刘昭麟
- 作品数：16 被引量：48H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市浦江人才计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 双光子吸收的Franz-Keldysh效应被引量：2
- 2008年
- 从实验上证实Hg0.695Cd0.305Te光电二极管空间电荷区中存在双光子吸收的Franz-Keldysh效应.利用一个皮秒Nd:YAG激光器抽运的光学参量产生器和差频产生器作为激发光源,测量了入射波长为λ0=7.92μm的脉冲激光所激发的光响应随入射光强的变化关系.脉冲光响应峰值强度随入射光强的增大呈现二次幂函数增强趋势.采用等效RC电路模型将脉冲光伏信号峰值与入射光强相关联,得到空间电荷区中强电场下单光束简并双光子吸收系数.通过对比空间电荷区内外双光子吸收系数得到强场下双光子吸收系数为零场下的2.7倍,出现双光子吸收系数的场致增强效应.这表明不仅带间单光子吸收存在Franz-Keldysh效应,双光子吸收过程同样受到Franz-Keldysh效应的影响.
- 崔昊杨李志锋李亚军刘昭麟陈效双陆卫叶振华胡晓宁王茺
- 关键词：碲镉汞双光子吸收
- Cr^(3+)掺杂纳米TiO_2结构相变及光谱特征被引量：25
- 2005年
- 以TiCl4、Cr(NO3)3.9H2O为原料采用共沉淀法制备了掺杂不同量Cr3+离子的纳米TiO2,通过XRD、DSC、TG-DTG、FT-IR和UV-Vis等分析手段对样品的晶体类型、光谱吸收特征进行了表征,并研究了TiO2在锐钛矿型和金红石型之间的晶型转变过程。结果表明Cr3+离子的掺入可促进TiO2的结构相变,显著降低相变温度,延缓了结晶水的排出。少量Cr3+离子掺入TiO2后,主要以替代的方式占据TiO2晶格中Ti4+的位置,并在TiO2禁带中产生掺杂能级,提高了可见波段的光吸收,使原来位于380nm的吸收边向长波方向移动,并且在480nm产生了新的吸收边,实现了与太阳光谱的匹配。当掺杂量达到33%时,Cr3+可能以Cr2O3的形式与基体TiO2形成新物质Cr2TiO5。
- 刘昭麟崔作林张志焜
- 关键词：掺杂锐钛矿型金红石型相转变
- 应力导致InAs/In_(0.15)Ga_(0.85)As量子点结构中In_(0.15)Ga_(0.85)As阱层的合金分解效应研究被引量：2
- 2007年
- 利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAsDWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到了极大的优化.基于有效质量近似的数值计算结果表明:量子点后生长过程中应力导致In0.15Ga0.85As阱层合金分解机理是导致量子点尺寸和光学性质得到优化的主要原因.
- 王茺刘昭麟陈平平崔昊杨夏长生杨宇陆卫
- 关键词：光致发光光谱
- 红外－近红外波长上转换探测器
- 本发明公开了一种将InAs多量子点红外探测器和发光二极管串联集成在同一块芯片上的红外-近红外波长上转换探测器。所说的多量子点红外探测器是由交替生长10个周期的InAs/In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1-y</...
- 陆卫刘昭麟甄红楼李宁李志锋陈平平张波陈效双
- 文献传递
- 纳米TiO_2的结构相变和光学性能被引量：13
- 2004年
- 以TiCl4为原料 ,采用沉淀法制备了水合TiO2 沉淀 ,分别于 1 0 0℃、30 0℃、40 0℃、60 0℃、80 0℃煅烧处理。用紫外 可见光谱和导数吸收光谱研究了纳米TiO2 的吸收带边、能隙随着煅烧温度变化而变化的情况 ,结合XRD、TG DSC分析了不同温度下TiO2 的晶型及晶型转变情况。结果表明 ,随热处理温度的升高 ,TiO2 的晶相结构由非晶到锐钛矿型再到金红石型转变 ,40 0℃为锐钛矿型 ,60 0℃已出现金红石型 ,80 0℃已完全转变为金红石型 ;晶粒尺寸随热处理温度的升高而逐渐增大 ;带隙宽度、吸收带边随热处理温度的升高而变窄和“红移”。
- 刘昭麟张志焜
- 关键词：纳米氧化钛结构相变锐钛矿型金红石型光学性能
- 掺杂铬纳米二氧化钛半导体的制备及性能的研究
- 该研究以TiCl<,4>、Cr(NO<,3>)<,3>·9H<,2>O、氨水为前驱物,采用共沉淀法制备了掺杂Cr<'3+>纳米二氧化钛.对制备过程中的影响因素,如反应物浓度、反应温度、滴加速度与搅拌速度、陈化、溶液PH值...
- 刘昭麟
- 关键词：纳米二氧化钛掺杂
- 文献传递
- 插入生长AlGaAs薄膜对InAs量子点探测器性能的影响
- 2008年
- 利用分子束外延生长获得的两个InAs量子点样品制备了n型的量子点红外探测器.对于其中一个器件,在InAs量子点有源区的底部和顶部分别插入生长了AlGaAs势垒层.利用透射电阻显微技术研究了两个样品的结构特性;利用光致发光光谱和光电流谱研究了两个器件的光电性质.实验结果表明,AlGaAs层的插入对器件的探测性质有显著的影响.利用有三维效质量近似模型的计算结果,指认了带内光电流谱中峰结构的起源.
- 王茺刘昭麟李天信陈平平崔昊杨肖军张曙杨宇陆卫
- 关键词：INAS量子点光致发光光谱
- 一种生长在蓝宝石衬底上的复合缓冲层及制备方法
- 本发明公开了一种生长在Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上的复合缓冲层及制备方法，该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层、GaN层、InN:Mn层及InN过渡层。制备方法采用MBE生长方式，首先...
- 陈平平陆卫刘昭麟李天信王少伟陈效双
- 文献传递
- 红外－近红外波长上转换探测器
- 本发明公开了一种将InAs多量子点红外探测器和发光二极管串联集成在同一块芯片上的红外－近红外波长上转换探测器。所说的多量子点红外探测器是由交替生长10个周期的InAs/In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1－y <...
- 陆卫刘昭麟甄红楼李宁李志锋陈平平张波陈效双
- 文献传递
- 氧非正分La_(0.9)Ba_(0.1)MnO_(3-δ)/SrTiO_3:Nbp-n异质结的整流特性研究被引量：2
- 2008年
- 利用脉冲激光沉积技术在掺Nb的SrTiO3衬底上制备了氧非正分La0.9Ba0.1MnO3-δ/SrTiO3:Nbp-n异质结.在20—300K这一较宽的温度范围内获得了光滑的整流曲线.整流实验表明:该p-n异质结的正向扩散电压VD随着温度升高在薄膜金属—绝缘转变温度附近出现极大值,表现出与氧正分La0.9Ba0.1MnO3/SrTiO3:Nbp-n结截然不同的温度特性.结合薄膜的电阻-温度实验和能带计算结果,对这一奇异的现象进行了解释.
- 王茺刘昭麟刘俊明陈雪梅崔昊杨夏长生杨宇陆卫
