马巧云
- 作品数：24 被引量：34H指数：3
- 供职机构：天津商业大学理学院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信机械工程电气工程更多>>
- 基于霍尔效应实验的静态磁致伸缩演示实验仪设计
- 2016年
- 磁致伸缩效应因其具有广泛应用在电磁学领域一直处于重要地位,对于高校理工科专业特别是物理专业而言,也是教学内容中的重点知识.然而,由于磁致伸缩效应尺寸微小、不便直观,专业测量设备体积庞大、价格高昂,因此,能够精确测量磁致伸缩系数并易于进行课堂演示的实验仪器具有重要的实用价值却始终处于空缺状态.本文基于"霍尔效应测量磁场"实验所使用的常见仪器,采用电阻应变计法设计制作了静态磁致伸缩演示实验仪.该仪器具有体积小、精度高、成本低、演示效果明显等诸多优点,既适用于课堂教学中磁致伸缩效应的演示,又可以作为学生自主操作的物理实验仪器进行使用,还可用于磁材料的磁致伸缩系数研究.
- 周严刘跃黄书彬马巧云刘晶晶刘鹏辉
- 关键词：磁致伸缩效应
- 快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响被引量：1
- 2011年
- 研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐照NCZ-Si,RTP有助于后期退火中DZ的生成,且RTP温度越高,形成的DZ越宽;而高的降温速率会使得DZ宽度变窄;对于电子辐照CZ-Si,在N2气氛下高温RTP更能促进氧沉淀形成,体缺陷(bulk micro defects,BMDS)密度较大.
- 陈贵锋马晓薇吴建海马巧云薛晶晶郝秋艳
- 关键词：中子辐照电子辐照直拉硅氧沉淀
- 无锁相环的电压跌落快速检测方法被引量：11
- 2016年
- 动态电压恢复器(DVR)是有效解决电压跌落问题的一种电力电子装置。为获得精确的电压补偿信号,快速准确的电压跌落检测是DVR控制的重要前提。分析了现有电压跌落检测方法,并因电网谐波畸变不同按电压跌落深度、跌落相位、相位跳变、谐波等综合因素,提出了无谐波电网以电压dq分量一阶导数之和检测基波电压幅值的方法,对含谐波电网提出半周期实时计算dq分量平均值的方法,其取样窗口宽度固定不变,采样时刻自动变化,实时计算电网电压基波幅值。通过不同条件下的仿真和物理实验,对所提方法进行了验证。在不同电压跌落深度、跌落相位、相位跳变、谐波畸变等综合情况下,基波幅值检测波动小,检测时间短,精确稳定,易于实现,无复杂运算;此方法不需要锁相环、低通滤波器、查表计算,实时性强;对于含谐波畸变电网,可满足快速检测要求,具有较好的动态响应。
- 李占凯王景芹张福民马巧云唐圣学马晨阳
- 关键词：电压跌落动态电压恢复器谐波相位跳变锁相环
- FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO_2被引量：2
- 2005年
- 快中子辐照直拉硅 (CZ Si)经 4 0 0— 4 5 0℃热处理后 ,空位_双氧复合体 (VO2 )是其主要的缺陷 .在 30 0— 5 0 0℃热处理快中子辐照的CZ_Si后 ,IR光谱中有 919.6cm- 1 和 10 0 6cm- 1 两个吸收峰伴随VO2 (889cm- 1 )出现 ,这两个IR吸收峰是VO2 的一种亚稳态缺陷 (O V O)引起的 ,此缺陷态是由一个VO(A中心 )与次临近的一个间隙氧原子 (Oi)相互作用所形成的 .在 30 0℃延长退火时间或升高退火温度 ,都会使 (O V O)转变为稳态VO2 .辐照剂量在 10 1 9数量级 ,经 4 0 0— 4 5 0℃热处理所形成的缺陷主要为多空位型 ,而VO2 被抑制 .
- 杨帅李养贤马巧云徐学文牛萍娟李永章牛胜利李洪涛
- 关键词：快中子辐照直拉硅二氧化钒
- 快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷研究
- 采用正电子湮没(PAT)技术和傅立叶红外变换(FTIR)技术研究了高剂量(5×1017n·cm-3)快中子辐照直拉硅中的辐照损伤及其退火效应.实验表明辐照样品中存在着大量的单空位缺陷以及少量的双空位、四空位缺陷,随着退火...
- 刘丽丽杨帅陈贵锋潘梦宵马巧云李养贤王宝义
- 关键词：空位缺陷辐照损伤退火效应正电子湮没
- 文献传递网络资源链接
- 花瓣型波带片的紧聚焦光斑形貌操控
- 2020年
- 紧聚焦条件下的光场调控技术,在激光加工、光学微操控和光学超分辨显微等领域有着重要的应用价值。本文基于德拜-沃尔夫衍射理论的三维傅里叶变换形式,给出了一种设计花瓣型波带片的公式。花瓣形光斑的中心透过率公式与花瓣的频率,径向位移参数以及高数值孔径轴向移动距离有关。通过此公式可以设计不同参数的花瓣型二元相位波带片。本文研究了花瓣型波带片在紧聚焦场下的光场分布。通过数值模拟研究发现,当花瓣频率数确定时,改变轴向位移参数和径向位移参数,可以调控聚焦光斑的轴向移动位置。同时,还发现当径向位移和轴向位移不变时,花瓣频率的变化导致产生了特殊形貌的光斑和超衍射极限的多焦点光斑。这些聚焦光斑有望在超分辨衍射成像、粒子操控方面具有一定的应用价值。
- 黄珍献梁七奇贾光一马巧云刘敏曹彦鹏
- 关键词：径向位移波带片
- 直拉硅的快中子辐照
- 李养贤刘何燕郝秋艳徐学文陈贵锋李永章李洪涛刘彩池杨帅马巧云
- 该研究通过快中子辐照，在直拉硅片中引入亚稳态缺陷与杂质的相互作用，在硅片表面获得足够深度、可用于器件制造的清洁区；确定了不同的快子辐照剂量对直拉硅性能、内部杂质和缺陷的影响；确定了热处理工艺参数对直拉硅的性能，以及杂质与...
- 关键词：
- 关键词：直拉硅快中子辐照
- 快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷研究
- 中子辐照直拉硅中氧沉淀以及与氧有关的本征吸除效应研究很多，而关于快中子辐照直拉硅中氧沉淀诱生缺陷的演变研究较少。本文利用化学腐蚀和光学显微镜观察以及透射电子显微镜（TEM）观察的方法，研究了高温退火后快中子辐照直拉硅中氧...
- 马巧云陈贵锋李占凯马晓薇薛晶晶郝秋艳李养贤
- 关键词：快中子辐照直拉硅氧沉淀
- 文献传递
- 二维过渡金属硫化物激子能级的理论计算——介质屏蔽的氢原子模型被引量：4
- 2017年
- 根据介质屏蔽的氢原子模型求解了单层过渡金属硫化物MoS_2中A激子的结合能及能级谱图,所得结果与二维空间里的玻尔氢原子理论所得结果进行比较发现,介质的屏蔽效应导致处于激发态的激子结合能增大,激发态与基态间的能级间距减小,当主量子数n>8时,激子的量子化特性才消失而呈现出连续的能级谱.
- 贾光一黄珍献赵国振马巧云
- 磁致伸缩与霍尔效应综合实验仪的设计与实现
- 2010年
- 在磁场测量实验仪器的基础上,采用电阻应变计法研制了磁致伸缩与霍尔效应综合实验仪.该仪器既适用于高校课堂教学演示,又可以作为物理实验仪器供学生自行操作.
- 周严刘跃马巧云黄书彬黄卫平王博文
- 关键词：磁致伸缩A/D转换
