吴市
- 作品数：12 被引量：29H指数：4
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- 含双键聚硅烷的合成方法
- 本发明涉及一种含双键聚硅烷的制备方法。本发明方法采用电化学合成法，用镁块作阴阳极，将甲基三氯硅烷与烯丙基氯在四氢呋喃溶液中进行聚合，合成出带有双键的聚硅烷。本发明方法得到的含双键聚硅烷且本发明方法反应条件温和，易控制，操...
- 吴市陈来张峰君范雪骐任慕苏孙晋良
- 文献传递
- 含硼聚硅烷的合成方法
- 本发明涉及一种含硼聚硅烷的合成方法。本发明方法采用电化学合成法，用镁块作阴阳极，将二卤硅烷或三卤与烯丙基氯在四氢呋喃溶液中进行聚合，合成出含硼聚硅烷。本发明方法得到的含硼聚硅烷且本发明方法反应条件温和，易控制，操作简单、...
- 吴市陈来钱林任慕苏孙晋良
- 文献传递
- 电化学合成聚硅烷的反应速率被引量：3
- 2008年
- 采用电化学法，合成出含双键聚硅烷与不含双键聚硅烷，通过FT—IR，UV，^1HNMR表征其结构。分别研究了电化学反应体系和直接化学反应体系中Si—Cl键含量的变化，以及加入引发剂蒽对反应速率的影响。结果表明：含双键聚硅烷的合成反应速率快于不含双键的聚硅烷，相同反应电量下含双键聚硅烷反应体系中的Si—Cl键含量比不含双键聚硅烷少10％～15％；在电化学合成聚硅烷的过程中。单体与镁发生的格氏反应在整个反应中占有相当的比例；引发剂葸的加入能够有效地提高不含双键聚硅烷的反应速率。本文还对电化学合成聚硅烷的反应机理进行了推测。
- 吴市张峰君钱林陈来张家宝潘健峰周春节任慕苏孙晋良
- 关键词：聚硅烷电化学合成反应速率
- 电化学合成的含双键聚硅烷被引量：7
- 2007年
- 采用电化学合成法,将甲基三氯硅烷与烯丙基氯进行聚合,合成出带有双键的聚硅烷,通过FT-IR,UV,1H-NM R,GPC表征了其结构,测定了产物的双键含量,并对产物进行了交联固化和高温裂解实验。结果表明,产物中双键保留率为8.2%,双键的引入使聚硅烷获得了很高的质量保留率及较高的陶瓷产率。
- 吴市陈来张峰君范雪骐任慕苏孙晋良
- 关键词：聚硅烷双键电化学合成
- 先驱体浸渗裂解法制备C/C-SiC复合材料的烧蚀性能(英文)被引量：8
- 2008年
- 用先驱体浸渗裂解法制备了碳纤维增强碳(carbon fiber reinforced carbon,C/C)-SiC复合材料,用H2-O2火焰法检测其烧蚀性能。结果表明:C/C-SiC复合材料的烧蚀率随复合材料中的Si含量的增加而呈下降趋势;经过5次浸渍,C/C-SiC复合材料的密度从1.46 g/cm3增加到1.75 g/cm3,Si含量从5.06%增加到13.8%,线烧蚀率和质量烧蚀率分别下降474%和34.5%。密度为1.75 g/cm3的C/C–SiC复合材料,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为2.22μm/s和1.289 mg/s,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为密度1.78 g/cm3的C/C复合材料的21.7%和78.6%。基体中SiC的引入明显提高了C/C复合材料的抗氧化烧蚀性能。
- 吴市陈来钱林张家宝潘健峰周春节任慕苏孙晋良
- 关键词：烧蚀抗氧化
- 聚甲基硅烷/二乙烯基苯的交联和裂解被引量：4
- 2006年
- 本文研究了在不同的交联制度下,不同配比的聚甲基硅烷(PMS)/二乙烯基苯(DVB)对凝胶含量、陶瓷产率、陶瓷显微结构的影响。结果表明:随保温温度的升高,交联体系凝胶含量、陶瓷产率逐渐增大。PMS/DVB配比越小,陶瓷显微结构的缺陷越多。PMS/DVB配比为1/0.2,保温温度为300℃时,陶瓷产率较高,达到80%。XRD分析表明所得陶瓷为β-SiC。
- 范雪骐陈来吴市张峰君张家宝任慕苏孙晋良
- 关键词：先驱体二乙烯基苯交联陶瓷
- 含双键聚硅烷的合成方法
- 本发明涉及一种含双键聚硅烷的制备方法。本发明方法采用电化学合成法，用镁块作阴阳极，将甲基三氯硅烷与烯丙基氯在四氢呋喃溶液中进行聚合，合成出带有双键的聚硅烷。本发明方法得到的含双键聚硅烷且本发明方法反应条件温和，易控制，操...
- 吴市陈来张峰君范雪骐任慕苏孙晋良
- 文献传递
- 陶瓷先驱体聚硅烷的合成与表征被引量：6
- 2006年
- 以甲基氢二氯硅烷为单体,利用超声波条件下Wurtz聚合的方法,合成了可溶性聚硅烷,研究了对二溴苯和萘对反应的影响,并用红外光谱(IR)、凝胶渗透色谱(GPC)、X射线衍射(XRD)对产物进行了表征.结果表明:对二溴苯和萘均能使聚合反应平稳进行;在含有对二溴苯的反应体系中,所得聚硅烷的分子量较大,聚硅烷的陶瓷产率较高.对聚合机理作了初步探讨.
- 张峰君陈来孙晋良任慕苏吴市范雪骐
- 关键词：聚硅烷陶瓷先驱体
- 含双键聚硅烷的电化学合成被引量：3
- 2009年
- 采用电化学合成法,以三氯甲基硅烷和烯丙基氯为单体合成出含有双键的聚硅烷,通过FT-IR,GPC,1H-NMR表征了其结构。研究了单体配比、单体浓度、电极材料、反应电量、换向时间和电解质浓度对含双键聚硅烷电化学合成的影响。结果表明,三氯甲基硅烷与氯丙烯的比率为3/1,电极为镁电极时,重均分子量和双键保留率达到了最高值,分别为3749和12.6%。增加反应电量、缩短换向时间和降低单体浓度都可以提高产物的分子量和产率。
- 钱林陈来田玲吴市张家宝任慕苏孙晋良
- 关键词：聚硅烷双键
- 含硼聚硅烷的合成方法
- 本发明涉及一种含硼聚硅烷的合成方法。本发明方法采用电化学合成法，用镁块作阴阳极，将二卤硅烷或三卤与烯丙基氯在四氢呋喃溶液中进行聚合，合成出含硼聚硅烷。本发明方法反应条件温和，易控制，操作简单、安全，所制得的含硼聚硅烷能明...
- 吴市陈来钱林任慕苏孙晋良
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