唐俊雄
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及其应用技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金湖南省科技厅重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 全耗尽SOI MOSFETs阈值电压和电势分布的温度模型(英文)
- 2008年
- 提出了一个全耗尽SOIMOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型.基于近似的抛物线电势分布模型,利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解.同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型.该温度模型详细地研究了电势分布和阈值电压跟温度之间的变化关系,同时还近似地探讨了短沟道效应.为了进一步验证模型的正确性,利用SILVACOATAS软件进行了相应的模拟.结果表明,模型计算与软件模拟吻合较好.
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：全耗尽SOIMOSFETS电势阈值电压
- (Bi_(3.7)Dy_(0.3))(Ti_(2.8)V(0.2))O_(12)铁电薄膜的制备及退火影响
- 2008年
- 铁电材料在铁电存储器等领域具有良好的应用前景，受到极大的关注，其中铋层状铁电薄膜因为其良好的铁电性，得到了广泛的研究。采用溶胶-凝胶法在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）基底成功沉积出（Bi3．7Dy0．3）（Ti2．8V0．2）012（BDTV）的A、B位同时掺杂的铁电薄膜，发现这种双掺能够显著改善薄膜的铁电性。研究了650～800℃不同退火温度下，BDTV铁电薄膜的铁电性能、晶体结构及表面形貌变化。通过SEM分析发现，温度为750℃时，薄膜的颗粒生长较好，薄膜的铁电性能最佳。
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：溶胶-凝胶表面形貌铁电性
- SOI器件及铁电存储器特性研究
- 随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸变得越来越小,导致了各种寄生效应如短沟道效应、闩锁效应、寄生电容效应等。为了满足集成电路发展的需要,必然要对半导体器件进行改进,出现了各种各样新型的半导体器件。其中突出表现为...
- 唐俊雄
- 关键词：SOI器件阈值电压
- 文献传递
- 部分耗尽SOI MOSFETs中翘曲效应的温度模型(英文)
- 提出了一种部分耗尽 SOI MOSFETs 器件翘曲效应的一个温度模型。详细地分析了漏电流在不同温度下的导通机制。总的电流由两部分组成：一部分是上 MOS 的电流,另一部分是由下部的寄生三极管电流。漏电流的突然增加来源于...
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：阈值电压
- 文献传递
- 部分耗尽SOI MOSFETs中沟道的非对称掺杂效应(英文)
- 2008年
- 利用二维模拟软件对部分耗尽SOI器件中的非对称掺杂沟道效应进行了模拟.详细地研究了该结构器件的电学性能,如输出特性,击穿特性.通过本文模拟发现部分耗尽SOI非对称掺杂沟道相比传统的部分耗尽SOI ,能抑制浮体效应,改善器件的击穿特性.同时跟已有的全耗尽SOI非对称掺杂器件相比,部分耗尽器件性能随参数变化,在工业应用上具有可预见性和可操作性.因为全耗尽器件具有非常薄的硅膜,而这将引起如前栅极跟背栅极的耦合效应和热电子退化等寄生效应.
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：MOSFETS击穿电压
- 部分耗尽SOI MOSFETs中翘曲效应的温度模型
- 2007年
- 提出了一种部分耗尽SOI MOSFETs器件翘曲效应的一个温度模型。详细地分析了漏电流在不同温度下的导通机制。总的电流由两部分组成：一部分是上MOS的电流，另一部分是由下部的寄生三极管电流。漏电流的突然增加来源于浮体区电势的增加。在本模型还分析了浮体电势、阈值电压与温度的变化关系。
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：部分耗尽SOIMOSFETS阈值电压
