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孙硕

作品数:16 被引量:10H指数:2
供职机构:兰州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金甘肃省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学医药卫生核科学技术更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇医药卫生
  • 1篇核科学技术

主题

  • 4篇发光
  • 4篇发光器件
  • 3篇电致发光
  • 3篇有机电致发光
  • 3篇PTCDA
  • 3篇AFM
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇影像
  • 2篇有机半导体
  • 2篇有机半导体材...
  • 2篇有机场效应晶...
  • 2篇有机电致发光...
  • 2篇有机发光
  • 2篇有机发光器件
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇肿瘤
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体管
  • 2篇半导体

机构

  • 16篇兰州大学
  • 3篇兰州交通大学
  • 3篇湖南科技大学
  • 2篇兰州大学第一...
  • 2篇上海市肺科医...

作者

  • 16篇孙硕
  • 12篇张福甲
  • 7篇李建丰
  • 7篇欧谷平
  • 4篇董茂军
  • 3篇肖剑
  • 3篇胥超
  • 2篇马敏杰
  • 2篇陶春兰
  • 2篇韩彪
  • 2篇陈昶
  • 2篇何花
  • 2篇马翔
  • 1篇李海蓉
  • 1篇李霞
  • 1篇王成龙
  • 1篇范多旺
  • 1篇苏庆
  • 1篇冯煜东
  • 1篇张春林

传媒

  • 5篇功能材料
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇兰州大学学报...
  • 1篇中国胸心血管...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中华胸心血管...
  • 1篇西安石油大学...
  • 1篇光电子

年份

  • 3篇2023
  • 1篇2021
  • 5篇2008
  • 7篇2007
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析
2007年
通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si(100)面。采用Raman光谱,AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响,进而完善了p-Si基PTCDA薄膜的生长机制。
孙硕胥超张桂铃苏庆李建丰欧谷平张福甲
关键词:RAMAN光谱AFM衬底温度
基于HDMI视频信号接收的电荷泵PLL设计被引量:2
2007年
介绍了一种实现HDMI中数字视频信号接收的方法,设计并实现了一种新的用于HDMI中像素数据和时钟信号恢复的电荷泵锁相环;通过V-I电路的改进降低了压控震荡器的增益,改善了控制电压的波动对压控震荡器频率的影响,从而减小时钟抖动;采用频率检测电路对输入时钟信号频率进行自动检测分段,可实现大的频率捕获范围,从而实现了对高达UXGA格式的数字视频信号接收;采用Hspice-RF工具对压控震荡器的抖动和相位噪声性能进行仿真,SMIC0.18μsCMOS混合信号工艺进行了流片验证,测试结果表明输入最大1.65Gbit/s像素数据信号条件下PLL输出的时钟信号抖动小于200ps.
肖剑李冬仓孙硕张福甲
关键词:频率捕获过采样
PTCDA表面射频磁控溅射ITO薄膜的特性研究被引量:1
2007年
将氧化铟锡(ITO)溅射淀积在PTCDA/玻璃衬底表面,利用原子力显微镜(AFM)、四探针和紫外可见分光光度计分别测量薄膜的表面形貌、电阻率和透光率。结果表明衬底温度对ITO在PTCDA上的淀积有着与在其他衬底上淀积所不同的影响,提高衬底温度淀积ITO并没有提高薄膜的结晶度;溅射功率的提高有利于ITO电阻率的下降,但是功率过高会破坏ITO薄膜的特性ITO膜厚度的增加导致其电阻率减小。
孙硕胥超冯煜东肖剑张福甲
关键词:PTCDA透光率
有机反转电致发光器件的负阻特性
2008年
对结构为Si/Al/Alq_3/PVK:TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件I-V特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明:高电压注入时,器件内形成了高浓度的等离子体;载流子寿命和迁移率随注入电压变化;特别是体内出现了严重的电导调制效应使得器件由高阻区变为低阻区,这些是形成负阻特性的主要原因.通过引入双极迁移率和双极扩散系数将空穴和电子的电流连续性方程联合起来,解释了具有负阻区段的I-V特性曲线.
李建丰孙硕张春林李海蓉欧谷平张福甲
关键词:有机电致发光器件负阻现象
p-Si(110)衬底上蒸发生长PTCDA薄膜的生长方式的XRD表征
2021年
我们用XRD对p-Si(110)衬底上蒸发沉积的不同厚度的PTCDA薄膜进行了性能表征。XRD测试结果表明PTCDA在p-Si(110)面上均以晶体方式生长。随蒸发时间变化,即随着PTCDA薄膜的厚度增加,在生长的薄膜中出现了α型和β型两种并存的PTCDA。不同衬底温度下生长的PTCDA薄膜的生长方式为α、β型的共存的PTCDA。生长的PTCDA薄膜都是以晶体形式存在。衬底生长温度为50℃的样片衍射峰大约在2θ ≈ 27.5。衍射峰的位置对应于单斜晶系的(102)晶格平面,此时PTCDA分子平面几乎平行于衬底。生长温度为100℃的样片,PTCDA分子几乎垂直于表面生长。生长温度为150℃的样片与生长温度为100℃的样片其生长方式几乎完全相同。温度为150℃的样片衍射峰强度减小可能归因于在某些区域分子平面相对于衬底平面发生改变。随着温度的升高峰的位置有0.1增加,这归因于β型PTCDA比例的增加。
李霞孙硕张福甲
关键词:PTCDAXRD
高效不对称构建手性α-CF3螺[苯并[b]噻吩-羟吲哚-吡咯烷]及其体外抗肿瘤活性研究
孙硕
基于循环肿瘤细胞的肺实性结节良恶性鉴别预测模型的建立与验证:一项多中心研究
2023年
目的探讨临床影像学特征联合循环肿瘤细胞(circulating tumor cells,CTCs)建立的预测模型对肺实性结节良恶性诊断的价值。方法回顾性纳入上海市肺科医院(肺科组)2021年1月至4月437例孤立肺实性结节患者,采用随机数字表法按4∶1的比例分为训练集和内部验证集,其中训练集350例患者,内部验证集87例患者;纳入兰州大学第一医院(兰州组)2019年8月至2022年5月82例孤立肺实性结节患者为外部验证集。训练集进行logistics回归分析,筛选出独立危险因素构建Nomogram预测模型。ROC曲线验证模型的准确性;校准曲线验证模型的一致性;针对不同直径和中等风险概率的结节进行亚组分析进一步验证模型的性能。结果Logistics回归分析结果显示年龄、CTCs值、胸膜凹陷征、分叶征、毛刺征是肺实性结节的独立危险因素(P<0.05)。内部验证集和外部验证集中,Nomogram预测模型AUC分别为0.888和0.871,结果优于影像学特征预测模型(0.835,P=0.007;0.804,P=0.043)、Mayo预测模型(0.781,P=0.019;0.726,P=0.033)和CTCs单独模型(0.699,P=0.002;0.648,P=0.012);内部验证集和外部验证集的C-指数分别为0.888和0.871,校正C-指数分别为0.853和0.842,内部验证集的预测模型在结节直径5~20 mm和中等风险概率的结节AUC为0.905和0.871。结论本研究建立的预测模型,可以提高肺实性结节良恶性诊断的价值,更有效辅助临床诊断疾病。
马翔马翔何花孙硕陈昶何花马敏杰陈昶
关键词:循环肿瘤细胞
单发光层结构的白色有机电致发光器件的研究被引量:1
2008年
在研究了合成并提纯的蓝光材料Liq和黄光染料Rubrene发光特性的基础上,采用高效的荧光染料Rubrene作为掺杂剂掺杂在母体材料Liq中,制备了单发光层结构的有机电致发光器件。当掺杂摩尔分数为1.0%时,器件得到了近白色发光(色度x=0.29,y=0.34),在驱动电压为24V时,器件的亮度达到了2804cd/m2,在驱动电压为16V时,器件的效率达到了4.6cd/A。
李建丰孙硕欧谷平张福甲
关键词:白色有机电致发光器件掺杂
TMEP作为缓冲层增加有机发光器件的效率的研究
2007年
在有机发光器件中的发光层和阴极之间插入了稳定性好、有良好电子传输能力的苝酸四甲酯(TMEP)新型缓冲层,改善了有机电致发光器件的亮度和发光效率。在电流密度为200mA/cm2时,有缓冲层的器件B效率为0.82cd/A,没有缓冲层的器件A效率为0.14cd/A。
李建丰李勇华孙硕董茂军欧谷平张福甲
关键词:有机电致发光发光效率
功能薄膜在有机光电探测器中的应用研究
半导体光电探测器是将光的能量(光子)转变为电的能量(电压或电流)的一种电子元器件。它是光电系统中必不可少的关键器件,其应用范围和前景十分广阔。在光纤通信、光纤传感、跟踪制导、自动控制以及激光唱机、条码识读、家电遥控等民用...
孙硕
关键词:半导体光电探测器有机半导体材料肖特基势垒
文献传递
共2页<12>
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