您的位置: 专家智库 > >

伍捷

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:自然科学总论水利工程自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇水利工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇解析模型
  • 2篇击穿电压
  • 2篇场板
  • 2篇场板结构
  • 1篇雨量
  • 1篇蒸发
  • 1篇蒸发量
  • 1篇渗漏
  • 1篇生态
  • 1篇生态问题
  • 1篇湖底
  • 1篇降雨
  • 1篇降雨量
  • 1篇防渗
  • 1篇防渗膜
  • 1篇GAN

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇伍捷
  • 2篇赵金霞
  • 2篇杨月寒
  • 2篇靳翀
  • 2篇杜江锋
  • 2篇武鹏
  • 1篇蒋其梦
  • 1篇陈卫

传媒

  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇实验科学与技...
  • 1篇2007'信...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型被引量:1
2008年
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。
杜江锋赵金霞伍捷杨月寒武鹏靳翀陈卫
关键词:解析模型击穿电压电场分布场板GAN
场板结构GaN HEMT电场分布解析模型
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。该模型指出,当场板长度L<,FP>与绝缘层厚度t<,ox>最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场...
杜江锋赵金霞伍捷杨月寒靳翀
关键词:电场分布击穿电压解析模型场板结构
文献传递
圆明园湖底渗漏的生态问题被引量:1
2006年
目前对圆明园湖底是否铺设防渗膜争论很多,但尚未有结果。该文针对圆明园湖底渗漏所造成的生态问题,考虑铺设防渗膜前的湖底渗漏情况,和铺设防渗膜后的富营养化问题(氮离子浓度变化),给出了铺设防渗膜后改善圆明园生态的合理解释。采用时间步长法模拟湖水系统的水循环过程,模拟结果与事实情况具有很好的一致性。同时对该解释做了合理性分析与评价。
伍捷蒋其梦武鹏
关键词:防渗膜蒸发量降雨量
共1页<1>
聚类工具0