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兰昊

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：哈尔滨工程大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电子系统
  • 2篇漂移
  • 2篇牺牲
  • 2篇晶体管
  • 2篇功率半导体
  • 2篇沟道
  • 2篇半导体
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电场效应
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷收集
  • 1篇电阻
  • 1篇深槽
  • 1篇特征导通电阻
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇击穿电压

机构

  • 4篇哈尔滨工程大...

作者

  • 4篇兰昊
  • 2篇邵雷
  • 2篇曹菲
  • 2篇王颖
  • 2篇刘云涛

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2013
  • 1篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种栅增强功率半导体场效应晶体管
本发明提供的是一种栅增强功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、介质层(203)、分裂栅(204)、栅电极(205)、n+层(206)、源电极(207)、沟道区(208)，介质层(203)的K值是按...
王颖兰昊曹菲刘云涛邵雷
SOI像素探测器结构设计与特性研究
单片集成绝缘层上硅(Silicon-On-Insulator，SOI)有源像素探测器是近几年快速发展的一种新型硅基探测器。SOI像素探测器有许多优势，不需要凸点键合(Bump Bonding)工艺，高速高集成度，较小像素...
兰昊
关键词：背栅效应电荷收集总剂量效应
栅增强功率UMOSFET深槽介质工程模拟研究
近些年来,随着电力工业的发展和环保意识的提高,高效和节能越来越受到人们的重视。因此,对功率MOS器件的功耗和转换效率要求也越来越高。拥有高的耐压的同时又拥有低的导通电阻的功率器件,被许多现代电子工业应用领域所要求。功率槽...
兰昊
关键词：电场效应击穿电压特征导通电阻
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一种栅增强功率半导体场效应晶体管
本发明提供的是一种栅增强功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、介质层(203)、分裂栅(204)、栅电极(205)、n+层(206)、源电极(207)、沟道区(208)，介质层(203)的K值是按...
王颖兰昊曹菲刘云涛邵雷
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