冯玉芳
- 作品数：5 被引量：18H指数：2
- 供职机构：四川师范大学化学与材料科学学院更多>>
- 发文基金：四川省青年科技基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：理学航空宇航科学技术更多>>
- 碳纳米管吸附铜原子的密度泛函理论研究被引量：10
- 2009年
- 采用密度泛函方法对铜原子在有限长(5,5)椅型单壁碳纳米管的吸附行为进行了研究.计算结果表明,铜原子吸附在管外壁要比吸附在管内壁能量上更为有利,在管外壁碳原子顶位吸附最佳,属于明显的化学吸附.且用前线轨道理论对其成键特性进行了分析,表明在顶位吸附时主要由铜原子的4s轨道电子与碳纳米管中耦合的σ-π键形成新的σ键.此外还对比计算了两种典型位置电子密度,发现顶位吸附的成键中有更大的电子云重叠.进一步表明在某些情况下铜碳原子可以成键.
- 张变霞杨春冯玉芳余毅
- 关键词：碳纳米管成键特性
- 动力学研究AlN/α-Al2O3(0001)薄膜生长初期的吸附与扩散被引量：7
- 2009年
- 采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,计算了300—800℃下AlN吸附过程与系统能量、动力学轨迹以及扩散系数.研究表明,吸附过程由物理吸附、化学吸附和表面稳定态三个阶段组成,在吸附成键过程中,温度越高,粒子平均表面扩散能力增强.N原子的扩散系数大于Al原子的扩散系数,尤其是在物理吸附阶段.在较高温度条件下(大于700℃),N的解吸附作用明显增强,不利于AlN的稳定吸附生长,500—700℃之间的温度有利于AlN在α-Al2O3(0001)表面的稳定吸附生长.
- 杨春冯玉芳余毅
- 关键词：扩散
- AlN在α-Al_2O_3(0001)表面吸附过程的理论研究被引量：1
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,对α-Al2O3(0001)表面吸附AlN进行了动力学模拟计算,研究了AlN分子在a-Al2O3(0001)表面吸附成键过程、吸附能量与成键方位。计算表明吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,其化学结合能达到4.844eV。吸附后AlN化学键(0.189±0.010nm)与最近邻的表面Al-O键有30°的偏转角度,Al在表面较稳定的化学吸附位置正好偏离表面O六角对称约30°,使得AlN与蓝宝石之间的晶格失配度降低。
- 余毅冯玉芳黄平杨春
- 关键词：ALN薄膜密度泛函理论
- α-Al/_2O/_3（0001）表面吸附AlN的模拟研究
- 蓝宝石上生长AlN薄膜材料在紫外探测器、紫外发光二极管、紫外激光器和高频大功率高电子迁移率器件等光电器件中有重要的应用。目前实验上虽然已制得了高质量的AlN薄膜,然而对其生长机理缺乏理论研究。本论文在分析和总结薄膜生长模...
- 冯玉芳
- 关键词：ALN薄膜密度泛函理论
- 文献传递
- AlN/Al_2O_3(0001)薄膜生长与吸附的表面界面结构研究
- 2013年
- 针对氮化铝异质薄膜的制备,构建了两种AlN/Al2O3(0001)材料生长模型,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对-Al2O3(0001)表面吸附AlN进行了模拟计算。分析了AlN在表面的吸附位置及其表面界面结构,发现AlN相对具有氧六角对称结构的最近邻的表面Al—O键发生了30°的偏转,稳定的化学吸附消除了吸附前表面Al—O层的驰豫,从而有利于AlN薄膜的铅锌矿结构的形成。
- 余毅梁晓琴黄平冯玉芳杨春
- 关键词：ALNAL2O3薄膜计算机模拟
