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刘金彬

作品数:14 被引量:22H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信生物学医药卫生农业科学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇生物学
  • 1篇医药卫生
  • 1篇农业科学

主题

  • 4篇电路
  • 4篇硅基
  • 3篇电光
  • 3篇电容
  • 3篇调制器
  • 3篇英文
  • 3篇视网膜
  • 3篇网膜
  • 2篇电光调制
  • 2篇电光调制器
  • 2篇氧化层
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇植入
  • 2篇探测器
  • 2篇膜下
  • 2篇脑机接口
  • 2篇金属
  • 2篇金属接触
  • 2篇集成电路

机构

  • 14篇中国科学院
  • 2篇北京大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 14篇刘金彬
  • 13篇陈弘达
  • 8篇顾明
  • 6篇刘海军
  • 5篇裴为华
  • 5篇黄北举
  • 4篇高鹏
  • 3篇隋晓红
  • 2篇黎晓新
  • 2篇胡小凤
  • 2篇陈晶华
  • 2篇张旭
  • 1篇李春安
  • 1篇曹晓光
  • 1篇吴慧娟
  • 1篇黄家乐
  • 1篇李凯
  • 1篇许奇明
  • 1篇吴惠娟
  • 1篇唐君

传媒

  • 4篇Journa...
  • 3篇高技术通讯
  • 3篇第九届北京学...
  • 1篇中华眼底病杂...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 7篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用于视觉修复的视网膜下植入微芯片被引量:9
2005年
为治疗由视网膜光感受器退化引起的失明,研制了一种可以满足视网膜下植入要求的光电刺激器件--硅基PIN光电探测器阵列结构微芯片,这种电刺激芯片可以在一定程度上代替因疾病受损的光感受细胞,向位于光感受细胞之后、尚未损伤的其他视网膜细胞发出电刺激,从而引发视神经的视觉冲动.微芯片制作采用了硅、硅氧化物以及金等生物相容性较好的材料.在微芯片上利用半导体工艺刻蚀隔离槽,形成一个探测器面阵,面阵上的每个探测器单元可以根据照射在其上的光强大小产生相应的刺激电流.对制作的芯片进行了生物相容性、伏安特性、响应度以及光谱特性的测量,结果表明,芯片在眼睛安全用光的范围内可以产生足够强度的刺激电流,满足动物植入实验的要求.
裴为华陈弘达唐君鲁琳刘金彬吴惠娟陈晶华胡小凤黎晓新李凯
关键词:视网膜电刺激微芯片PIN光电探测器膜下生物相容性
应用于脑机接口无线微系统的专用集成电路设计
脑机接口(BCI)是利用脑电信号实现人脑与计算机或其他外部设备的通讯和控制,在康复医学和控制工程等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了应用于BCI无线微系统的工作过程,并重点论述了BCI植入系统专用集成电路关键模块的设计。
朱琳顾明张旭刘金彬陈弘达
关键词:脑机接口电路设计专用集成电路
文献传递
用于视网膜修复的光电脉冲频率调制电路(英文)
2006年
提出了一种用于视网膜修复的脉冲频率调制电路结构.该电路产生频率正比于入射光强度的电脉冲序列.论证分析了该电路的基本特性,并基于0.6μmCMOS工艺进行了流片.仿真结果表明,该电路可以应用于视网膜下植入.
刘金彬陈弘达高鹏裴为华隋晓红
关键词:脉冲频率调制
硅基CMOS发光二极管驱动电路的设计
采用商业0.35μm标准CMOS工艺设计了一种硅基CMOS发光二极管的驱动电路。建立了该发光二极管的等效电路模型。模拟结果显示该驱动电路工作频率可以达到200MHz以上,调制输出电流幅度可以达到20mA。该驱动电路能为C...
刘海军顾明刘金彬黄北举陈弘达
关键词:CMOS工艺驱动电路等效电路
文献传递
三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器
一种三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器,包括一衬底;一二氧化硅掩埋层位于衬底上;一n型单晶硅层为衬底上的单晶硅,制作成凹槽结构;一n+注入层制作在n型单晶硅层两侧的平面上;一横向栅氧化层和一纵向栅氧化层,制作在n型...
陈弘达黄北举刘金彬顾明刘海军
文献传递
高性能硅基MOS电光相位调制器(英文)被引量:2
2006年
提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器.与普通单一电容型MOS调制器相比,由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率.模拟显示,调制电压和调制长度乘积为VπLπ=2·4V·cm,上升和下降时间分别为80和40ps ,带宽达到了8GHz .通过减小器件尺寸能进一步提高调制效率和调制速度.
黄北举陈弘达刘金彬顾明刘海军
关键词:电光相位调制器金属-氧化物-半导体
提取神经电信号的单片集成CMOS前置放大器的仿真研究(英文)被引量:3
2005年
提出一种用于提取神经电信号的新型单片集成CMOS前置放大器.在放大器输入端引入的交流耦合电容可以消除存在于电极电解液之间的电极极化电压,栅源电压为负值的二极管连接的nMOS晶体管能够作为大电阻,并且占用很小芯片面积,可以通过此大电阻为前置放大器提供直流偏置,同时不影响输入阻抗值.通过对输入级进行理论噪声分析,确定了放大器中的各个器件参数.仿真结果表明,由于采用电容负反馈结构,此放大器的交流增益为38.8dB,无直流增益,在0.1Hz~1kHz频率范围内,总输入等效噪声为277nVrms.
隋晓红刘金彬顾明裴为华陈弘达
关键词:前置放大器等效输入噪声
正常及光感受器损伤兔眼视网膜下芯片植入后的电生理结果被引量:2
2006年
目的观察视网膜下芯片所引起的光感受器损伤及正常兔眼的电生理改变。方法青紫蓝兔共30只,其中22只兔NaIO3生理盐水溶液静脉注入后眼光感受器受到损伤。将一个由90个微光电二极管组成的阵列和相连电极构成的直径约3mm的芯片通过巩膜切口植入4只正常及22只注药后光感受器损伤兔右眼的视网膜下腔或脉络膜中,左眼为对照眼;分别检测芯片眼及对照眼局部闪光视觉诱发电位(F-VEP)、局部闪光视网膜电图(F-ERG)、全视野闪光VEP及全视野闪光ERG。另外4只兔双眼摘作病理检查。结果22只色光感受器损伤兔中有11只芯片眼的局部ERG主波振幅明显大于对照眼;4只正常兔中,2只芯片眼的局部ERG主波振幅大于对照眼。1只芯片眼表面视网膜出现破孔不能引出任何波。局部VEP及全视野闪光VEP重复性较差,全视野闪光ERG未见明确差别。结论植入的芯片在受到光刺激后可刺激局部视网膜并引起局部视网膜的电活动。
胡小凤黎晓新吴慧娟陈晶华曹晓光徐秀兰刘国栋李春安裴为华陈弘达隋晓红刘金彬
关键词:视网膜视网膜电描记术动物实验替代试验
用于脑机接口系统的低功耗CMOS发射电路
介绍一种用于生物医学领域短距离数据传输的低功耗CMOS集成发射电路。这种发射电路采用拓扑结构简单、功率耗散低的片上环形振荡器产生载波,并通过全差分放大器进行缓冲。由混频器实现基带信号对载波调制。另由带隙基准电流源为电路中...
张旭顾明刘海军刘金彬陈弘达
关键词:脑机接口环形振荡器数据传输
文献传递
三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器
一种三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器,包括一衬底;一二氧化硅掩埋层位于衬底上;一n型单晶硅层为衬底上的单晶硅,制作成凹槽结构;一n+注入层制作在n型单晶硅层两侧的平面上;一横向栅氧化层和一纵向栅氧化层,制作在n型...
陈弘达黄北举刘金彬顾明刘海军
文献传递
共2页<12>
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