孙雷
- 作品数：5 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 一种液态催化剂辅助化学气相沉积制备石墨烯的方法
- 本发明公开了一种利用液态金属或合金作为催化剂化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法。低熔点的金属包括典型的镓、锡和铟等；低熔点的合金包括镓-铜、镓-镍、铟-铜、铟-镍、锡-铜、锡-镍和铜-银-锡等。本发明在金属或合金催化剂熔点...
- 丁古巧王庶民龚谦朱云孙雷狄增峰谢晓明江绵恒
- 文献传递
- Bi2S3薄膜及Bi2S3/SnS异质结电池的制备研究
- 采用化学浴沉积法在玻璃衬底上制备了硫化铋(Bi2 S3)薄膜。当在玻璃衬底上先沉积一层硫化亚锡(SnS)缓冲层再沉积Bi2S3薄膜时，所制备Bi2S3薄膜的均匀性及与衬底的粘附力大大提高。其机理可能为Bi2S3不易在玻璃...
- 高超沈鸿烈孙雷江丰
- 关键词：电学性能玻璃衬底
- 文献传递
- 一种液态催化剂辅助化学气相沉积制备石墨烯的方法
- 本发明公开了一种利用液态金属或合金作为催化剂化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法。低熔点的金属包括典型的镓、锡和铟等；低熔点的合金包括镓-铜、镓-镍、铟-铜、铟-镍、锡-铜、锡-镍和铜-银-锡等。本发明在金属或合金催化剂熔点...
- 丁古巧王庶民龚谦朱云孙雷狄增峰谢晓明江绵恒
- 抛光铜箔衬底上石墨烯可控生长的研究被引量：9
- 2012年
- 本文报导以固态聚苯乙烯为碳源,经机械抛光和电化学抛光双重处理的铜箔为衬底,用CVD法进行石墨烯可控生长的研究结果。用光学显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、光透射谱、扫描隧道显微镜和场发射扫描电镜对生长的石墨烯进行了表征。研究发现经过抛光处理的铜箔由于其平整的表面和很低的表面粗糙度,在其上生长的石墨烯缺陷少,结晶质量高。而未经抛光处理的铜箔在石墨烯生长过程中,铜箔不平整的表面台阶会破坏其上生长的石墨烯的微观结构,在生长的石墨烯二维结构中产生高密度晶界和缺陷。还在双重抛光处理的铜箔上实现了石墨烯的层数可控生长,结果表明固态碳源聚苯乙烯的量为15 mg时可生长出单层石墨烯,通过控制固态源重量得到了1～5层大面积石墨烯。
- 孙雷沈鸿烈吴天如刘斌蒋烨
- 关键词：机械抛光电化学抛光石墨烯
- 低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯
- 2013年
- 以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果。用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征。结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,"表面催化"型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;"溶解析出"型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨"块";金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱。
- 孙雷沈鸿烈李金泽吴天如丁古巧朱云谢晓明
- 关键词：石墨烯化学气相沉积
