朱顺明
- 作品数：209 被引量：120H指数：6
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 能隙阶梯缓变结构Si_(1-x)Ge_x/Si光电探测器
- 2000年
- 提出了一种新结构Si1-xGex/Si光电探测器─—能隙阶梯缓变结构的Si1-xGex/SiPIN型近红外光电探测器。理论分析表明 ,能隙缓变增大了载流子的离化率 ,价带的不连续则有利于空穴离化 ,从而对载流子的收集有利 ,可获得高的光电响应。实验结果表明 ,该探测器具有良好的I V特性 ,反向漏电低达 0 1μA/mm2 (- 2V)。该探测器主峰值波长在 0 96 μm。其光电流响应随着反向偏压的增加有明显的增大 ,在同等条件下其光电流响应约为商用Si PIN探测器的 15倍。
- 罗志云江若琏郑有炓臧岚朱顺明程雪梅刘夏冰
- 关键词：红外光电探测器
- m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性被引量：1
- 2007年
- 用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.
- 谢自力张荣韩平刘成祥修向前刘斌李亮赵红朱顺明江若琏周圣明施毅郑有炓
- 关键词：MOCVDGAN
- InN材料特性及其制备
- 本文首次介绍了InN材料的基本特性,探讨了InN材料生长技术和应用方向,最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景.
- 谢自力张荣修向前毕朝霞沈波韩平朱顺明顾书林施毅郑有炓
- 关键词：半导体材料材料特性
- 文献传递
- 一种低成本、可控倾角斜台面氧化镍/氧化镓异质结功率二极管的制备方法
- 本发明公开一种低成本、可控倾角斜台面氧化镍/氧化镓异质结功率二极管的制备方法，通过硬掩模的镂空处磁控溅射氧化镍，可以获得自上而下的氧化镍/氧化镓异质PN结构；通过调节磁控溅射氧化镍靶材与所述氧化镓晶片的入射角度可以获得有...
- 叶建东巩贺贺任芳芳朱顺明吕元杰冯志红顾书林张荣
- 一种协同现代农业的太阳能海水淡化系统
- 本发明公开了一种协同现代农业的太阳能海水淡化系统，包括种植棚和设置在种植棚左右两侧的海水池，所述海水池内部靠近种植棚一侧的底部连通有扁平矩形导水管，所述扁平矩形导水管的一端贯穿种植棚并延伸至种植棚的中部，本发明涉及太阳能...
- 卞岳汤琨叶建东朱顺明顾书林
- 文献传递
- Si_(1-X)Ge_X/Si红外光电探测器被引量：5
- 2000年
- 本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V) ;讨论了 Ge组分、外延层厚度。
- 江若琏罗志云陈卫民臧岚朱顺明刘夏冰程雪梅陈志忠韩平王荣华郑有斗
- 关键词：光电探测器红外探测器
- 制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
- 改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法，在650-800℃空气气氛中直接用合适波长的紫外激光器透过蓝宝石辐照GaN/蓝宝石样品，界面处的GaN被分解后，蓝宝石可以很容易的被去掉，即可得到GaN自支撑衬底。在高于800...
- 修向前张荣陈琳谢自力韩平顾书林江若琏胡立群朱顺明施毅郑有炓
- 文献传递
- 一种微波等离子体化学气相沉积系统制备六方氮化硼薄膜的方法
- 一种微波等离子体化学气相沉积系统制备六方氮化硼薄膜的方法，基于微波等离子体化学气相沉积系统，1)衬底选择及清洗；2)将衬底放置于反应室钼托中，置于微波等离子体化学气相沉积系统，抽真空至7.5×10<Sup>‑4</Sup...
- 顾书林段晶晶滕妍赵伟康刘松民黄颖蒙杨凯朱顺明汤琨叶建东
- 一种日盲紫外探测器及其制备方法
- 本发明公开了日盲紫外探测器及其制备方法。探测元件由上至下包括由金属和氧化物的多周期滤波结构(或称滤波层)，紫外吸收体、叉指电极层、衬底层；多周期滤波结构顶部，底部均为电解质隔离层；由金属薄膜和电介质薄膜交替的多周期滤波结...
- 叶建东张崇德任芳芳徐阳陈选虎巩贺贺朱顺明顾书林
- 文献传递
- 一种可实现有效掺杂的MPCVD设备
- 一种可实现有效掺杂的MPCVD设备，包括反应室和气体输入结构，所述气体输入结构包括两路反应气体管道，第一路管道连接的分配器将气体均匀输运道到反应室中，气体出口位于反应室顶部附近，将反应气体均匀地输运到反应室中，该气体分配...
- 顾书林刘松民朱顺明叶建东汤琨
