崔福现
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性被引量：5
- 2001年
- 同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,并对这一现象进行了新的解释 ,认为这是由于大电流下耗散功率增加 ,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果 .这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力 。
- 张万荣李志国王立新汪东崔福现孙英华程尧海陈建新沈光地罗晋生
- 关键词：异质结双极晶体管负阻特性硅锗
- Si/SiGe/SiHBT直流特性的可靠性
- 2003年
- 对单台面SiGeHBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究。研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,特别是在低E-B正偏电压时下降明显;而交流电流增益退化缓慢。
- 崔福现张万荣
- 关键词：异质结双极晶体管HBT直流特性可靠性SI/SIGE/SI硅锗
