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快速热处理制备相变氧化钒薄膜及其特性研究被引量：3: 2012年; 采用直流对靶磁控溅射在Si<100>基底上沉积金属V薄膜,然后分别在纯氧气环境和纯氮气环境下进行快速热处理制备具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VO_X)薄膜,热处理条件分别为纯氧气环境下430℃/40 s,450℃/40 s,470℃/40 s,450℃/30 s,450℃/50 s,纯氮气环境下500℃/15 s.用X射线衍射仪、X射线光电子能谱、原子力显微镜和扫描电子显微镜对薄膜的结晶结构、钒的价态和组分以及微观形貌进行分析.利用四探针薄膜电阻测量方法和THz时域频谱技术分析薄膜的电学特性和光学特性.结果表明:金属V薄膜经过纯氧气环境450℃/40 s快速热处理后形成了具有低相变特性的VO_X薄膜,升温前后薄膜方块电阻变化幅度达到两个数量级,THz透射强度变化幅度较小.为了提高薄膜的相变特性,对制备的VO_X薄膜采用纯氮气环境500℃/15 s快速热处理,薄膜的相变特性有了明显提升,相变前后方块电阻变化达到3个数量级,THz透射强度变化达到56.33%.; 武斌胡明后顺保吕志军高旺梁继然

氧化钒薄膜的快速热氧化法制备工艺与相变特性研究: 二氧化钒(VO2)薄膜材料在68℃附近会发生由半导体相向金属相的可逆相变,主要体现在相变前后其电学、磁学、光学(太赫兹THz波段)等特性的变化。这便使其在光器件、存储领域、智能窗等方面有着广泛前景,所以如何制备出性能优良...; 高旺; 关键词：氧化钒薄膜相变特性光学特性

快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜: 本发明公开了一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，目的是克服在制备具有相变特性的二氧化钒薄膜的现有制备方法的调控参数多、工艺复杂、实验可控性较差的缺点。本发明对于溅射时间为10-30min的金属钒薄膜，快速热氧化温度...; 胡明武斌高旺后顺保吕志军; 文献传递

氧化法结合快速热处理制备VO_x薄膜及其性质研究: 2013年; 采用磁控溅射法在单晶Si100基底上沉积金属钒(V)薄膜,在高纯氧环境下快速热处理制备具有相变特性的氧化钒(VOx)薄膜.利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱和扫描电子显微镜对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,应用四探针测试方法和太赫兹时域频谱技术对样品的电学和光学特性进行测试.结果表明:在一定范围的快速热处理保温温度和保温时间下,都可以制备出具有热致相变特性的氧化钒薄膜,相变前后薄膜的方块电阻变化超过两个数量级,薄膜成分主要由V2O5和VO2混合组成,薄膜中V整体价态不因热处理条件改变而不同.在快速热处理条件范围内,500℃ 25s左右条件下(中温区)制备出的氧化钒薄膜相变特性最佳,并且对THz波有一定的调制作用.; 高旺胡明后顺保吕志军武斌; 关键词：氧化钒薄膜相变特性

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高旺