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张大勇

作品数：69 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 69篇中文专利

领域

  • 12篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 47篇石墨
  • 47篇石墨烯
  • 23篇场效应
  • 22篇晶体管
  • 18篇场效应晶体管
  • 16篇电极
  • 14篇光刻
  • 12篇载流子
  • 11篇迁移率
  • 11篇金属
  • 9篇载流子迁移率
  • 9篇自对准
  • 8篇碳基
  • 8篇光刻胶
  • 7篇电阻
  • 6篇铜表面
  • 6篇介质层
  • 6篇复杂度
  • 5篇光学光刻
  • 5篇半导体

机构

  • 69篇中国科学院微...

作者

  • 69篇张大勇
  • 62篇金智
  • 61篇史敬元
  • 50篇彭松昂
  • 24篇麻芃
  • 19篇王少青
  • 12篇王选芸
  • 7篇梁利平
  • 5篇陈娇
  • 5篇姜东

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 7篇2018
  • 12篇2017
  • 18篇2016
  • 8篇2015
  • 11篇2013
  • 4篇2011
  • 1篇2010
共 69 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种石墨烯导电薄膜的制备方法
本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括：在金属箔表面利用化学气相沉积方法生长石墨烯；利用电沉积方法在生长有石墨烯的金属箔表面沉积氧化石墨烯；将沉积了氧化石墨烯的金属箔在保护气和...
张大勇金智史敬元麻芃
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对参考帧边界进行扩展和对运动补偿参考样本位置进行限定的方法
本发明公开了一种对参考帧边界进行扩展和对运动补偿参考样本位置进行限定的方法，该方法包括对亮度参考帧像素边界进行外扩和对亮度运动补偿参考样本位置进行限定两部分，其中，对亮度参考帧像素边界进行外扩，是将亮度分量向参考帧边界四...
张大勇姜东梁利平
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图形化石墨烯及其制备方法
本发明提供了一种图形化石墨烯及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：采用光刻工艺在亲水性衬底的表面形成具有镂空结构的光刻胶层；利用氧化石墨烯溶液对镂空结构进行填充，并对镂空结构中的部分氧化石墨烯溶液进行干燥处理，形成固态氧...
张大勇金智史敬元彭松昂
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一种将金属铜表面CVD的石墨烯向目标衬底表面转移的方法
本发明公开了一种将金属铜表面化学气相沉积的石墨烯向目标衬底表面转移的方法，属于材料技术领域。该方法首先通过化学气相沉积方法在铜箔表面生长得到石墨烯，然后以铜箔作为阳极，玻碳片作为阴极，硫酸铜的琼脂凝胶作为固体电解质，利用...
张大勇金智史敬元麻芃王选芸
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减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法
本发明公开了一种减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成绝缘层和石墨烯导电层；在所述半导体衬底上旋涂光刻胶，曝光后显影出梳型源漏接触结构，选择性沉积金属后剥离；在石墨烯导电层上沉积栅介...
彭松昂金智张大勇史敬元
一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法
一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括：提供高掺的Si衬底；形成绝缘层；制备背接触源漏电极；将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而形成悬浮的石墨烯沟道；利用光刻技术及刻蚀工艺对石墨烯进行图形化；制备顶接触...
金智王少青毛达诚史敬元彭松昂张大勇
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用于嵌入式实时解码器的虚拟小数逆离散余弦变换方法
本发明公开了一种用于嵌入式实时解码器的虚拟小数逆离散余弦变换方法，该方法包括：分析整数逆离散余弦变换的系数，将整数逆离散余弦变换的系数值在16位所能表示的范围内，进行尽可能多的左移操作；将逆离散余弦变换的输入值在16位所...
张大勇梁利平
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一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法
本发明提供一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法，包括：步骤一、提供衬底，在衬底上制备二维材料层；步骤二、在二维材料层上沉积栅介质层；步骤三、对栅介质层和二维材料层进行有源区图形化刻蚀；步骤四、对源漏接触区的栅介质层进...
彭松昂金智张大勇史敬元
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一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法
本发明公开了一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法，该方法是利用硅烷偶联剂在衬底表面形成硅烷有机膜层，利用硅烷有机膜层不同基团、不同强度的亲核与疏核特性，对附着在硅烷有机膜层表面的碳基薄膜材料进行表面吸附式掺杂...
史敬元金智张大勇麻芃彭松昂
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一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法，属于纳电子学技术领域，该石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘层上，导电沟...
麻芃金智史敬元张大勇彭松昂陈娇
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