张彦飞
- 作品数：19 被引量：11H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术交通运输工程更多>>
- 一种半导体场效应晶体管及其制造方法
- 本发明公开了一种半导体场效应晶体管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底上的第一部分区域形成掩膜层；以掩膜层为掩蔽依次在半导体衬底中形成阱区、源极区和生长出局部硅氧化层；去除掩膜层；依次形成栅氧层和多晶硅层，以获得半导体...
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- 一种静电保护结构
- 本发明公开了一种静电保护结构，设置于需要进行静电保护的器件的两个极之间，包括：外延层；两个第一阱区，位于所述外延层的表层；所述两个第一阱区中分别设置有一个第二阱区，共两个第二阱区；所述两个第二阱区分别与所述两个极接触；所...
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- 一种超结MOS晶体管
- 本发明公开了一种超结MOS晶体管，其特征在于，包括：外延层，外延层中交替设有多根P型立柱和多根N型立柱，其中，每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱；多个表面MOS结构，包括：P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，每...
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- 文献传递
- 功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究被引量：3
- 2013年
- 研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同剂量率辐照时随累积剂量的变化关系。实验结果表明,此型号抗辐射加固功率VDMOS器件在高/低剂量率辐照后参数的漂移量相差不大,不具有低剂量率辐射损伤增强效应。认为可以用高剂量率辐照后高温退火的方法评估器件的总剂量辐射损伤。实验结果为该型号抗辐射加固功率VDMOS器件在航空、航天等特殊领域的应用提供了技术支持。
- 高博刘刚王立新韩郑生张彦飞宋李梅
- 关键词：VDMOS抗辐射加固总剂量辐射
- 一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET
- 本发明公开了一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET，包括：衬底101；覆盖在衬底101内的第一结构层102；覆盖在第一结构层102内的第二结构层103；覆盖在第二结构层103内的第三结构层104；位于第三结构层10...
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- 一种具有网状外延结构的超结MOSFET
- 本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有网状外延结构的超结MOSFET，包括：衬底、网状外延层、阱区、结型场效应管JFET区、栅介质层、多晶硅栅极、隔离介质层、金属源电极以及金属漏电极；在网状外延层生长在衬底上；阱区与结...
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- 一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件
- 本实用新型属于半导体试验测试技术领域，公开了一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；包括：VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳背面，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔...
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- 国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究被引量：5
- 2012年
- 研究了两种国产星用VDMOS器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应,探讨了器件的阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等电参数随累积剂量、退火时间的变化关系.实验结果表明这两种国产星用VDMOS器件辐照后电参数符合技术指标,满足在复杂空间电离辐射环境下工作的要求.此外,通过对器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应进行研究,对其他型号星用VDMOS器件工艺和设计的进一步改进,具有参考作用.
- 高博刘刚王立新韩郑生张彦飞王春林温景超
- 关键词：VDMOS总剂量退火
- 星用功率VDMOS器件SEGR效应研究被引量：3
- 2012年
- 对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应能力达到技术指标要求。
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- 关键词：功率VDMOS器件加速器
- 一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET
- 本发明公开了一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET，包括：衬底101；覆盖在衬底101内的第一结构层102；覆盖在第一结构层102内的第二结构层103；覆盖在第二结构层103内的第三结构层104；位于第三结构层10...
- 丁艳王立新张彦飞孙博韬
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