杨潇楠
- 作品数：19 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电子电信更多>>
- 一种应用于三维存储领域的低压带隙基准产生电路
- 本发明公开了一种应用于三维存储领域的低压带隙基准产生电路，该低压带隙基准产生电路包括依次连接的启动电路、运算放大器和核心电路，其中：启动电路，用于产生该运算放大器所需的偏置电流和偏置电压，从而保证运算放大器工作在正常状态...
- 李婷霍宗亮靳磊刘璟曹华敏王瑜姜丹丹杨潇楠刘明
- 文献传递
- 一种基于纳米晶的NAND存储器及其制作方法
- 本发明涉及一种基于纳米晶的NAND存储器及其制造方法，该存储器包括纳米晶存储单元和选择晶体管。纳米晶存储单元包括硅衬底，位于硅衬底中两侧的源导电区和漏导电区，源导电区与漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层，覆盖在隧...
- 王琴杨潇楠王永张满红霍宗亮刘明
- 文献传递
- 一种基于氮化处理的纳米晶浮栅存储器的制备方法
- 本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于氮化处理的纳米晶浮栅存储器的制备方法，所述方法包括在硅衬底上生长遂穿介质层，并在遂穿介质层上表面生长硅纳米晶；对硅纳米晶进行氮化处理，在氮化处理后的硅纳米晶表面淀积控制栅...
- 刘明王永王琴杨潇楠龙世兵谢常青
- 文献传递
- 基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性
- 2011年
- 硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。
- 杨潇楠王永张满红张博刘明
- 关键词：硅纳米晶耐受性数据保持
- 一种复合存储介质浮栅存储器结构及其制作方法
- 本发明公开了一种复合存储介质浮栅存储器结构及其制作方法。复合存储介质浮栅存储器结构由下至上依次包括硅衬底、隧穿介质层、氮化硅、硅纳米晶、高温氧化物、多晶硅层和在硅衬底上刻蚀形成的栅和源/漏区，以及在二氧化硅层上刻蚀形成的...
- 刘明王永王琴杨潇楠
- 文献传递
- 一种在线检测硅纳米晶形态的方法
- 本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法，包括：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；用稀释氢氟酸处理衬底表面，再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各...
- 刘明王永王琴杨潇楠
- 文献传递
- 纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法
- 本发明公开了一种纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，所述阵列由多个纳米晶浮栅存储器组成，并且还包括多条相互平行排列的位线和多条相互平行排列的字线，每个纳米晶浮栅存储器包括一个存储单元，每个存储单元均连接一条位线和一条字线，且...
- 王琴杨潇楠王永张满红霍宗亮刘明
- 文献传递
- 一种在线检测硅纳米晶形态的方法
- 本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法，包括：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；用稀释氢氟酸处理衬底表面，再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各...
- 刘明王永王琴杨潇楠
- 硅纳米晶存储器的耐受性研究
- 2014年
- 首先介绍了硅纳米晶粒的制备工艺以及硅纳米晶存储器件的基本特性。接着重点探讨了硅纳米晶存储器耐久性退化的物理机制,发现应力引起的界面陷阱是耐受性退化的主要原因。随后,同时采用多种分析手段,如电荷泵法和CV曲线分析法对界面陷阱的退化机理进行了更深入细致的研究。从界面陷阱在禁带中的能级分布中发现,相较于未施加应力时界面陷阱的双峰分布,施加应力后产生了新的Pb1中心的双峰。最后,分别从降低擦写电压和对载流子预热的角度提出了三种新的编程方法,有效提高了硅纳米晶存储器件的耐受性。
- 姜丹丹霍宗亮靳磊杨潇楠王永刘明
- 关键词：耐受性能级分布
- 2T纳米晶存储器阵列及其操作方法
- 本发明提供了一种2T纳米晶存储器阵列及其操作方法。该阵列包括2T纳米晶存储器、位线、源线、字线、选择晶体管字线、中间线和衬底，其中2T纳米晶存储器包括存储单元和选择晶体管。整个存储器阵列的衬底连接在一起，位线也连接在一起...
- 王琴杨潇楠王永张满红霍宗亮刘明
- 文献传递
