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朱晓光

作品数:9 被引量:43H指数:3
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家科技支撑计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术冶金工程电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇金属学及工艺
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇靶材
  • 3篇金属
  • 3篇高纯
  • 2篇电子束
  • 2篇金属材料
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射靶材
  • 2篇合金
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体制造
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电子束焊
  • 1篇电子束焊接
  • 1篇电子束熔炼
  • 1篇异种铝合金
  • 1篇再结晶
  • 1篇轧制织构
  • 1篇织构
  • 1篇熔炼

机构

  • 9篇北京有色金属...

作者

  • 9篇朱晓光
  • 5篇何金江
  • 4篇陈明
  • 3篇尚再艳
  • 3篇罗俊锋
  • 3篇熊晓东
  • 3篇江轩
  • 3篇万小勇
  • 2篇贺昕
  • 2篇王欣平
  • 1篇刘红宾
  • 1篇董亭义
  • 1篇程明
  • 1篇张涛
  • 1篇贾松青
  • 1篇王永辉
  • 1篇刘书芹

传媒

  • 2篇材料导报
  • 1篇有色金属(冶...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇贵金属
  • 1篇有色金属
  • 1篇2013年中...

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
超高纯银静态再结晶组织演变规律的研究被引量:4
2014年
采用超高纯银(纯度高于99.999%)铸锭,通过轧制变形,结合后续不同热处理工艺,研究了变形量、退火温度及时间对超高纯银回复及再结晶组织的影响.结果表明:超高纯银的再结晶温度非常低,在100℃时保温5 min后即发生再结晶,并且再结晶速度快,在200℃下保温5 min即完成再结晶.随轧制总变形量增加晶粒尺寸变小,均匀性提高,当变形量大于等于85%时,可以得到均匀、细化的再结晶组织;超高纯银的最佳再结晶温度应控制在150℃,时间为1~2 h之间.
朱晓光刘书芹万小勇董亭义王永辉熊晓东
关键词:变形量退火温度再结晶
镍的电子束熔炼提纯研究被引量:10
2013年
高纯镍是制造半导体集成电路及微电子行业用电子薄膜材料的原材料。采用电子束熔炼方法制备高纯镍,研究了一次和二次电子束熔炼对高纯镍锭纯度、表面质量和内部铸造缺陷的影响。通过对铸锭宏观形貌的观察和杂质含量的化学分析,发现一次熔炼可将原材料提纯至99.99%,但铸锭仍存在较多宏观铸造缺陷;而二次熔炼充分去除了杂质和气体元素,如Al,Fe,Cu和C,N,O等,最终使镍锭纯度提高至99.995%以上且内部连续一致无集中缩孔、疏松和气孔等缺陷。通过对镍电子束熔炼过程中杂质元素和基体镍的蒸气压的理论计算对比,和对杂质去除率的理论计算,说明了杂质从镍基体分离的方式并验证了化学成分检测的杂质实际去除率。
尚再艳张涛陈明朱晓光刘红宾何金江
关键词:电子束熔炼提纯
一种用于水刀切割设备的滤沙装置
本实用新型涉及过滤废水中砂粒的装置,特别涉及一种用于水刀切割设备的滤沙装置。此滤沙装置包括:锥形进水口的宽口端安装可拆卸的多片过滤网和过滤棉组成的过滤层,用于过滤水中的废沙;锥形进水口的细口端与排水管相连,排水管上安装开...
朱晓光程轶欧刘志军杨永刚陆灵芝
文献传递
高纯贵金属靶材在半导体制造中的应用与制备技术
高纯Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体PVD工艺制程中的溅射源材料,广泛用于半导体制造工艺中,成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料.本文阐述了高纯贵金属靶材的应用。阐述了高纯...
何金江陈明朱晓光罗俊锋尚再艳贺昕熊晓东
关键词:半导体
文献传递
铝硅焊片对异种铝合金电子束焊接焊缝组织性能的影响被引量:2
2011年
采用电子束焊接技术,研究厚度为20 mm的AlCu0.5,AlSiCu,AlSi1三种高纯铝合金分别与6061铝合金的焊接效果。通过添加铝硅焊片来改善异种铝合金焊接的组织性能。对焊缝区域组织的分析表明,不同焊片添加量改变铝合金焊缝中的Si含量,从而对焊接的裂纹敏感性有显著的影响。当焊缝中Si含量在1%左右时容易产生裂纹缺陷,随着焊缝中Si含量的增高,焊缝中的裂纹逐渐减小,直至没有裂纹缺陷的产生。焊缝的硬度也随焊缝中Si含量的增高而变大。针对不同的高纯铝合金与6061的焊接,通过添加合适的铝硅焊片,能获取组织性能优异的焊缝。
贾松青江轩何金江朱晓光陈明
关键词:金属材料异种铝合金电子束焊接
热处理对Al-Cu合金电导率的影响被引量:2
2011年
通过电导率测量、硬度分析和金相组织观察,研究了不同热处理工艺对Al-4.0%Cu(质量分数,下同)合金电导率的影响,分析了析出相、合金硬度和电导率之间的关系。实验结果表明,Al-4.0%Cu合金的电导率主要受基体中Cu固溶度和析出相状态的影响;双级时效处理对电导率和硬度的决定因素主要为二级时效的温度与时间,一级时效后合金的电导率和硬度会随着二级时效发生改变;退火后的Al-4.0%Cu合金于350℃保温24h后,可获得较高的电导率,此时基体中的析出相为细小、弥散的θ相。
罗俊锋王欣平万小勇何金江朱晓光江轩
关键词:AL-CU合金溅射靶材显微组织电导率
高纯贵金属靶材在半导体制造中的应用与制备技术被引量:25
2013年
高纯Au、Ag、Pt、Ru贵金属及其合金溅射靶材是半导体PVD工艺制程中的溅射源材料,广泛用于半导体制造工艺中,成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备(金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等)以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点,以实现贵金属靶材产品的高效增值。
何金江陈明朱晓光罗俊锋尚再艳贺昕熊晓东
关键词:半导体溅射靶材高纯
一种靶材表面的加工方法
本发明公开了属于靶材表面加工方法技术领域的一种靶材表面的加工方法,该方法使用机械磨抛设备进行表面加工。本发明提供了加工该种靶材的设备条件,其中使用可调整开口宽度的平行辊轴,辊轴上包裹粒度从20至2000目的水砂纸或布,先...
朱晓光郭力山杨永刚何金江丁照崇王欣平吕保国江轩
文献传递
高纯Al-0.5%Cu合金的轧制织构被引量:1
2011年
采用取向分布函数(ODF)研究轧制形变量对高纯A l-0.5%Cu合金织构的影响。结果表明,30%轧制变形量主要有{112}<351>,50%时{114}<110>织构,70%时出现了较强的铜式织构{211}<111>和{111}纤维织构,在形变量达到90%后,由于出现了剪切力,织构为非常强烈的旋转立方{001}<110>。分析A l-0.5%Cu合金的α和β线,发现随着变形量的增大,织构向C取向聚集。
万小勇江轩王欣平程明朱晓光
关键词:金属材料织构
共1页<1>
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