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不同功率下氦稀释对微晶硅锗薄膜特性的影响: 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在200oC 的衬底温度下,以SiH4 和GeH4 为反应气体,H2 和He 为稀释气体,制备μc-Si1-xGex:H 薄膜.我们分析了不同功率条件下(60W,...; 李天微张建军曹宇倪牮黄振华马俊赵颖; 关键词：等离子体增强化学气相沉积 HE 功率

高锗含量微晶硅锗材料及其太阳电池的优化: 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对高锗含量微晶硅锗材料的特性和电池的结构均进行了优化.首先,通过对衬底温度的调节,在衬底温度为200 °C 的情况下,获得了光电特性和结构特性较优的高锗...; 曹宇张建军李天微黄振华马俊倪牮耿新华赵颖; 关键词：衬底温度太阳电池

基于透射光谱确定微晶硅锗薄膜的光学常数被引量：2: 2014年; 结合多层结构模型以及柯西色散公式,给出一种由透射谱提取微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜光学常数的Matlab方法。与Swanepeol方法、PUMA(pointwise unconstrained minimization approach)方法相比,Matlab法通过透射率极值的位置而非幅值计算折射率,能够避免幅值大小偏差所造成的影响,得到更准确的光学常数,拟合精度能提高1个数量级。计算所得不同Ge含量的光学常数表明,μc-Si1-x Gex:H在整个波长范围内有更高的吸收系数和折射率,并且二者随Ge含量增加而增加。由ASA(advanced semiconductor analysis)进一步计算表明,相对于μc-Si:H电池,当本征吸收层较薄时相同厚度的μc-Si1-x Gex:H电池从400nm开始即能表现出更高的量子效率(QE)响应,当本征吸收层较厚时相同厚度的μc-Si1-x Gex:H电池在近红外区域的QE响应依然优势明显。并且,在获得相同电流密度的情况下,μc-Si1-x Gex:H电池能够明显降低本征吸收层厚度,因而能够有效降低Si基薄膜太阳电池的制造成本。; 黄振华张建军倪牮李天微曹宇王昊赵颖; 关键词：光学常数 ASA

微晶硅锗太阳电池的光电模拟和实验研究: 微晶硅锗薄膜具有高吸收系数、窄带隙等特点,是非常有前景的太阳电池吸收层材料。目前,该材料经过不断的优化已初步应用于太阳电池中,但是如何才能发挥该材料的最大优势则需要从电池结构方面进行全面的理论研究,为此,本论文首先采用R...; 黄振华; 关键词：太阳电池陷光结构

微晶硅锗太阳电池本征层纵向结构的优化被引量：8: 2013年; 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响,提出使用功率梯度的方法制备微晶硅锗薄膜太阳电池本征层.优化后的微晶硅锗本征层不仅保持了晶化率纵向分布的均匀性,而且形成了沿生长方向由宽到窄的渐变带隙分布,使电池的填充因子和短路电流密度都得到了提高.采用此方法制备的非晶硅/微晶硅锗双结叠层电池转换效率达到了9.54%.; 曹宇张建军李天微黄振华马峻倪牮耿新华赵颖; 关键词：太阳电池

电极间距对μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜结构特性的影响被引量：2: 2014年; 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,使用SiH4加GeH4的反应气源组合生长微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜.研究了电极间距对μc-Si1-x Gex:H薄膜结构特性的影响.发现薄膜中的Ge含量随电极间距的降低逐渐增加.当电极间距降至7 mm时,μc-Si1-x Gex:H薄膜具有较大的晶粒尺寸并呈现较强的(220)择优取向,同时具有较低的微结构因子.通过薄膜结构特性的变化分析了反应气源的分解状态,认为Ge含量的提高主要是SiH4的分解率降低所导致的.在较窄的电极间距(7 mm)下,等离子体中GeH3基团的比例较大,增强了Ge前驱物的扩散能力,使μc-Si1-x Gex:H薄膜的质量得到提高.; 曹宇张建军严干贵倪牮李天微黄振华赵颖

功率梯度法制备微晶硅锗太阳电池: 本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)技术，采用适当比例的硅烷、锗烷、氢气作为反应气源，在衬底温度为200℃条件下制备微晶硅锗薄膜。首先研究了辉光功率对微晶硅锗薄膜材料结构特征和光电特性的影响。结果表明...; 曹宇张建军倪牮王先宝黄振华孙健耿新华赵颖; 关键词：太阳能电池; 文献传递

RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池被引量：7: 2013年; 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了衬底温度对高Ge含量(≈50%)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性和电学特性的影响。结果表明:较低的衬底温度会抑制μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长;而当衬底温度过高时,μc-SiGe:H薄膜的O含量和微结构因子较大。在衬底温度为200℃时,获得了光电特性和结构特性较优的高Ge含量μc-SiGe:H薄膜。将优化好的μc-SiGe:H薄膜应用到电池中,在本征层为600nm的情况下,获得了转换效率为3.31%(Jsc=22.5mA/cm2,Voc=0.32V,FF=0.46)的单结μc-SiGe:H电池,电池在1 100nm处的光谱响应达5.49%。; 曹宇张建军李天微黄振华马俊杨旭倪牮耿新华赵颖; 关键词：衬底温度太阳电池

一种吸收层具有带隙梯度结构的微晶硅锗薄膜太阳电池: 一种吸收层具有带隙梯度结构的微晶硅锗薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、P型窗口层、本征吸收层、N<Sup>+</Sup>层、背反射电极和金属电极，所述本征吸收层具有带隙梯度结构，薄膜层数为2-5层，薄膜厚度为50...; 张建军曹宇李天微黄振华倪牮赵颖耿新华; 文献传递

氢氦共同稀释对微晶硅锗薄膜结构特性的影响: 2013年; 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在200℃的衬底温度下,以SiH4和GeH4为反应气体,H2和He为稀释气体,制备微晶硅锗(μc-Si1-x Ge x∶H)薄膜。结合Raman,XRF,FTIR,AFM等测试,我们分析了不同流量He的掺入对高锗含量(Ge含量～40%)μc-Si1-x Ge x∶H薄膜结构性能和光电特性的影响。结果表明,随着He稀释/H2稀释(C He/H2=He/H2)的增加,薄膜的Ge含量基本保持不变,H含量减少,致密度提高,Ge悬挂键和微结构因子先减少后增大。C He/H2=36%时,薄膜光电特性最好。; 李天微张建军曹宇倪牮黄振华赵颖; 关键词：等离子体增强化学气相沉积

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黄振华