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顾建龙

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇欧姆接触
  • 4篇接触电极
  • 3篇电极
  • 3篇欧姆接触电极
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体元件
  • 2篇带隙
  • 2篇第三电极
  • 2篇三电极
  • 2篇金属
  • 2篇金属电极
  • 2篇宽带隙
  • 2篇宽带隙半导体
  • 2篇基底表面
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇电阻
  • 1篇旋涂
  • 1篇氧化物
  • 1篇双氢氧化物
  • 1篇氢氧化

机构

  • 5篇浙江大学

作者

  • 5篇顾建龙
  • 3篇李霞
  • 3篇陈匆
  • 3篇汪雷
  • 3篇陈凌翔
  • 3篇吴惠敏
  • 3篇卢洋藩
  • 3篇叶志镇
  • 3篇叶春丽
  • 1篇梅伟民
  • 1篇陈奇
  • 1篇朱翀煜
  • 1篇任玉萍
  • 1篇陈丹
  • 1篇李亚光
  • 1篇朱丽萍
  • 1篇杨美佳

年份

  • 1篇2015
  • 4篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件
本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属...
卢洋藩顾建龙叶志镇陈匆吴惠敏汪雷陈凌翔叶春丽李霞
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一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件
本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属...
卢洋藩顾建龙叶志镇陈匆吴惠敏汪雷陈凌翔叶春丽李霞
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一种欧姆接触电极及包含该欧姆接触电极的半导体元件
本实用新型公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属层，第三...
叶志镇顾建龙卢洋藩陈匆吴惠敏汪雷陈凌翔叶春丽李霞
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一种高分散性ZnO/GaN固溶体的制备及应用
本发明公开了一种高分散性ZnO/GaN固溶体的制备方法及应用。本发明利用共沉淀和水热处理法制备得到高分散性层状双氢氧化物(LDHs)，从而可制备如薄膜、粉末各种形态的高分散性ZnO/GaN固溶体材料。将高分散性层状双氢氧...
朱丽萍李亚光梅伟民杨美佳顾建龙陈丹朱翀煜陈奇任玉萍
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n型ZnO欧姆接触及肖特基接触电极的研究
ZnO材料是一种直接禁带、宽带隙半导体材料，室温下的禁带宽度和激子束缚能分别是3.37eV、60meV。为此ZnO是一种很适合于制备各种光电器件的半导体材料，可用于制备:发光二极管(LEDs)、激光器(LDs)、紫外探测...
顾建龙
关键词：接触电阻率接触电极
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