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文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇晶体
  • 4篇加热温度
  • 3篇单晶
  • 3篇砷化镓
  • 3篇砷化镓单晶
  • 3篇热应力
  • 3篇坩埚
  • 3篇位错
  • 3篇晶体生长
  • 2篇氧化铝
  • 2篇荧光
  • 2篇荧光材料
  • 2篇钇铝石榴石
  • 2篇铈掺杂
  • 2篇共晶
  • 2篇掺杂
  • 2篇垂直温度梯度
  • 2篇大尺寸
  • 1篇粘结
  • 1篇退火

机构

  • 8篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院新...
  • 1篇中国光学学会

作者

  • 8篇李晓清
  • 4篇董永军
  • 4篇苏凤莲
  • 4篇徐军
  • 4篇钱晓波
  • 4篇周国清
  • 2篇杨卫桥
  • 2篇许鹏
  • 2篇司继良
  • 2篇王璐璐
  • 2篇夏长泰
  • 2篇杭寅
  • 2篇狄聚青
  • 2篇赛青林
  • 2篇李善明
  • 1篇徐民
  • 1篇陈光珠
  • 1篇张方方
  • 1篇苏良碧
  • 1篇梁晓燕

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2025
  • 1篇2019
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 2篇2006
  • 2篇2005
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
砷化镓单晶的生长方法
一种砷化镓单晶的生长方法,其特征在于采用双加热温度温梯炉进行生长,具体步骤包括:①坩埚和生长炉的预烧处理,②晶体生长,③高温原位退火。采用本发明方法生长的砷化镓单晶具有位错密度低、热应力小和均匀性好的特点。
周国清董永军徐军钱晓波李晓清苏凤莲
文献传递
钙镁锆掺杂钆镓石榴石(SGGG)单晶衬底抛光方法
本发明专利涉及光电子材料的加工方法技术领域,主要是磁性薄膜薄膜外延衬底材料-钙镁锆掺杂钆镓石榴石(Ca,Mg,Zr:GGG,以下简写为SGGG)单晶衬底基片的研磨抛光工艺。包括上盘、减薄整平、机械研磨抛光、化学机械抛光(...
陈光珠杭寅李善明赵呈春李晓清邓倩
铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法
一种铈掺杂的氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法。采用的垂直温梯法,主要利用加热体的各处发热功率分布不同,制造一个合理的垂直温度梯度环境,经过预处理的原料放入坩埚内升温熔化,熔体静止在该温场中,通过控制速度的分段降温...
夏长泰赛青林司继良李晓清杨卫桥狄聚青许鹏王璐璐
文献传递
砷化镓单晶的生长方法
周国清董永军徐军钱晓波李晓清苏凤莲
该项目采用双加热温度温梯炉进行生长通过坩埚和生长炉的预烧;晶体生长;高温原位退火,采用本发明方法生长的砷化镓单晶具有位错密度低、热应力小和均匀性好的特点。
关键词:
关键词:砷化镓单晶退火
国产大尺寸钛宝石晶体助力世界最强脉冲激光放大输出被引量:5
2019年
自主研发成功热交换法生长大尺寸钛宝石晶体设备,生长出完整无开裂的钛宝石激光晶体毛坯,经加工获得尺寸达φ235mm×72mm的晶体元件。在180mm口径范围内,晶体光学均匀性达到5.52×10^-5,晶体应力双折射为5.0nm/cm。大尺寸钛宝石晶体应用于上海超强超短激光实验装置,获得339J激光脉冲能量输出,峰值功率达10.3PW。
杭寅徐民徐民张连翰何明珠蔡双李善明李晓清梁晓燕冷雨欣李儒新潘世烈
关键词:钛宝石晶体
铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法
一种铈掺杂的氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法。采用的垂直温梯法,主要利用加热体的各处发热功率分布不同,制造一个合理的垂直温度梯度环境,经过预处理的原料放入坩埚内升温熔化,熔体静止在该温场中,通过控制速度的分段降温...
夏长泰赛青林司继良李晓清杨卫桥狄聚青许鹏王璐璐
砷化镓单晶的生长方法
一种砷化镓单晶的生长方法,其特征在于采用双加热温度温梯炉进行生长,具体步骤包括:①坩埚和生长炉的预烧处理,②晶体生长,③高温原位退火。采用本发明方法生长的砷化镓单晶具有位错密度低、热应力小和均匀性好的特点。
周国清董永军徐军钱晓波李晓清苏凤莲
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大尺寸氟化钙单晶的生长方法
一种大尺寸氟化钙单晶的生长方法,其特征是采用双加热温度梯度炉进行生长,具体步骤包括:①坩埚和生长炉的预烧处理;②晶体生长;③高温原位退火。利用本发明方法生长氟化钙单晶具有大尺寸(直径大于200mm)、位错密度低(<10<...
周国清董永军徐军钱晓波李晓清苏凤莲苏良碧
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共1页<1>
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