您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇核科学技术

主题

  • 4篇HL-1M装...
  • 2篇托卡马克
  • 2篇硅化
  • 1篇再循环
  • 1篇真空
  • 1篇真空室
  • 1篇硼化
  • 1篇
  • 1篇HL-1M

机构

  • 4篇中国核工业集...

作者

  • 4篇严东海
  • 4篇张炜
  • 4篇许正华
  • 4篇刘建宏
  • 3篇王恩耀
  • 3篇崔成和
  • 3篇黄永康
  • 2篇王志文
  • 2篇梁雁

传媒

  • 4篇核聚变与等离...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
HL-1M装置真空室硅化的研究被引量:3
2001年
GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子 分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si∶H)薄膜。氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2 (D2 )释放 ,能显著地降低再循环系数 ,有效地控制杂质水平 ,大大拓宽了HL 1M装置的运行范围 ,为HL 1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。
严东海王恩耀崔成和梁雁许正华张炜刘建宏黄永康
关键词:硅化再循环HL-1M装置真空室
HL-1M装置硼化、硅化和锂涂覆壁的出气特性被引量:4
1998年
借助QMS诊断技术,完成了HL-1M装置B化、Si化和Li涂覆壁的出气特性的对比实验研究。氦直流辉光放电清洗[GDC(He)]期间,H2出气占支配地位,杂质分压与H2分压成正比,GDC后的本底放气率较烘烤去气低。GDC(He+H2)是去除膜的有效方法。对应B化、Si化和Li涂覆壁,托卡马克放电后的H2出气量比是1∶0.13∶0.21。出H2量/送H2量对SS壁为0.5,对B化壁为1.8,对Si化和Li涂覆壁则为0.1。对ne归一化的出气量的H密度能有效地表示再循环系数(R)的大小。
严东海王恩耀王志文许正华张炜刘建宏崔成和
关键词:托卡马克硼化硅化
HL-1M 装置的真空进展被引量:5
1999年
总结了1994 至1998 年度HL-1M 装置的真空进展,包括真空壁条件、真空运行参数、放电进展。
严东海王恩耀王志文许正华崔成和梁雁张炜刘建宏黄永康
关键词:HL-1M装置
HL-1M装置的真空抽气系统被引量:9
1997年
本文叙述了HL-1M装置真空抽气系统的设计、调试。
严东海孙守祁许正华黄永康刘建宏张炜兰亚明
关键词:托卡马克
共1页<1>
聚类工具0