周昕杰
- 作品数：64 被引量：23H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项江苏省自然科学基金江苏省“333工程”培养资金资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术航空宇航科学技术更多>>
- 一种基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构
- 本实用新型涉及一种基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其包括SOI基板，SOI基板包括硅膜；硅膜的上部刻蚀有沟槽，沟槽内的侧壁及底部生长有第一隔离层，第一隔离层对应于位于沟槽槽底的中心区刻蚀形成生长窗口，沟槽...
- 周昕杰罗静薛忠杰于宗光
- 文献传递
- SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构
- 本发明涉及一种SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构，其包括SOI基板，所述SOI基板包括硅膜；所述硅膜上设置有源区，所述有源区的外圈设有隔离区；所述有源区包括第一导电类型扩散区，所述第一导电类型扩散区的外...
- 罗静薛忠杰周昕杰胡永强周毅
- 文献传递
- 0.18μm自偏置锁相环抗单粒子辐射加固技术研究被引量：2
- 2016年
- 设计了一款抗辐射自偏置锁相环(PLL),对PLL电路中关键逻辑进行单粒子效应分析,找出敏感节点,再对这些节点进行加固设计。该PLL电路用SMIC 0.18μm 1P4MCMOS工艺实现了设计。加固后的电路在中国原子能科学研究院核物理研究所,选择入射能量为206MeV、LET为37MeV·cm2/mg的72 Ge离子进行了单粒子辐射试验。PLL未发生失锁现象,能够满足航天应用的需求。
- 周昕杰郭刚沈东军史淑廷陈嘉鹏
- 关键词：锁相环
- 一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构
- 本实用新型涉及一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构，其包括信号延时电路及抗单粒子锁存电路；信号延时电路的延时时间大于单粒子瞬态扰动产生的最大脉冲宽度；抗单粒子锁存电路同时接收并比较外部输入信号及所述外部输入信号经过信号...
- 周昕杰薛忠杰王栋罗静徐睿周毅
- 文献传递
- 一种高温度稳定性的GaN基准电压源设计被引量：1
- 2023年
- 基于宽带隙、高饱和电子漂移速率、高击穿场强等材料特性优势,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频大功率器件领域发展前景广阔。在集成电路中,基准电压源是为其他电路模块提供稳定参考电压的关键功能模块。基于0.5μm BCD GaN HEMT工艺,提出了一种GaN基准电压源的设计方案。Cadence Spectre仿真结果显示,该GaN基准电压源在-40~150℃范围内可实现2.04 V的稳定电压输出,温度系数为3.7×10^(-6)/℃。在室温27℃下,当电源电压由5 V增至20 V时,输出电压的线性灵敏度为0.13%/V。该GaN基准电压源具有高温度稳定性,后续可与不同的GaN基电路模块组合构成功能丰富的GaN基集成电路。
- 张黎莉邱一武殷亚楠王韬周昕杰
- 关键词：基准电压源温度稳定性
- 共源共栅结构GaN HEMT器件高能质子辐射效应
- 2025年
- 针对增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件,利用5 MeV、60 MeV和300 MeV质子进行注量为2×10^(12)~1×10^(14) cm^(-2)的辐照实验,研究高能质子辐照后器件电学性能的退化规律和损伤机制。实验发现,注量为2×10^(12) cm^(-2)的5 MeV质子辐照后,器件阈值电压明显减小,跨导峰位负漂且峰值跨导减小,饱和漏极电流显著增加,栅泄露电流无明显变化,当辐照注量达到1×10^(13)cm^(-2)后,电学性能退化受到抑制并趋于饱和。分析认为Cascode结构GaN HEMT器件内部级联硅基MOS管的存在是导致辐照后阈值电压负漂和漏极电流增大的内在原因。结合低频噪声测试分析,发现质子辐照注量越高,器件噪声功率谱密度越大,表明辐照引入的缺陷就越多,辐照损伤越严重。与60 MeV和300 MeV质子辐照结果相比,5 MeV质子辐照后器件电学特性退化最为严重。利用SRIM仿真得到GaN材料受到质子辐照后产生的空位情况,结果显示质子入射能量越低,产生的空位数量越多(镓空位VGa占主导),器件电学特性退化就越显著。
- 邱一武董磊殷亚楠周昕杰
- 关键词：质子辐照电学特性低频噪声
- 一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构
- 本发明涉及一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，器包括半导体基板；所述半导体基板上设置有源区，所述有源区内设置对称分布的场氧区，所述场氧区通过对应的有源区隔离；所述有源区内设有栅极端，场氧区对称分布于栅极...
- 罗静王栋邹文英薛忠杰周昕杰胡永强
- 文献传递
- 一种基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构
- 本发明涉及一种基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其包括SOI基板，SOI基板包括硅膜；硅膜的上部刻蚀有沟槽，沟槽内的侧壁及底部生长有第一隔离层，第一隔离层对应于位于沟槽槽底的中心区刻蚀形成生长窗口，沟槽内通...
- 周昕杰罗静薛忠杰于宗光
- 文献传递
- 辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析被引量：1
- 2012年
- 基于部分耗尽型绝缘层上硅(SOI)器件的能带结构,从电荷堆积机理的电场因素入手,为改善辐照条件下背栅Si/SiO_2界面的电场分布,将半导体金属氧化物(MOS)器件和平板电容模型相结合,建立了背栅偏置模型.为验证模型,利用合金烧结法将背栅引出加负偏置,对NMOS和PMOS进行辐照试验,得出:NMOS背栅接负压,可消除背栅效应对器件性能的影响,改善器件的前栅I-V特性;而PMOS背栅接负压,则会使器件的前栅I-V性能恶化.因此,在利用背栅偏置技术改善SOI/NMOS器件性能的同时,也需要考虑背栅偏置对PMOS的影响,折中选取偏置电压.该研究结果为辐照条件下部分耗尽型SOI/MOS器件背栅效应的改善提供了设计加固方案,也为宇航级集成电路设计和制造提供了理论支持.
- 周昕杰李蕾蕾周毅罗静于宗光
- 关键词：总剂量效应背栅效应
- 一种沟槽型氧化镓异质结势垒肖特基二极管
- 本发明涉及一种沟槽型氧化镓异质结势垒肖特基二极管，所述二极管采用沟槽结构设计，自下而上由阴极金属、N+衬底层、第一N型缓冲层、第二N型缓冲层、第三N型缓冲层、第一轻掺杂漂移层、N型场阻止层、第二轻掺杂漂移层、NiO保护环...
- 王韬殷亚楠周昕杰张黎莉邱一武
