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廖梅勇

作品数:21 被引量:40H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 10篇理学
  • 8篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇淀积
  • 3篇碳膜
  • 3篇离子束
  • 3篇离子束辅助
  • 3篇脉冲激光
  • 3篇脉冲激光淀积
  • 3篇金刚石
  • 3篇金刚石薄膜
  • 3篇金刚石膜
  • 3篇激光淀积
  • 3篇非晶
  • 3篇非晶碳
  • 3篇刚石
  • 3篇PLD法
  • 3篇SI薄膜
  • 2篇低能
  • 2篇低能离子
  • 2篇低能离子束
  • 2篇氧化铈
  • 2篇金刚石颗粒

机构

  • 17篇中国科学院
  • 4篇兰州大学
  • 3篇重庆大学
  • 3篇香港城市大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 21篇廖梅勇
  • 13篇刘志凯
  • 13篇杨少延
  • 12篇柴春林
  • 11篇王占国
  • 7篇姚振钰
  • 7篇秦复光
  • 5篇陈诺夫
  • 3篇李述汤
  • 3篇王万录
  • 2篇何宏家
  • 2篇廖克俊
  • 2篇杨君玲
  • 2篇张建辉
  • 2篇姚湲
  • 1篇林兰英
  • 1篇范正修
  • 1篇吴彬
  • 1篇贺洪波
  • 1篇张振刚

传媒

  • 2篇科学通报
  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇稀有金属
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2003
  • 3篇2002
  • 7篇2001
  • 6篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究被引量:10
1997年
本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应,实验研究表明,这种膜的压阻因子在200微应变,室温下约为1300.其值大大超过了单晶硅的相应值,这是因为外延膜中缺陷态降低并且改进了测试方法,文中还简单讨论了金刚石膜压阻效应的起因.
王万录张振刚廖克俊吴彬张世斌廖梅勇
关键词:异质外延生长金刚石膜压阻效应
在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性被引量:4
2000年
室温下在p Si(1 0 0 )上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的 ,XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射 ,其强度与晶体质量有关。
姚振钰贺洪波柴春林刘志凯杨少延张建辉廖梅勇范正修秦复光王占国林兰英
关键词:ZNO薄膜SI衬底光学特性XRD
CeO_2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁被引量:7
2003年
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果,并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.
柴春林杨少延刘志凯廖梅勇陈诺夫
关键词:发光机制能级跃迁
CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移”被引量:1
2001年
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm, 折射系数约为2.455. 实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着紫移现象, 其移动距离约为65 nm. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关. 当Ce离子价态发生Ce4+Ce3+变化时, 其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动, 出现发光峰紫移现象.
柴春林杨少延刘志凯廖梅勇陈诺夫王占国
关键词:PL谱光致发光谱离子价态
金刚石膜场发射性质的研究
本文研究了CVD金刚石膜场发射性质。金刚石膜是利用热灯丝化学气相沉积法制备的。实验研究表明,金刚石膜场发射阀值电压强烈的依赖于金刚石膜表面结构、杂质与缺陷和衬底材料。具有尖端表面场发射阀值电压低于平坦表面的值。
王万录廖梅勇廖克俊
关键词:场发射CVD金刚石膜阀值电压
文献传递
质量分离低能离子束制备极光滑类金刚石薄膜
本文利用质量分离的低能离子束技术沉积得到了表面极为平整的类金刚石薄膜。样品用Raman谱和原子力显微镜进行了分析。并且研究了沉积能量对表面形貌和成分的影响。
刘志凯廖梅勇姚振钰柴春林杨少延王占国
关键词:类金刚石薄膜表面形貌
文献传递
离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响被引量:2
2001年
利用质量分离的低能离子束沉积技术 ,得到了非晶碳膜 .所用离子能量为 5 0— 2 0 0eV ,衬底温度从室温到80 0℃ .在沉积的能量范围内 ,衬底为室温时薄膜为类金刚石 ,表面非常光滑 ;而 6 0 0℃下薄膜主要是石墨成分 ,表面粗糙 .沉积能量大于 140eV ,80 0℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管 .用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向 ,离子的浅注入和应力是这种优先取向的主要机理 .
廖梅勇秦复光柴春林刘志凯杨少延姚振钰王占国
关键词:非晶碳膜表面形貌离子能量沉积温度
离子束外延生长半导体性锰硅化合物被引量:4
2001年
利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18nm.在 840℃条件下在流动 N2 气氛中对生长样品进行退火 ,X射线衍射结果表明退火后Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6
杨君玲陈诺夫刘志凯杨少延柴春林廖梅勇何宏家
关键词:硅单晶
低能O+离子束辅助PLD法外延生长ZnO薄膜
采用低能O
杨少延柴春林刘志凯廖梅勇姚振钰秦复光王占国
关键词:低能FWHM
文献传递
低能离子束沉积碳膜的高温生长机理
在高温下用低能离子束沉积了非晶碳膜,用原子力显微镜,Raman谱,俄歇深度谱对其生长机理进行了研究。
廖梅勇刘志凯张建辉
关键词:低能离子束高温条件非晶碳膜
文献传递
共3页<123>
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