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丁锐

作品数:10 被引量:23H指数:3
供职机构:中国科学院等离子体物理研究所更多>>
发文基金:国家磁约束核聚变能发展研究专项安徽省科技厅年度重点项目更多>>
相关领域:理学核科学技术一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 7篇理学
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇核科学技术
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇碳纳米管
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米管
  • 4篇储氢
  • 3篇物理吸附
  • 3篇分子
  • 2篇动力学
  • 2篇逾渗
  • 2篇偏滤器
  • 2篇计算机
  • 2篇计算机模拟
  • 2篇分形
  • 2篇分子动力学
  • 1篇单壁
  • 1篇动力学模拟
  • 1篇动力学研究
  • 1篇压强
  • 1篇衍生物
  • 1篇英文
  • 1篇荧光

机构

  • 8篇安徽大学
  • 2篇中国科学院等...
  • 2篇中国核工业集...
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 10篇丁锐
  • 6篇程锦荣
  • 3篇张立波
  • 3篇刘遥
  • 3篇丁振峰
  • 2篇汪志
  • 2篇才来中
  • 2篇王晓
  • 1篇崔学武
  • 1篇刘健
  • 1篇蔡立君
  • 1篇戴磊
  • 1篇刘翔
  • 1篇黄德财
  • 1篇张镜洋
  • 1篇毕勤成
  • 1篇赵敏
  • 1篇韩乐
  • 1篇薛雷
  • 1篇颜建国

传媒

  • 5篇安徽大学学报...
  • 2篇核聚变与等离...
  • 1篇计算物理

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
三维分形聚集生长的计算机模拟被引量:4
2005年
采用AGG模型(AggregationGenerationbyGenerationModel)在3种不同的近邻条件下和5种不同尺寸的网格中分别模拟了三维分形聚集体的生长过程,并计算了相应的逾渗阈值和分形维数。计算结果表明,分形聚集的逾渗阈值仅取决于空间维数和近邻条件,与模型的网格大小无关,是分形系统固有的临界属性。生长概率等于逾渗阈值时,聚集体可以无限生长并保持分形维数恒定;此时,分形维数只是空间维数的函数。
程锦荣丁锐
关键词:分形逾渗
钨偏滤器的单元结构设计以及相关实验研究被引量:5
2016年
主要针对偏滤器的单元结构进行了设计,重点研究了靶板表面结构的尺寸以及偏滤器靶板和拱顶两种水冷结构的几何参数、流动参数等对偏滤器结构和性能的影响。在此基础上,确定偏滤器单元结构设计和优化的指导原则,并针对偏滤器靶板和拱顶的水冷结构进行了高热负荷的热工水力试验,对偏滤器冷却结构的换热性能进行试验评估。最后,对偏滤器单元在热载荷、电磁载荷和机械载荷共同作用下的结构应力和安全性进行分析。
才来中蔡立君颜建国韩乐丁锐刘翔毕勤成张镜洋
关键词:偏滤器
碳纳米管阵列储氢的分子动力学研究
本文首先阐述了研究碳纳米管储氢的意义所在,指出碳纳米管是一种很有前途的储氢材料。 其次,回顾了自1997年以来关于碳纳米管储氢的实验和理论研究工作进展,并对实验和理论研究的主要结果进行了比较,发现两者尚存在一定...
丁锐
关键词:碳纳米管分子动力学
文献传递
单壁氮化硼纳米管储氢的理论研究
2007年
采用蒙特卡罗方法模拟常温、中等压强下单壁氮化硼纳米管的储氢,重点研究了单壁氮化硼纳米管的管径、管长和手性以及压强对其物理吸附储氢的影响.与单壁碳纳米管的物理吸附储氢相比较,氮化硼纳米管的储氢性能明显优于碳纳米管.计算结果显示,在常温、中等压强下单壁氮化硼纳米管的物理吸附储氢量(质量百分数)可以达到美国能源部提出的商业标准.
丁振峰程锦荣丁锐张立波汪志王晓
关键词:物理吸附储氢
分形聚集逾渗性质的计算机模拟(英文)被引量:3
2007年
提出3种模型———小尺寸随机逐次成核生长模型和二维及三维代代聚集生长模型,在不同的近邻条件下和不同尺寸的网格中,通过蒙特卡罗模拟,系统地研究了一维、二维和三维分形聚集的逾渗性质.计算结果显示,分形聚集的逾渗阈值仅取决于空间维数和近邻条件,与模型的网格大小无关,是分形系统固有的临界属性;生长概率等于逾渗阈值时,聚集体可以无限生长并保持分形维数恒定,此时的分形维数只是空间维数的线性函数.
程锦荣丁锐刘遥
关键词:分形逾渗蒙特卡罗模拟
高荧光氰基二苯乙烯衍生物的设计、合成与性质
光电功能材料是材料领域的研究热点,对社会经济发展具有巨大的推动作用。特别是有机光电功能材料,其具有结构明确、容易提纯、利于裁剪和自组装等优点,在OLED、化学传感器和生物显影等领域有广泛的应用。近年来,人们报道了很多性能...
丁锐
关键词:光电功能材料合成工艺发光性能
HL-2M偏滤器的综合模拟技术初步研究被引量:6
2016年
利用SOLPS和DINA程序,对偏滤器的数值模拟进行综合研究。结合HL-2M装置,针对偏滤器的结构优化、脱靶物理过程、偏滤器送气与抽气、垂直位移事件(VDE)等问题进行了模拟研究。分析了偏滤器靶板位形以及脱靶对偏滤器靶板热载荷的影响,研究了偏滤器的送气位置、送气速率、抽气速率等因素对于偏滤器性能的影响;同时,利用DINA程序对HL-2M装置的VDE过程进行了预测分析,并给出了HL-2M装置发生VDE过程的等离子体电流剖面变化,从而为HL-2M装置的偏滤器结构设计和分析提供输入数据。
才来中崔学武刘健薛雷丁锐
关键词:偏滤器DINAVDE
碳纳米管阵列储氢的物理吸附特性被引量:3
2004年
采用巨正则蒙特卡罗方法,在室温、100大气压下对以方阵和三角方式排列的碳纳米管阵列的物理吸附储氢进行计算机模拟,发现氢分子可被吸附于碳纳米管阵列的管内和管外,管外的储氢密度普遍高于管内,方阵阵列优于三角阵列,并给出了相应的理论解释。
程锦荣戴磊赵敏丁锐黄德财
关键词:氢分子物理吸附碳纳米管阵列大气压储氢室温
碳纳米管阵列储氢的分子动力学模拟被引量:2
2006年
采用分子动力学方法,模拟了常温和不同压强下,氢在不同管径和管间距的单壁碳纳米管阵列(SWCNTA—S ingle-walled Carbon Nanotube Arrays)中的物理吸附过程.重点研究了压强、管径和管间距对SWCNTA(管内和管间隙)物理吸附储氢的影响.发现氢分子主要储存在SWCNTA的管壁附近,适当地增大管径和管间距可有效增加SWCNTA的物理吸附储氢量,使其在常温下具有较高的储氢能力,并给出了相应的理论解释.计算结果表明,在常温和中等压强下,SWCNTA的物理吸附总储氢量(重量百分比)可达4.2%,从而为同等条件下SWCNTA具有较高储氢能力的实验结果提供了直接的理论支持.
程锦荣丁锐刘遥丁振峰张立波
关键词:物理吸附储氢巨正则系综分子动力学模拟
化学势对模拟计算单壁碳纳米管储氢的影响
2007年
对计算化学势的Widom测试粒子方法进行了改进.采用改进后的Widom测试粒子方法和周期边界流体系统的压力算法,研究开放系统的化学势随压强的变化,给出了具体的函数关系,并证明了其正确性.在此基础上,通过巨正则蒙特卡罗模拟,仔细地分析了化学势对模拟计算单壁碳纳米管储氢的影响.计算结果表明,化学势的偏差对模拟计算单壁碳纳米管储氢有着非常显著的影响.
程锦荣刘遥张立波丁锐丁振峰王晓汪志
关键词:化学势压强碳纳米管储氢
共1页<1>
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