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彭冬生

作品数:5 被引量:5H指数:1
供职机构:上海空间电源研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:动力工程及工程热物理电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 5篇电池
  • 5篇太阳电池
  • 4篇GAAS/G...
  • 3篇叠层
  • 3篇叠层太阳电池
  • 2篇GAAS/G...
  • 1篇电性能
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机模拟
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱研究
  • 1篇反射光
  • 1篇反射光谱
  • 1篇I-V特性

机构

  • 5篇上海空间电源...
  • 1篇云南师范大学

作者

  • 5篇张忠卫
  • 5篇彭冬生
  • 5篇王亮兴
  • 5篇池卫英
  • 4篇涂洁磊
  • 4篇陈鸣波
  • 3篇陈超奇
  • 1篇陆剑峰
  • 1篇李洪波
  • 1篇万斌

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 2篇2005
  • 3篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
GaInP<,2>/GaAs/Ge叠层太阳电池中高效率Ge底电池研究
本文从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了对Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响情况,结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的...
王亮兴涂洁磊张忠卫池卫英彭冬生陈超奇陈鸣波
关键词:太阳电池电性能
文献传递
GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析被引量:1
2005年
分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核条件,成功获得了效率为20.95%(AM0,25℃,2cm× 4cm)的GaAs/Ge太阳电池.
涂洁磊王亮兴张忠卫池卫英彭冬生陈超奇
关键词:GAAS/GE太阳电池计算机模拟
GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池
2005年
从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高.采用上述改进措施,成功得到Voc达到287.5mV,Isc达到73.13mA/cm2,效率达到7.35%的Ge太阳电池.
王亮兴涂洁磊张忠卫池卫英彭冬生陈超奇陈鸣波
GaInP2/InGaAs/Ge叠层太阳电池的反射光谱研究
建立了多结叠层太阳电池的反射光谱模型,研究了锯齿形反射问题,通过调整顶电池的背场和中电池的窗口层的厚度,可以显著减少锯齿形反射。并对顶电池窗口层和减反射膜的厚度进行了优化设计。
王亮兴涂洁磊张忠卫陈鸣波李洪波彭冬生池卫英万斌
关键词:太阳电池反射光谱
空间用GaAs/Ge太阳电池器件工艺研究被引量:4
2004年
报道了对GaAs/Ge太阳电池器件工艺的研究结果。采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极 ,栅线宽度小于 15 μm ,厚度在 5 μm以上 ;采用NH4 OH/H2 O2 选择性腐蚀液体系去除GaAs帽子层 ;采用真空蒸发制备TiO2 /SiO2 双层减反射膜 ,电流密度增益可达 2 5 %以上 ;研制出平均效率达到 19% (AM0 ,1s,2 5℃ )以上的GaAs/Ge太阳电池。
陆剑峰张忠卫池卫英王亮兴陈鸣波彭冬生
关键词:太阳电池GAAS/GE
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