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马伟平

作品数：24 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 16篇红外
  • 12篇探测器
  • 12篇碲镉汞
  • 12篇焦平面
  • 12篇红外焦平面
  • 6篇电极
  • 6篇铟柱
  • 5篇芯片
  • 5篇焦平面探测器
  • 5篇光刻
  • 5篇光刻胶
  • 5篇红外焦平面探...
  • 5篇红外探测
  • 4篇列阵
  • 4篇焦平面列阵
  • 4篇光电
  • 4篇红外焦平面列...
  • 3篇碲镉汞探测器
  • 3篇刻蚀
  • 3篇隔离沟槽

机构

  • 24篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 24篇马伟平
  • 18篇胡晓宁
  • 15篇林春
  • 14篇叶振华
  • 13篇何力
  • 13篇丁瑞军
  • 11篇陈昱
  • 9篇廖清君
  • 8篇邢雯
  • 7篇黄建
  • 7篇尹文婷
  • 5篇王建新
  • 4篇刘丹
  • 4篇胡伟达
  • 4篇陈奕宇
  • 3篇孙常鸿
  • 3篇黄玥
  • 2篇朱建妹
  • 2篇龚海梅
  • 2篇张海燕

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 5篇2011
  • 4篇2010
  • 2篇2009
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法
本发明公开了一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法。该方法在需要制备铟柱的芯片上分别进行两次旋涂光刻胶，两次单独曝光，一次显影的方法进行铟柱孔的光刻，在高真空热蒸发沉积铟层时，保证芯片处于铟蒸发源的正上方，铟层生长...
廖清君马伟平朱建妹林春王建新胡晓宁
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一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法
本发明公开了一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法，使用负性光刻胶光刻获得塔形铟孔，热蒸发生长铟膜，湿法剥离得到铟柱。本发明的优点是铟柱制备工艺简单，极易湿法剥离，重复性好；适用于大规模红外焦平面的铟柱阵列制备，能获得高度一致...
许佳佳陈建新马伟平潘建珍李宁白治中
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一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法
本发明公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法。本发明中的电极为一种延展电极，该电极将pn结注入区的电极延展至非注入区的复合钝化层表面。该方法采用负性光致抗蚀剂光刻后获得顶部大底部小的光刻胶台面，利用薄膜生长...
廖清君胡晓宁马伟平邢雯陈昱林春王建新
红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法
本发明公开了一种红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于红外焦平面探测芯片表面旋转涂敷一层AZ系列光刻胶的稀释剂以填充微台面列阵隔离深沟槽的底部大部分体积的物理空间，再在微...
叶振华周文洪尹文婷黄建马伟平胡晓宁
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一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法
本发明公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法。本发明中的电极为一种延展电极，该电极将pn结注入区的电极延展至非注入区的复合钝化层表面。该方法采用负性光致抗蚀剂光刻后获得顶部大底部小的光刻胶台面，利用薄膜生长...
廖清君胡晓宁马伟平邢雯陈昱林春王建新
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红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法
本发明公开了一种红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在红外焦平面列阵器件光敏感元芯片非电极区域的钝化层表面制作起内反射镜面作用的金属层，来实现红外辐射吸收厚度比红外光敏感元列阵芯...
叶振华尹文婷胡伟达黄建马伟平林春廖清君胡晓宁丁瑞军何力
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一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法
本发明公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层，掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层，掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止，从而可以方便地...
叶振华陈奕宇孙常鸿刘棱枫邢雯马伟平林春胡晓宁丁瑞军何力
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环氧胶阵列的制作方法
本发明公开了一种环氧胶阵列的制作方法，它适用于制作红外焦平面探测器组件的封装结构试验模拟件。本发明的制作方法包括：光刻胶柱阵列图形，匀环氧胶，环氧胶固化，浮光刻胶，去除多余环氧胶和点液态环氧胶工艺步骤。本发明的环氧胶柱阵...
张海燕龚海梅马伟平陆华杰
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红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法
本发明公开了一种红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在红外焦平面列阵器件光敏感元芯片非电极区域的钝化层表面制作起内反射镜面作用的金属层，来实现红外辐射吸收厚度比红外光敏感元列阵芯...
叶振华尹文婷胡伟达黄建马伟平林春廖清君胡晓宁丁瑞军何力
一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜
本专利公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层，掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层，掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止，从而可以方便地控制掩膜刻蚀...
叶振华陈奕宇孙常鸿刘棱枫邢雯马伟平林春胡晓宁丁瑞军何力
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