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卢卓宇

作品数：9 被引量：3H指数：1
供职机构：武汉大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇校正方法
  • 3篇磁强计
  • 2篇单轴
  • 2篇电流源
  • 2篇电子背散射衍...
  • 2篇性能研究
  • 2篇弱磁场
  • 2篇三轴磁强计
  • 2篇碳化硅
  • 2篇探头
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇外部磁场
  • 2篇离子注入
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇感器
  • 2篇EBSD
  • 2篇标量

机构

  • 9篇武汉大学

作者

  • 9篇卢卓宇
  • 7篇蒋昌忠
  • 4篇任峰
  • 4篇刘斯
  • 4篇张俊杰
  • 2篇蔡光旭
  • 2篇肖湘衡
  • 1篇付强
  • 1篇范丽霞
  • 1篇李慧
  • 1篇李慧
  • 1篇付强
  • 1篇薄昌忠

传媒

  • 2篇武汉理工大学...

年份

  • 2篇2010
  • 3篇2008
  • 4篇2007
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
EBSD在InGaAsP／InP异质结构弹性应力区域的研究被引量：1
2007年
利用扫描电镜附件电子背散射衍射（Electron Backscattering Diffraction，EBSD）技术，用菊池花样质量（IQ）作为应力敏感参数，研究了InGaAsP／InP异质结构缓冲层和外延层界面处的应力分布。
范丽霞卢卓宇任峰薄昌忠付强
离子注入形成SiC纳米颗粒的发光性能研究被引量：2
2007年
用离子注入法将Si、C离子注入到非晶二氧化硅中，样品分别在600℃，800℃和1100℃进行了退火，并在1100℃时作了1h,2h、3h和4．5h的退火。用透射电镜（TEM）和光致发光（PL）研究了退火温度以及退火时间对样品的微结构和发光特性的影响。实验表明，退火后样品中形成了SiC纳米颗粒，PL谱中观察到了缺陷和SiC纳米颗粒的发光。
李慧卢卓宇蒋昌忠任峰肖湘衡蔡光旭
关键词：碳化硅光致发光热退火
磁通门传感器探头
本发明公开了一种新型的磁通门传感器探头，采用圆环型磁芯，单独的激励线圈绕在磁芯上，然后将磁环置于一方形中心“井”字型镂空的骨架上的圆型凹槽中，分别在骨架的四边缠绕四个匝数相等的线圈作为感应和反馈线圈。感应线圈能够大幅度减...
卢卓宇刘斯张俊杰蒋昌忠
文献传递
磁通门磁强计的研究
卢卓宇
关键词：磁强计
三轴磁强计校正方法以及三轴磁梯度计校正方法
本发明涉及一种磁强计校正方法以及磁梯度计校正方法，尤其是涉及一种三轴磁强计校正方法以及三轴磁梯度计校正方法。本发明在无需标准三轴线圈、标准磁场及已规格化三轴磁强计的条件下对三轴磁强计和三轴磁梯度计的非正交性、轴间耦合及灵...
卢卓宇刘斯张俊杰蒋昌忠
文献传递
磁通门传感器探头
本发明公开了一种新型的磁通门传感器探头，采用圆环型磁芯，单独的激励线圈绕在磁芯上，然后将磁环置于一方形中心“井“字型镂空的骨架上的圆型凹槽中，分别在骨架的四边缠绕四个匝数相等的线圈作为感应和反馈线圈。感应线圈能够大幅度减...
卢卓宇刘斯张俊杰蒋昌忠
文献传递
三轴磁强计校正方法以及三轴磁梯度计校正方法
本发明涉及一种磁强计校正方法以及磁梯度计校正方法，尤其是涉及一种三轴磁强计校正方法以及三轴磁梯度计校正方法。本发明在无需标准三轴线圈、标准磁场及已规格化三轴磁强计的条件下对三轴磁强计和三轴磁梯度计的非正交性、轴间耦合及灵...
卢卓宇刘斯张俊杰蒋昌忠
文献传递
EBSD在InGaAsP／InP异质结构弹性应力区域的研究
利用扫描电镜附件电子背散射衍射(Electron Backscattering Diffraction,EBSD)技术,用菊池花样质量(JQ)作为应力敏感参数,研究了InGaAsP／InP异质结构缓冲层和外延层界面处的应...
范丽霞卢卓宇任峰蒋昌忠付强
文献传递
离子注入形成SiC纳米颗粒的发光性能研究
用离子注入法将Si、C离子注入到非晶二氧化硅中,样品分别在600℃,800℃和1 100℃进行了退火,并在 1 100℃时作了1 h、2 h、3 h和4．5 h的退火。用透射电镜(TEM)和光致发光(PL)研究了退火温度...
李慧卢卓宇蒋昌忠任峰肖湘衡蔡光旭
关键词：碳化硅光致发光热退火
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