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李钟哲

作品数:5 被引量:4H指数:2
供职机构:清华大学理学院化学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇光刻
  • 3篇氧化硅
  • 3篇无显影气相光...
  • 3篇二氧化硅
  • 2篇气相
  • 2篇氟化
  • 2篇氟化氢
  • 1篇氢氟酸
  • 1篇微电子
  • 1篇硝基
  • 1篇光刻材料
  • 1篇光刻胶
  • 1篇光氧化
  • 1篇光氧化反应
  • 1篇分辨率
  • 1篇高聚物
  • 1篇

机构

  • 5篇清华大学
  • 1篇北京市化学工...
  • 1篇化工研究院

作者

  • 5篇洪啸吟
  • 5篇李钟哲
  • 3篇刘丹
  • 1篇吴兵
  • 1篇王培清
  • 1篇刘密新
  • 1篇段生权
  • 1篇卢建平
  • 1篇陈明
  • 1篇董桂荣

传媒

  • 1篇高分子通报
  • 1篇科学通报
  • 1篇感光科学与光...
  • 1篇高分子学报
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2002
  • 1篇1994
  • 2篇1992
  • 1篇1991
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
无显影气相光刻(DFVP)研究的进展
2002年
无显影气相光刻技术是我国在 1980年发明的一种独特的光刻技术 ,具有不需要显影 ,分辨率高等优点。但它的机理并不清楚。本文介绍十多年来在无显影气相光刻机理研究方面的成果。实验证明 ,无显影气相光刻是以光致光刻胶膜内的诱蚀剂浓度差为基础的方法 ;而传统的光刻方法是基于光致光刻胶膜溶解度差的方法。由于两者的光刻原理不同 ,导致了他们间光刻效果和应用范围之区别。所得机理研究之结果可以解释无显影气相光刻中的各种独特的现象并可指导无显影气相光刻技术的发展 。
洪啸吟李钟哲刘丹吴兵卢建平段生权陈明王培清
关键词:无显影气相光刻光刻胶二氧化硅氢氟酸分辨率
气相氟化氢与二氧化硅反应的研究被引量:2
1991年
氢氟酸(HF的水济液)和SiO_2的反应是一个非常重要的反应,它很容易进行,其结果是生成SiF_4和H_2O.但我们和其他人先后发现在高于100℃时气相HF(包括无水HF和氢氟酸蒸气)
洪啸吟李钟哲郭永宁董桂荣
关键词:气相氟化氢二氧化硅
光刻中的气相氟化氢与二氧化硅反应的研究被引量:2
1992年
二氧化硅与气相氟化氢的反应和与氢氟酸的反应不同,当温度高于100℃时,气相氟化氢与裸露的二氧化硅无明显反应,当二氧化硅表面涂上一层特殊聚合物膜时,反应可很快发生。本文在实验的基础上解释了这一具有应用价值的现象。认为在高温下二氧化硅与氟化氢反应需要有一种诱蚀剂存在,诱蚀剂—般为氢键接受体,水不是有效的诱蚀剂,聚合物膜是诱蚀剂的载体和防止诱蚀剂逃逸的栅栏。
洪啸吟李钟哲郭永宁董桂荣
关键词:氟化氢二氧化硅光刻材料
5-硝基二氢苊在无显影气相光刻中的光致诱蚀作用的研究——5-硝基二氢苊的光氧化反应
1992年
5-硝基二氢苊的光氧化作用在无显影气相光刻中起着重要作用。我们通过红外,核磁共振、色质联用等手段对其光氧化产物进行了分析,并合成了有关化合物进行对照,确认5-硝基二氢苊的主要光氧化产物是5-硝基苊、5-硝基二氢苊酮、羟基-5-硝基二氢苊。
洪啸吟刘丹李钟哲刘密新
关键词:光氧化微电子
聚合物在无显影气相光刻工艺中的作用被引量:1
1994年
研究了聚合物在无显影气相光刻过程中的作用,由此解释了无显影气相光刻过程中曝光区和非曝光区高腐蚀速度差,高分辨率和高腐蚀纵宽比的原因.
洪啸吟刘丹李钟哲董桂荣
关键词:高聚物
共1页<1>
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