宋教花
- 作品数：17 被引量：56H指数：4
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 涂层纳米功能材料
- 纳米材料复合涂层的结构和特性是纳米科技中的重要研究课题,本文重点讨论了制造技术的新观念,纳米材料的完美定律,涂层材料的发展前景,纳米场发射特性等.进而,讨论重要的物理理论研究的热点-电子强关联体系和软凝聚态问题.展现了涂...
- 薛增泉王晶云彭练矛张耿民宋教花申自勇侯士敏高崧赵兴钰张琦锋陈清吴锦雷
- 关键词：场发射软凝聚态物质纳米材料
- 文献传递
- 强流金属离子注入被引量：8
- 2001年
- 金属等离子体浸没注入 (MEPIII)技术与金属蒸气真空弧 (MEVVA)源注入技术有相同之处 ,也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离子注入硅 ,RBS方法分析注入层 ,并对两种注入技术予以比较。
- 张涛宋教花张荟星张孝吉汤宝寅朱剑豪Monteiro O RBrown I G
- 钼和硫同步注入9Cr18不锈钢的摩擦磨损性能
- 2005年
- 钼和硫2种离子同步注入9Cr18不锈钢样品.用针盘摩擦磨损实验机测定了注入样品的耐磨性能,用俄歇电 子能谱仪(AES)测量注入样品成分深度分布,并检测了样品硬度.与钼或硫单独注入9Cr18样品相比,钼和硫的同步注 入使样品的摩擦因数和磨损寿命显著改善,此改性效果与注入层中注入的元素分布的叠加有关.采用计算机模拟了注入 过程,模拟的结果有助于揭示改性层的特点和注入增强效果的机制.
- 朱民张涛宋教花车俊铁李国卿
- 关键词：离子束
- 新型纳米功能材料被引量：7
- 2004年
- 讨论了纳米材料复合薄膜的结构和特性 ,涉及到与力学、防护、电池等特性有关的结构 ,重点分析了电学、光学、光电特性 ,如新型纳米线复合光电池 ,氧化锌 (Zn O)纳米棒阵列的结构和荧光发射 ,以及金属纳米线阵列的制备和场发射特性。金属纳米线阵列场发射的高分辨 ,结构完美 ,工艺简单和极低的成本 。
- 薛增泉奚中和邢英杰张耿民宋教花申自勇侯士敏高崧赵兴钰张琦锋刘惟敏吴锦雷
- 关键词：纳米功能材料电学特性光学特性光电特性显示器
- 沉积温度对NbN膜层微观结构的影响被引量：3
- 2001年
- 利用有磁过滤器的等离子体沉积装置 ,在不同温度的Si基底上沉积氮化铌 (NbN)薄膜 ,通过XRD ,XPS ,SEM等分析 ,研究了NbN薄膜的表面形貌与微观结构跟温度的关系 .发现沉积温度对择优取向有较强的影响 :从室温到约 30 0℃得到的薄膜在 (2 2 0 )峰表现出很强的择优取向 ,50 0℃ (2 2 0 )峰变得很弱 ,(2 0 0 )峰表现出择优取向 ,但不明显 .同时 ,膜层中N和Nb的原子比先随温度的升高而升高 ,后稍有降低 .温度升高 ,δ NbN的晶粒变大 .室温到 30 0℃很难得到完整的NbN膜 ,而在 50 0℃得到的薄膜完整且光滑 ,膜层中得到单一的δ
- 宋教花张涛侯君达邓志威李永良马芙蓉
- 关键词：沉积温度微观结构择扰取向表面形貌基底温度
- 一维纳米材料的场发射特性研究
- 该文分别研究了多壁碳纳米管(MWNTs)阵列与金属纳米线阵列的制备工艺,结构与场发射性能的关系,场发射稳定性,及场发射机理等.研究内容及所取得的重要结果包括:1)用高温热解酞菁铁的方法制备了高密度的具有很好准直性的多壁碳...
- 宋教花
- 关键词：场发射多壁碳纳米管阵列结构热解法
- 阴极弧等离子源薄膜制备
- 该工作利用具有磁过滤装置的阴极弧等离子体源,通过反庆气相沉积,在Si和碳钢基底上制备NbN、TiN、HfN等过渡旋金属氮化物膜,考察了基底温度和脉冲偏压模式对膜层的影响.用XRD、XPS、AES、SEM等方法对膜层的微观...
- 宋教花
- 关键词：NBNTIN碳钢点蚀
- 文献传递
- 多壁碳纳米管阵列场发射研究被引量：22
- 2004年
- 研究了Ar离子束轰击及温度对多壁碳纳米管阵列场发射性能的影响 .经Ar离子轰击 35min后 ,发现阵列顶端的Fe催化剂颗粒明显减少 ,弯曲的顶部被轰击掉 ,使碳纳米管的场发射电流明显减小而场发射像无明显改变 .温度的增加引起碳纳米管的场发射电流也随之增加 .还研究了在透明阳极技术中涂在阳极的荧光粉对场发射电流的影响 .对同一碳纳米管阵列样品 ,发现涂有荧光粉的透明阳极使测量到的场发射电流大幅度减小 ,只是未涂荧光粉阳极电流的 1 30左右 .直接用二氧化锡导电膜作阳极时 ,测得样品的开启场强为 1 0V μm .沉积了荧光粉的二氧化锡导电膜作阳极时 ,开启场强变为 2 0V μm .
- 宋教花张耿民张兆祥孙明岩薛增泉
- 关键词：透明阳极场发射性能二氧化锡流明多壁碳纳米管场强
- 阴极弧等离子薄膜制备
- 宋教花
- 关键词：碳钢点蚀
- 纳米电子学
- 2003年
- 在比较三代电子器件的基础上，说明纳电子器件是电子器件发展的新一代，它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应，与真空电子器件、微电子器件相比，纳电子器件在信号加工中的主要特性有：(1)单电子，(2)保有相位，(3)量子电阻(h／e^2)，(4)量子字节(qubit)，(5)普适电导涨落．电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管，目前纳电子三极管有两种模式：纳米点三极管和碳纳米管三极管，文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性。
- 薛增泉张琦锋宋教花郭等柱梁学磊申志勇陈清高崧张耿民赵兴钰刘惟敏彭练矛吴锦雷吴全德
- 关键词：纳米电子学单电子碳纳米管碳纳米管
