曹铃
- 作品数：27 被引量：8H指数：2
- 供职机构：太原理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金安徽省人才开发基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- Li掺杂生长p型透明导电Ni<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O晶体薄膜的方法
- 一种Li掺杂生长p型透明导电Ni<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O晶体薄膜的方法是采用脉冲激光沉积法，将NiO、MgO和Li<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>粉末球磨混合后，压型...
- 曹铃李秀燕杨致
- 文献传递
- 一种氟掺杂生长n型透明导电ZnO晶体薄膜的方法
- 本发明公开的F掺杂生长n型透明导电ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯氧化锌和纯氟化锌粉末球磨混合后压制成型的烧结陶瓷靶，其中氟化锌的摩尔含量为1～3％；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以纯O<Su...
- 朱丽萍曹铃叶志镇
- 掺杂浓度及退火对Ta-ZnO透明导电薄膜表面形貌的影响被引量：3
- 2010年
- 室温下采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备了掺Ta-ZnO透明导电薄膜,并在不同温度下退火处理。利用原子力显微镜、X射线光电子能谱仪对薄膜进行了表征分析,对于不同掺杂比例的Ta-ZnO薄膜以及退火后的Ta-ZnO薄膜的表面形貌进行了研究。当掺杂比例为5%(质量分数)时,薄膜有最大平均颗粒尺寸94.46nm和最小表面粗糙度4.48nm。随着退火温度的升高,该薄膜表面粗糙度(RMS)先增加后减小,平均颗粒尺寸在94.46～118.05nm之间。
- 陈进军曹铃宋学萍孙兆奇
- 关键词：射频磁控溅射掺杂表面形貌退火
- 一种Sn掺杂β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>膜及其日盲紫外探测器的制备方法
- 一种Sn掺杂β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>膜及其日盲紫外探测器的制备方法，所述制备方法是将Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉末、SnO<Sub>2</Sub>粉末与碳粉末...
- 范明明曹铃李秀燕
- 文献传递
- 一种Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O基异质结及其制备方法
- 一种Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O基异质结及其制备方法，其所述异质结是由衬底上的n-Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O薄膜层和p-Ni<Sub>1-y</Sub...
- 曹铃王金平崔艳霞陈彬刘瑞萍
- 文献传递
- 纳米Ag-TiO<,2>薄膜的磁控溅射法制备与光催化性能研究
- 孟凡明孙兆奇鲁飞宋学萍肖磊曹铃
- 该项目采用Ag纳米颗粒修饰TiO<,2>薄膜，有效增强了薄膜光催化性能，并发现添加适量的Ag可以有效地增强TiO<,2>薄膜的亲水性能。通过研究退火温度对TiO<,2>薄膜的结构、组分、表面形貌和热致亲水性能的影响，发现...
- 关键词：
- 一种不锈钢表面二氧化钛纳米管薄膜的制备方法
- 一种不锈钢表面TiO<Sub>2</Sub>纳米管薄膜的制备方法，属于光催化材料制备技术领域，其特征在于是一种在不锈钢基体上制备高膜基结合强度锐钛矿型TiO<Sub>2</Sub>纳米管薄膜的方法，该方法首先利用双层辉光...
- 李秀燕曹铃庞永峰王鹤峰唐宾
- 文献传递
- 透明导电F掺杂ZnO薄膜及其在薄膜晶体管中的应用
- ZnO是一种宽带隙(3.3eV)的化合物半导体材料，具有原料丰富、价格便宜、无毒，易于实现掺杂，且其沉积温度相对较低和在等离子体环境中稳定性好等优点，是一种光电性能优良的新一代透明导电材料，最终很有可能成为ITO的替代品...
- 朱丽萍曹铃贝亮亮叶志镇
- Mg质量分数及缓冲层对ZnMgO∶Ga薄膜性能的影响
- 2011年
- 为了解决氧化锌在柔性电子器件应用方面的问题,利用脉冲激光沉积法(PLD)在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性衬底上室温下制备镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)和镓掺杂Zn1-xMgxO(Zn1-xMgxO∶Ga)透明导电薄膜,采用X射线衍射仪(XRD),扫描电镜,霍尔效应测试仪,紫外-可见光分光光度计对结构和性能进行表征,探讨靶材中镁质量分数对薄膜结构及光电性能的影响,并采用预沉积ZnO无机缓冲层法来改善薄膜样品的性能.研究结果表明,在柔性衬底上通过优化生长参数制备出性能良好的ZnO基透明导电薄膜,通过缓冲层的预沉积可以明显改善薄膜的结构和电学性能,薄膜电阻率最低可至8.27×10-4Ω.cm,在可见光区平均透射率超过70%.
- 袁伟朱丽萍曹铃叶志镇
- 关键词：PLD柔性衬底透明导电薄膜
- 钽掺杂对氧化锌透明导电薄膜结构和电学特性的影响被引量：3
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上室温沉积不同钽掺杂浓度的氧化锌透明导电薄膜.并对其结构和电学特性进行分析.对衍射峰的分析说明Ta元素以替位Zn元素的形式溶入ZnO晶格中形成了固溶体.当钽掺杂比例从0 wt%增加到10 wt%,晶格常数从0.5242 nm增加到0.5314 nm,表明薄膜中存在平行于c轴方向的张应力.薄膜沿c轴的晶粒尺寸在9.4-13.5 nm之间.薄膜的电阻随着掺杂比例增加首先显著下降,当掺杂比例为5 wt%时,薄膜最小电阻率为7.81×10^-2Ω.cm,进一步增加掺杂比例到10 wt%,电阻率增大为1.25×10^-1Ω.cm.
- 陈进军曹铃宋学萍孙兆奇
- 关键词：射频磁控溅射微结构电阻率
