高净
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家中长期科技发展规划重大专项更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- ZnO掺杂TiO2厚膜的sol-gel法制备及气敏特性研究
- TiO2是宽禁带N型金属氧化物半导体材料，禁带宽度为3.2eV，晶粒尺寸介于1～100nm。纳米TiO2气敏材料粒径小，比表面积大，相对气体阻抗变化大等优点，提高了TiO2气敏传感器的灵敏度，改善了气敏传感器的性能，在各...
- 高净
- 关键词：纳米TIO2SOL-GEL法气敏特性表面微观形貌
- 文献传递
- 有机胺碱对硅粗抛光及表面微形貌的影响
- 2011年
- 硅单晶抛光片是极大规模集成电路应用最广泛的衬底材料,抛光液为影响硅单晶片抛光最关键的因素。通过改变抛光液中有机胺碱配比来调节抛光液的pH值。实验结果表明:随着有机胺碱比例的不断增加,pH值随之上升,硅片的去除速率(material removal rate,MRR)先增大后减小。pH值在10.5左右时去除速率达到最大值(1706nm/min)。此时用Agilent 5600LS型原子力显微镜测得硅片表面的粗糙度为0.369nm。并用马尔文Zetasizer 3000HSA纳米粒度分析仪测定不同有机胺碱浓度下的抛光液中水溶胶磨粒粒径变化。通过对实验后晶片表面进行检测并结合去除速率综合考虑,抛光液pH值宜选择为10.5左右。抛光速率在pH值为10.3～10.6比较稳定。
- 王娜刘玉岭孙鸣杨立兵高净刘利宾
- 关键词：硅单晶片抛光液抛光速率表面粗糙度
- ZnO掺杂TiO_2厚膜的sol-gel法制备及气敏特性研究被引量：1
- 2011年
- 利用钛酸丁酯与无水乙醇的水解反应制备了纳米TiO2厚膜,并对其进行了不同含量的ZnO掺杂和不同温度的退火。通过XRD和SEM对所制备的ZnO-TiO2纳米粉的物相结构和表面微观形貌进行了表征,利用气敏元件测试系统对用其制备的气敏元件的气敏特性进行了检测,研究了ZnO的掺杂量和退火温度对TiO2厚膜气敏性能的影响,并对TiO2厚膜的气敏机理进行了讨论。结果表明:ZnO的掺杂有效地抑制了TiO2晶粒的生长,于700℃退火、w(ZnO)=4%的ZnO-TiO2的结晶粒径为15.9 nm,其对氨水蒸气的最高灵敏度达到9 354左右,响应和恢复时间均为1 s。
- 高净潘国峰张东岭刘玉岭王娜
- 关键词：气敏传感器SOL-GEL法退火温度
