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兰昊
作品数:
4
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供职机构:
哈尔滨工程大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘云涛
哈尔滨工程大学
王颖
哈尔滨工程大学
曹菲
哈尔滨工程大学
邵雷
哈尔滨工程大学
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深槽
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特征导通电阻
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总剂量
1篇
总剂量效应
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击穿电压
机构
4篇
哈尔滨工程大...
作者
4篇
兰昊
2篇
邵雷
2篇
曹菲
2篇
王颖
2篇
刘云涛
年份
1篇
2018
2篇
2013
1篇
2011
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一种栅增强功率半导体场效应晶体管
本发明提供的是一种栅增强功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、介质层(203)、分裂栅(204)、栅电极(205)、n+层(206)、源电极(207)、沟道区(208),介质层(203)的K值是按...
王颖
兰昊
曹菲
刘云涛
邵雷
SOI像素探测器结构设计与特性研究
单片集成绝缘层上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)有源像素探测器是近几年快速发展的一种新型硅基探测器。SOI像素探测器有许多优势,不需要凸点键合(Bump Bonding)工艺,高速高集成度,较小像素...
兰昊
关键词:
背栅效应
电荷收集
总剂量效应
栅增强功率UMOSFET深槽介质工程模拟研究
近些年来,随着电力工业的发展和环保意识的提高,高效和节能越来越受到人们的重视。因此,对功率MOS器件的功耗和转换效率要求也越来越高。拥有高的耐压的同时又拥有低的导通电阻的功率器件,被许多现代电子工业应用领域所要求。功率槽...
兰昊
关键词:
电场效应
击穿电压
特征导通电阻
文献传递
一种栅增强功率半导体场效应晶体管
本发明提供的是一种栅增强功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、介质层(203)、分裂栅(204)、栅电极(205)、n+层(206)、源电极(207)、沟道区(208),介质层(203)的K值是按...
王颖
兰昊
曹菲
刘云涛
邵雷
文献传递
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