ｔ）关系。在本文样品厚度的范围内，厚度对电阻率（ρ＿ｆ）和材料常数（Ｂ）有较大的影响。利用扩展电阻仪分析了电阻率随深度的变化，用俄歇电子能谱分析了组分随深度的变化，在此基础上对尺寸效应作出了相应的解释。
宋世庚康健李芳孝王学燕谭辉陶明德
关键词：尺寸效应溶胶凝胶法锰氧化物半导体
CoMnNiO非晶薄膜的热激电导被引量：1
1990年
本文主要讨论CoMnNiO非晶薄膜的热激电导机制。
陶明德谭辉韩英
关键词：非晶薄膜温度
Mg－Mn－Fe－O系热敏电阻变B值特性的研究被引量：7
1996年
Ｍｇ－Ｍｎ－Ｆｅ－Ｏ系热敏电阻经还原处理后，具有低Ｂ高阻电学特性，不同于一般的ＮＴＣ热敏电阻，其Ｂ值随温度增加呈较大幅度的连续性增加。研究了还原条件、材料组分及烧结温度对样品电特性的影响。
陆峰程家骐李风翔陶明德
关键词：NTC热敏电阻
Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性被引量：1
2009年
为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料，采用开管涂源的方法，对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂，得到对温度敏感的补偿硅材料，并对其进行测试和分析。掺杂后得到的硅单晶热敏材料，其导电类型仍为n型，且电阻率较低，为欠补偿，测试结果表明其常温电阻率ρ25=64～416Ω·cm，温度敏感系数（B值）在5300K左右；根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值，与实验值基本一致。
董茂进陈朝阳范艳伟丛秀云王军华陶明德
关键词：深能级杂质AUNI
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