戎瑞芬
- 作品数：22 被引量：74H指数：6
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 复合球栅阵列CBGA封装器件热循环损伤的有限元模拟被引量：6
- 2003年
- 用粘塑性的本构方程描述62Sn36Pb2Ag和96.5Sn3.5Ag两种常用焊料的材料模式,使用通用有限元分析软件ANSYS模拟了CBGA(CeramicBallGridArray)封装器件焊球阵列应力应变的分布以及塑性功的积累;基于Darveaux等人提出来的塑性能量积累损伤方程,从热循环损伤的角度考察了焊点的可靠性;并对单一焊点阵列器件和复合焊点阵列封装器件的性能进行了比较.
- 李勇汪荣昌顾之光戎瑞芬
- 关键词：CBGA封装器件有限元模拟
- 氧化钨薄膜微型电化学器件的研究
- 1993年
- 本文论述了WO_3薄膜氢离子敏器件的结构、原理、制备技术和测试分析。利用WO_3薄膜在H+溶液中由绝缘转化为导电特性,成功地研制成氢离子敏器件。这是一种简易而经济的微型pH敏器件技术。
- 邵丙铣陈祥君郑庆平戎瑞芬
- 关键词：氧化钨
- 钽薄膜淀积速率与阻挡效果的研究被引量：5
- 2002年
- 在硅衬底上用不同淀积速率溅射得到了 60 nm厚钽薄膜作为铜布线工艺中的扩散阻挡层。样品在退火前后 ,用二次离子质谱仪 (SIMS)对钽膜的阻挡效果进行鉴定 ,原子力显微镜 (AFM)分析了钽薄膜的形貌结构。研究发现不同淀积速率制作的钽膜由于其结构的差异对铜硅互扩散有着不同的阻挡效果 ,并提出样品在退火时 。
- 庞恩文林晶吉小松汪荣昌戎瑞芬宗祥福
- 关键词：淀积速率铜布线超大规模集成电路
- 金属亚波长小孔的光传输特性仿真模型被引量：1
- 2010年
- 用三维全矢量有限元时域差分方法计算了亚波长单孔以及二维周期性孔阵列的超透射特性,分析了平面波光源通过金属圆孔点阵后,透射曲线随着点阵周期、孔径、金属薄膜厚度、介质材料和金属材料变化的规律,以及局域表面等离子体和表面等离子体共振对超透射现象的影响.证实了表面等离子共振对透射曲线中透射谷的位置起到决定性作用,而透射峰的位置除了受到介质、金属材料和点阵周期的影响之外,还会随着金属薄膜的厚度的减薄和亚波长圆孔孔径的增大出现红移.用聚焦粒子束刻蚀制备了金/氧化硅演示结构,实测与仿真结果具有较好的一致性.
- 辛骞骞居瓅戎瑞芬曾韡
- 关键词：表面等离子体
- TiO_2薄膜氧敏特性研究被引量：18
- 1997年
- 金属氧化物（如ZrO2，TiO2等）随氧分压不同而改变其电导率这一性质被广泛地用来制作氧敏传感器．传统的传感器大多采用体材料或厚膜材料，工作时需加高温．本文描述了TiO2薄膜材料与Pt薄膜形成的肖特基势垒高度随氧分区不同而改变的氧敏现象，测定了该肖特基二极管的氧敏特性，讨论了其敏感机理．
- 姚红军汪荣昌戎瑞芬徐飞金海岩
- 关键词：二氧化钛氧敏传感器半导体薄膜技术
- 高密度封装用氮化铝(AIN)/玻璃复合材料低温共烧研究被引量：1
- 2003年
- 从排胶和共烧两方面 ,研究了氮化铝 ( Al N) /玻璃复合材料的低温共烧。排胶研究结果表明 :流延坯片和银浆的排胶特性不同 ,氧化性气氛有利于两者的排胶。共烧研究表明 :Al N/玻璃复合系统的烧结为液相烧结 ;引入微氧烧结气氛将改变界面状况 ,有利于 Al
- 廖淼李越生汪荣昌戎瑞芬顾志光
- 关键词：集成电路高密度封装氮化铝AIN复合材料低温共烧
- 低温共烧氮化铝复合材料基板的银金属化研究被引量：6
- 2003年
- 基于氮化铝陶瓷基片厚膜导体浆料理论,开发出应用于低温共烧氮化铝流延坯、硼硅酸盐玻璃粘结相的银浆,并系统研究了共烧过程,解决了常见的导线球化问题。成功地进行了3层氮化铝复合材料基板的低温共烧银金属布线。
- 李勇汪荣昌戎瑞芬顾之光廖淼
- 关键词：多芯片组件低温共烧氮化铝球化
- 多层W-Si薄膜及其与GaAs衬底间的界面特性
- 1992年
- 本文详细叙述了多层W-Si薄膜的制备技术、生长速率、热退火对薄膜性能的影响,薄膜与GaAs衬底间的界面行为等。
- 邵丙铣郑庆平戎瑞芬陈祥君钱向阳
- 关键词：场效应器件GAAS衬底
- TiO_2薄膜氧敏特性研究被引量：1
- 1997年
- 金属氧化物(如ZrO_2,TiO_2等)随氧分压不同,有改变电导率这一性质而被广泛地用来制作氧敏传感器.传统的传感器大多是体材料或厚膜材料。工作时需加高温。本文描述的是TiO_2薄膜材料与Pt薄膜形成的肖特基势垒高度随氧分压不同而改变的氧敏现象,测定了该肖特基二极管的氧敏特性,并讨论了它的敏感机理。
- 姚红军汪荣昌戎瑞芬徐飞金海岩
- 关键词：氧敏传感器肖特基MOCVD二氧化钛
- TiO_2薄膜敏感特性研究被引量：6
- 1999年
- 利用 ＭＯＣＶＤ工艺可制备得到锐钛矿型ＴｉＯ２薄膜，在其上溅射金属 Ｐｔ并控制工艺流程的温度，Ｐｔ／ＴｉＯ２间将形成良好的金半整流接触．该Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基二极管在常温下表现出良好的气敏特性，响应时间短，对稳定环境中低分压气体浓度的变化反应灵敏．同时，该 Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基二极管还对约 ２５０－３７０ ｎｍ的紫外光敏感．本文研究了 Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基二极管气敏和光敏特性，分析了敏感机理．
- 肖梦秋汪荣昌顾志光戎瑞芬
- 关键词：肖特基二极管MOCVDTIO2伏安特性
