唐政维
- 作品数：43 被引量：104H指数：5
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金重庆市科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程文化科学更多>>
- 基于电感并联峰化的宽带CMOS跨阻前置放大器被引量：1
- 2013年
- 提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽。当光电二极管电容为250fF时,该电路的-3dB带宽为9.2GHz,跨阻增益为57.6dBΩ,平均等效输入噪声电流谱密度约为16.5pA/(Hz)(1/2)(0～10GHz),电路的群时延为±20ps。在1.8V单电源供电时,功耗为26mV。
- 王巍武逶冯其王川唐政维王振袁军
- 关键词：跨阻放大器CMOS
- 耗尽型4H-SiC埋沟MOSFET器件解析模型研究被引量：1
- 2010年
- 建立了基于漂移扩散理论的4H-SiC埋沟MOSFET器件的物理解析模型。SiC/SiO_2界面处的界面态密度及各种散射机制都会导致器件载流子迁移率的下降,采用平均迁移率模型,分析散射机制对载流子迁移率的影响,讨论了界面态对阈值电压的影响。考虑到器件处在不同工作模式下,沟道电容会随栅压的变化而改变,采用了平均电容概念。器件仿真结果表明:界面态的存在导致漏极电流减小;采用平均迁移率模型得到的计算结果与实验测试结果较为一致。
- 王巍秘俊杰曾勇王晓磊唐政维彭能
- 关键词：SIC埋沟MOSFET界面态
- 摩托车点火器用脉冲分离电路
- 本发明公开了一种摩托车点火器用脉冲分离电路，涉及摩托车点火电路。它主要由一个正向脉冲处理电路、一个负向脉冲处理电路、两个脉冲比较放大器、两个施密特触发器及一个泄放通路组成。本发明电路将脉冲分离电路和摩托车自动进角控制电路...
- 唐政维周忠强吴贵能张跃龙杨小优
- 一种高压大电流半导体放电管的研究被引量：1
- 2013年
- 针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下,易局部过热而损坏这一问题,采用镓闭管扩散代替硼扩散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽镓扩散所带来的问题、玻璃钝化工艺实现高压结面保护等方法。实验结果表明,通过镓扩散、台面刻槽、玻璃钝化和钛镍银多层金属化等工艺,提高了放电管的启动保护电压和最大浪涌电流,其最大浪涌电流达到6 kA,比设计值5 kA提高了20%。
- 唐政维向导张盼盼
- 关键词：高压大电流半导体放电管玻璃钝化
- 基于SiC的MOSFET的汽车发动机用氧传感器
- 本发明公开了一种基于SiC材料的MOSFET的汽车发动机用氧传感器及其制备方法。利用了碳化硅材料的禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率大等良好特性，将其作为N型沟道MOSFET的P型衬底，满足高温工作的要求...
- 王巍彭能罗元王晓磊代作海唐政维冯世娟李银国徐洋
- 文献传递
- 大功率LED芯片倒焊装方法
- 本发明请求保护一种大功率LED芯片倒装焊方法，涉及微电子技术领域，本发明所采用的技术方案是在LED芯片上淀积TiNiAg层，在LED芯片电极上淀积金属铟，在硅基板上淀积TiNiAg层，对应于LED芯片电极位置的硅基电板上...
- 唐政维李秋俊关鸣蔡雪梅何小凡
- 文献传递
- 玻璃钝化技术对半导体放电管抗浪涌能力的影响被引量：2
- 2004年
- 半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件,极间电容是其应用到高频环境下的一个限制因素。文章从半导体放电管的基本结构出发,介绍了用玻璃钝化技术去除放电管侧壁电容的方法。理论分析表明,在没有采用玻璃钝化技术时,流过放电管结底部的电流大于流过其侧壁的电流,因此,采用玻璃钝化技术对半导体放电管的抗浪涌能力影响不大。
- 李小鹏唐政维
- 关键词：半导体放电管玻璃钝化
- 一种用于模数转换器时钟管理电路的电荷泵
- 2022年
- 采用0.13μm CMOS工艺,设计了一种用于模数转换器时钟电路的电荷泵。在共源共栅充/放电流源与其偏置电路之间增加传输门,有效地抑制了电荷泵关闭时产生的漏电流。同时,采用电流源提升技术,有效地提高了电荷泵充/放电电流支路的阻抗,抑制了沟道长度调制效应的影响,提高了电荷泵的电流匹配性。仿真结果表明,在1.2 V电源电压、20μA输出电流的条件下,输出电压的变化范围为0.13~0.93 V时,该电荷泵的充/放电电流失配低于1%。
- 周前能李恒李红娟张红升杨虹唐政维
- 关键词：模数转换器电荷泵
- 分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法
- 本发明公开一种分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法，涉及半导体技术领域，本发明将单元胞放电管的阴极发射区N1和N3的面积进行等分，分割成多个正方形的阴极发射区，将等分分割之后形成的正方形的阴极发射区在基区上横向和纵向展...
- 唐政维左娇谢欢蒋龙向导张盼盼徐佳张志华罗嵘赵卫峰李文富
- 文献传递
- 基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器及制造方法
- 本发明公开了一种基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器，包括SiC衬底层、TiO<Sub>2</Sub>氧气敏感层、金属铂电极I、n+高掺杂层和钛-铂金属复合层电极；SiC衬底层一侧溅射TiO<Sub>2</Sub>氧气敏...
- 王巍代作海罗元王晓磊白晨旭唐政维李银国
- 文献传递
