您的位置: 专家智库 > >

孙杨慧

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 3篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米线
  • 2篇磷掺杂
  • 2篇磷酸锌
  • 2篇炉温
  • 2篇金膜
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体质量
  • 2篇掺杂
  • 1篇氮化镓
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇氧化锌
  • 1篇氧化锌纳米结...
  • 1篇原位
  • 1篇原位生长
  • 1篇退火
  • 1篇谱性质

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇孙杨慧
  • 3篇俞大鹏
  • 3篇赵清
  • 3篇高靖云
  • 1篇侯玉敏
  • 1篇王晓伟
  • 1篇王朋伟
  • 1篇朱新利
  • 1篇朱瑞
  • 1篇李琰
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 3篇2012
  • 2篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
氨化Ga_2O_3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线被引量:2
2011年
在管式炉中用化学气相沉积(CVD)法在高温下用金做催化剂,首次通过氨化Ga2O3和金属Ga粒组成的混合镓源制备出高质量的GaN纳米线。运用SEM,TEM,XRD以及Raman,PL等表征手段分析了氮化镓纳米线的形貌、结构以及发光性质。最后着重探讨了通过改变镓源的构成、氨化温度以及镓源和生长衬底间的距离等生长条件,研究了其对氮化镓形貌的影响,藉以提高在管式炉中生长GaN的可控性及可重复性,为制备大量GaN纳米线提供了依据。
李琰王朋伟孙杨慧高靖云赵清俞大鹏
关键词:化学气相沉积法氮化镓纳米线
一种制备磷掺杂氧化锌纳米线的方法
本发明公开了一种制备磷掺杂氧化锌纳米线的方法,该方法包括如下步骤:1)将磷酸锌粉末放在瓷舟中,镀有金膜的衬底放在磷酸锌粉末的正上方或者两侧当做收集纳米线的衬底;2)将瓷舟推入石英套管中,再将石英管放入管式炉的中央,排出管...
高靖云孙杨慧赵清俞大鹏
基于原位手段研究氧化锌纳米结构的生长机制
作为一种有着巨大应用潜能的短波长光电材料,氧化锌(ZnO)在过去的十年里掀起了人们的研究热潮。同时,由于纳米科技的兴起,氧化锌纳米材料也成了目前氧化锌研究中的热点之一。不同的制备方法,包括化学气相沉积法、脉冲激光沉积法、...
孙杨慧
关键词:原位生长氧化锌第一性原理计算光催化性能
ZnO纳米线PL光谱性质改善的研究
2012年
采用CVD方法在管式炉中生长了ZnO纳米线,并通过SEM、TEM和PL光谱仪表征了其形貌、结构及光谱性质。利用Au表面等离激元共振与材料的相互作用,在ZnO纳米线表面镀上Au膜,发现其对ZnO纳米线的PL光谱有明显的改善,纳米线本征发光增强20倍左右,缺陷发光有显著的减弱。通过高温退火,结果显示ZnO纳米线的本征发光和缺陷发光之间存在很强的竞争,在入射光功率一定的条件下,高温退火后ZnO纳米线的本征发光明显地减弱,缺陷发光显著地增强。对退火后的ZnO纳米线镀上Au膜,发现其本征发光增强了30倍左右。这些结果比现有的报道有显著提高。
王晓伟孙杨慧王伟朱瑞朱新利侯玉敏
关键词:ZNO纳米线退火
一种制备磷掺杂氧化锌纳米线的方法
本发明公开了一种制备磷掺杂氧化锌纳米线的方法,该方法包括如下步骤:1)将磷酸锌粉末放在瓷舟中,镀有金膜的衬底放在磷酸锌粉末的正上方或者两侧当做收集纳米线的衬底;2)将瓷舟推入石英套管中,再将石英管放入管式炉的中央,排出管...
高靖云孙杨慧赵清俞大鹏
文献传递
共1页<1>
聚类工具0