唐慧
- 作品数：16 被引量：5H指数：2
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- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片及制造方法
- 高倍过载1KPa硅微压传感器芯片及方法，其特征在于梁—单岛双面双片微结构：上芯片正面“I”形梁上“U”形压力敏感电阻，浅槽外周为铝电极引线及引线焊盘；上芯片背面，相对于浅槽部位，剩余膜片厚度与中心方形支撑相连，即为单硬芯...
- 徐淑霞张治国郑东明梁峭徐长伍唐慧张纯棣刘芙常伟陈琳
- 文献传递
- 一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构
- 一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构，其特征在于梁—单岛双面双片微结构：上芯片正面“I”形梁上“U”形压力敏感电阻，浅槽外周为铝电极引线及引线焊盘；上芯片背面，相对于浅槽部位，剩余膜片厚度与中心方形支撑相连，即为单硬...
- 徐淑霞张治国郑东明梁峭徐长伍唐慧张纯棣刘芙常伟陈琳
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- 力、磁、热敏传感器关键技术的开发与工程化研究
- 徐开先赵志诚庞世信陈信琦徐淑霞唐慧张治国刘沁林洪吴虹张仕卿孙仁涛徐洪李妍君于振毅
- 该项目共投资6858万元，改造面积达6720m<'2>，新增仪器设备120台套，其中进口71台套。经过建设与改造，完善了力敏传感器、磁敏传感器、热敏传感器以及传感器应用的开发、加工条件，测试和可靠性试验环境以及保障条件。...
- 关键词：
- 关键词：热敏传感器力敏传感器磁敏传感器生产线硅压阻传感器生产工艺
- 响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析（英文）
- 2016年
- 利用响应面分析方法优化了用于压力传感器硅敏感芯体的刻蚀操作条件。主要考虑了温度、KOH浓度和腐蚀时间三个操作参数,将它们的范围分别设定为40~60℃,0.4~0.48mol/L和5~12.5h,并设定各向异性腐蚀速率为响应值。通过建立二次方模型,分析这些参数的单独影响以及多个操作条件之间对腐蚀速率的相互交叠作用。分析结果表明：模型可以精确预测99%的响应值,相比于腐蚀时间,溶液浓度和工作温度对刻蚀速率的影响更为明显。
- 付文婷梁峭崔可夫石天立张娜郑东明唐慧孙海玮
- 关键词：刻蚀速率传感器
- 电容式硅加速度传感器的研制
- 研制了一种电容式硅加速度传感器。敏感器件采用先进的微机械加工工艺,有效地提高了加工精度, 降低成本,减小体积和重量。给出了该器件的结构和工艺设计,给出了中心极板和固定极板的加工工艺流程。研制的传感器具有一定的实用性,并已...
- 张治国陈信琦李颖唐慧
- 关键词：硅电容MEMS
- 耐低温气象压阻传感器研制被引量：2
- 2015年
- 介绍了一种耐低温气象传感器的制作方法,该传感器应用于航天环控系统,采用扩散硅压阻芯片、TO—8管座装配、硅凝胶封装,体积小、质量轻,对外界恶劣环境适应性强,使用温区在-55~95℃。测试结果显示：该传感器常温静态、高低温性能良好,低温性能甚至比国际产品更有优越性。制作工艺步骤简单、成本低,具有很高的实用价值。
- 张娜唐慧梁峭刘剑孙海玮
- 关键词：压阻硅凝胶传感器
- 高温压力传感器
- 高温压力传感器，包括SIMOX/SDB结构硅单晶片和封装结构，其特征是双面抛光的硅单晶片的正面加工形成P型电阻桥、以及与电阻桥相连的耐高温复合电极，在硅单晶片的背面与正面电桥相对应的区域加工出规定量程所要求厚度的硅敏感膜...
- 唐慧陈信琦祝永峰李长春
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- 多功能扩散硅压力传感器
- 多功能扩散硅压力传感器，以硅敏感芯片7为基底，在其正面两个惠斯登电桥1、2和一个感温电阻3，其特征在于：在芯片7的背面、与其正面两个惠斯登电桥相对应的位置为敏感膜片4、敏感膜片5，与玻璃8上面相对、玻璃8下面与导压管9相...
- 唐慧张治国陈信琦郑东明刘宏伟孙海玮
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- 多功能硅压阻复合传感器
- 一种多功能硅压阻复合传感器主要由硅敏感芯片、双抛玻璃、导压管、基座组成，其特征在于硅敏感芯片7是指在双面抛光的N型硅单晶片的正面注入硼形成P型差压敏感电桥1、静压敏感电桥2，并在两电桥联接处置有温度敏感元件3，硅敏感芯片...
- 郑永辉陈信琦唐慧孙海玮刘辉史云肖孙烈鹏
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- 硅压阻式压力敏感芯片
- 本标准规定了硅压阻式压力敏感芯片（以下简称敏感芯片）术语和定义、分类、基本参数、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于硅压阻式压力敏感芯片。
- 唐慧刘沁徐秋玲于振毅张治国徐淑霞殷波王冰陈信琦黄正兴王文襄郭宏宁宁李延夫高峰
- 关键词：芯片SENSORSCHIPS
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