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韦欣

作品数：84 被引量：41H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 57篇专利
  • 20篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 32篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 38篇激光
  • 37篇激光器
  • 24篇腔面
  • 23篇面发射
  • 21篇面发射激光器
  • 21篇发射激光器
  • 21篇半导体
  • 19篇垂直腔
  • 19篇垂直腔面
  • 19篇垂直腔面发射
  • 17篇垂直腔面发射...
  • 12篇半导体激光
  • 12篇半导体激光器
  • 12篇波长
  • 9篇探测器
  • 9篇热沉
  • 9篇光栅
  • 8篇金属
  • 7篇谐振腔
  • 6篇亚波长

机构

  • 84篇中国科学院
  • 2篇北京邮电大学
  • 2篇河北半导体研...
  • 2篇中国工程物理...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇聊城大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 84篇韦欣
  • 35篇宋国峰
  • 26篇李健
  • 18篇陈良惠
  • 16篇马骁宇
  • 16篇徐云
  • 14篇王青
  • 12篇王国宏
  • 7篇林涛
  • 6篇江李
  • 6篇朱晓鹏
  • 6篇付东
  • 6篇许斌宗
  • 6篇刘杰涛
  • 5篇张洪波
  • 5篇张广泽
  • 4篇黄祖炎
  • 4篇谭满清
  • 4篇渠红伟
  • 4篇何国荣

传媒

  • 5篇Journa...
  • 3篇中国激光
  • 2篇光学学报
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇光电子技术与...
  • 1篇红外
  • 1篇光子学报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇中国工程科学
  • 1篇科技创新导报
  • 1篇科技纵览
  • 1篇2004年全...
  • 1篇第十届全国M...
  • 1篇第十届全国光...
  • 1篇2010(第...

年份

  • 8篇2024
  • 6篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 5篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 8篇2017
  • 6篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 6篇2005
  • 3篇2004
共 84 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
InGaAs红外光探测器
本发明提供了一种InGaAs红外光探测器。该InGaAs红外光探测器包括：半导体衬底，其两面抛光；依次沉积于半导体衬底上表面的下掺杂层、吸收层、上掺杂层、金属光栅层；其中：吸收层为本征掺杂或低浓度掺杂的InGaAs材料；...
韦欣许斌宗宋国峰刘杰涛徐云相春平付东
文献传递
光电传导结构、电光转换单元和垂直腔面发射激光器
本公开提出一种光电传导结构、电光转换单元和垂直腔面发射激光器，其中，光电传导结构包括：第一分布式布拉格反射器；第一金属电极，第一金属电极设置在第一分布式布拉格反射器的一侧；其中，第一分布式布拉格反射器靠近第一金属电极的一...
李川川李阳韦欣陈良惠
垂直腔面发射激光器及其制造方法、电子器件
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制造方法、电子器件，该制造方法包括：在第一衬底上依次生长第二布拉格反射镜、有源层和第一布拉格反射镜；其中第一布拉格反射镜、有源层和第二布拉格反射镜被配置为沿垂直于有源层的方向自第一布...
李阳李川川韦欣
一种硅基III-V族半导体材料的制备方法
本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长...
任晓敏韦欣王琦王俊刘昊刘凯张翼东李健江晨王臻刘倬良杨一粟黄永清蔡世伟李川川
一种柔性光电传感器及其制备方法
本公开提供了一种柔性光电传感器及其制备方法，涉及光电传感器领域；该柔性光电传感器包括：垂直腔面发射激光器组、光探测器以及由下至上依次设置的第二有机聚合材料层、多层石墨烯层、绝缘层、单层石墨烯层和第一有机聚合材料层；所述多...
李川川韦欣陈良惠
一种基于表面等离子效应的InGaAs红外偏振探测器
本发明公开了一种基于表面等离子效应的InGaAs红外偏振探测器包括：衬底和在所述衬底自下而上依次沉积的下掺杂层、吸收层、上掺杂层和金属光栅层，所述金属光栅层为二维周期性亚波长非对称结构光栅，用于接收入射光波；所述吸收层用...
韦欣王文博付东胡晓斌李健宋国峰
文献传递
一种柔性超表面结构
本发明公开了一种柔性超表面结构，涉及超材料技术领域。柔性超表面结构由柔性衬底以及该衬底上周期排布的多个亚波长微纳结构重复单元构成，通过特定设计的亚波长微纳结构重复单元在外加应力的情况下，改变亚波长微纳结构中的亮模式和暗模...
李彤陈良惠宋国峰江宇宋甲坤韦欣徐云
文献传递
一种垂直腔面发射激光器的制备方法
本公开提出一种垂直腔面发射激光器的制备方法，包括：制备出电光转换部分，其中，电光转换部分的背面为第一分布式布拉格反射器；在第一分布式布拉格反射器的背面制备出第一凹槽；在第一分布式布拉格反射器的背面制备第一金属电极，并使第...
李川川李阳韦欣陈良惠
一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置、方法及控制方法
本发明提供了一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置、方法及控制方法，该封装装置包括：增益芯片，金属圆薄片，压力装置，所述压力装置设于所述金属圆薄片的下表面，用于产生压力使所述金属圆薄片和所述增益芯片发生形变，当所述...
韦欣邱小浪汪超张杨李川川
提高铟镓砷化合物半导体中n型掺杂浓度的方法
一种提高铟镓砷化合物半导体中n型掺杂浓度的方法，其特征在于，包含下述步骤：利用MOCVD方法，在655℃生长温度下，在磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；将反应室温度降低至600℃的生长温度；以及减小通入反应室的反应源V/II...
江李林涛韦欣王国宏马骁宇
文献传递
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