周跃平
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市人才强教计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN基发光二极管的寿命测试与可靠性分析
- 随着GaN基材料生长研究以及半导体器件制作工艺的进展,目前的半导体发光二极管已经向高效高亮度方向迅速发展,其应用领域也越来越广,包括指示灯、交通信号灯、液晶背光源、显示屏、半导体照明等。由于应用领域越来越广,发光管的可靠...
- 周跃平
- 关键词：半导体发光二极管可靠性
- 文献传递
- 两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤被引量：2
- 2006年
- 通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数,并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果.从实验结果可以看出,当ICP功率为750W时,刻蚀引入的损伤最小,刻蚀引起的损伤层厚度最大为25nm.去损伤刻蚀法能有效去除损伤,使采用两步刻蚀法的发光二极管的正向导通电压与反向漏电流均下降,发光亮度增大,非辐射复合比例减小,器件的发光效率和可靠性均得到了提高.
- 宋颖娉郭霞艾伟伟周跃平沈光地
- 关键词：刻蚀损伤I-V特性
- GaN基发光二极管寿命测试及失效分析被引量：11
- 2007年
- 将来自相同外延片和相同制作工艺的30只GaN基绿色发光二极管管芯分成3组,分别加30、40和60 mA电流进行不同时间的老化试验。在老化之前和老化期间测量了器件的光输出功率和I-V特性。将测得的光输出功率数据对时间进行指数函数拟合,得到了每一组器件的退化率及寿命,并推出器件在正常使用条件下的寿命。实验数据分析表明在电流应力作用下,GaN基绿色发光二极管的正向电压随着老化时间的增加单调上升,同时光功率下降。在60 mA下老化的管芯的串联电阻退化严重。对失效器件进行了失效机理分析。
- 周跃平郭霞王海玲高国沈光地
- 关键词：发光二极管电压降
- ICP刻蚀GaP研究及对LED性能的影响被引量：1
- 2008年
- 深入研究了GaP材料在高密度感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀选择比和刻蚀速率随刻蚀系统的源功率、射频功率、腔室压强的变化规律,即通过改变其中一个参数而保持其它参数不变来得出变化规律;同时将刻蚀GaP材料应用到红光LED制作,即电流阻挡层和表面粗化这两种工艺中,通过大量试验,得到了刻蚀形貌和最优的刻蚀条件,制作阻挡层的最优条件为:BCl3流量比为3/1,ICP功率为600W,RF功率为100W,腔室压强为1.0×10-2Pa;表面粗化时只用BCl3气体刻蚀,表面粗化后LED的光强提高了30%。
- 王海玲郭霞周跃平沈光地
- 关键词：磷化镓感应耦合等离子体刻蚀
