吴春瑜
- 作品数：78 被引量：101H指数：5
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程自然科学总论更多>>
- 超突变结变容管容压变化指数的研究被引量：1
- 1996年
- 应用改进的超突变结变容管杂质分布模型，对以杂质分布的不同参数值为特征的容压变化指数ｎ进行了数值计算并绘成了关系曲线图。
- 吴春瑜朱长纯
- 关键词：变容二极管工艺参数
- 一种语音压缩编解码芯片中调用过程的实现
- 2007年
- 针对低速率语音压缩算法对处理器系统实时处理复杂运算的性能要求,就程序调用过程的ASIC实现问题进行了对比与分析,进而提出了用层次状态寄存器控制存取算子对存储体交叉访问的方法,并结合运用寄存器窗口传递参数的功能,以及利用空指令硬布线处理流水线冲突的方法,有效地解决了TR600芯片中调用过程存在的主要问题.
- 陶洪亮吴迪吴春瑜
- 关键词：专用集成电路
- 超突变结变容管C－V曲线拐点存在条件的研究被引量：1
- 1996年
- 根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程，对电容变化比较大时变容管的Ｃ－Ｖ曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究，得出了产生拐点的条件，从而给出了理论上的解释．
- 朱长纯吴春瑜张九惠
- 关键词：变容二极管
- 等效表面电荷对台面半导体器件钝化的影响被引量：3
- 2007年
- 进一步研究了半导体斜角造型p-n结的表面空间电荷层模型与表面耗尽区模型。计算了耗尽情况下p-n结的表面空间电荷密度,分析了等效表面电荷密度对正斜角造型p-n结表面耗尽区的影响。利用聚酰亚胺和聚酯改性漆钝化的晶闸管电学特性证实了等效表面电荷密度对台面半导体钝化的影响。同时,通过分别采用聚酰亚胺和掺氧多晶硅钝化的高压整流管研究表明,基于掺氧多晶硅的钝化结构具有屏蔽电荷和均匀电场的作用。
- 王颖曹菲吴春瑜
- 关键词：钝化
- 一种安全终端芯片的体系结构设计
- 2006年
- 针对目前国内安全通信芯片研发领域的落后状况,提出了一种安全终端机(CSTU)芯片的体系结构.着重描述了该体系的组成、系统管理器及主从译码器的结构和工作原理,以及系统状态寄存器和指令体系的主要内容.根据状态寄存器的情况,主从译码器对体系中可重置IP进行复用,实现安全通讯功能.
- 吴春瑜吴迪刘玉芬
- 基于SRAM的MMU新设计方法被引量：1
- 2007年
- 采用了新的模拟模块的设计方法,可以高效地实现MMU设计所要求的快速建立虚拟地址和物理地址映射的功能,并且该方法在缩小MMU面积上和缩短设计流程上有所创新,比较同类其他设计方法在性能上要优越得多,并给出了该设计方法在某公司的C340项目的应用实例.
- 吴春瑜林爽陶洪亮
- 关键词：内容可寻址存储器内存管理单元
- 功率半导体器件终端SIPOS/PI复合钝化结构研究
- 2010年
- 本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜.研究结果表明,SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件,可以有效地提高功率器件的可靠性.基于此提出了SIPOS/PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表面特性.
- 郑英兰王颖钟玲吴春瑜
- 关键词：半绝缘多晶硅漏电流钝化
- 智能工业控制器的设计与实现被引量：1
- 2004年
- 为了实现对温度、压力、流量、液位、湿度等的精确测量、显示,同时输出人工智能或位式开关控制信号,对被测量对象进行有效的正作用或反作用控制,我们利用单片机技术设计了智能工业控制器.给出了系统的硬件结构和软件设计思路.系统中采用EEPROM实现随机修改用户设置的基本参数,确保掉电后可靠地保持用户设置参数及历史数据.可以与计算机连接实现数据记录、分析和打印.设计符合工厂应用要求,可以由用户自己定义、设计控制器的参数,以满足不同用户的需要.控制器采用参数密码保护和自检系统,有效防止由于错误控制而引起的不可预知的甚至危险的后果.
- 孙立红吴春瑜
- 关键词：智能控制器人工智能密码单片机
- 新型功率半导体器件IGCT的核心技术被引量：7
- 2002年
- 在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等.这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷.ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件-IGCT.它具有大电流、高电压、开关频率高、高可靠性、结构紧凑、低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件.本文对IGCT器件及其工作原理进行简单介绍,并着重对其四项核心技术:缓冲层,透明阳极,逆导和集成门极技术,以及它们对器件性能的改善进行阐述.
- 王 颖李双美吴春瑜白纪彬朱长纯姚振华
- 关键词：功率半导体器件IGCT缓冲层透明阳极绝缘栅双极型晶体管
- 宽温超高频双极静电感应晶体管研制
- 1999年
- 描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明，环境温度从２３℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小于４０％，优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善３０％。
- 丛众王荣吴春瑜闫东梅王大奇
- 关键词：BSIT晶体管
